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[发明专利]一种布拉刀头用胎体粉末、布拉刀头材料、布拉刀头的制备方法及布拉刀头-CN202210441607.8有效
发明人：李斌;付思齐 -专利权人：泉州众志金刚石工具有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C22C38/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种布拉刀头用胎体粉末、布拉刀头材料、布拉刀头的制备方法及布拉刀头，所述胎体粉末的各组分及重量百分比如下：70％～80％Fe，10％～15％Cu，5％～10％P，其中的P元素是以磷铁的形式加入；该胎体粉末是以铁粉为主，铜粉为辅，引入适量无机非金属磷元素，以提高胎体的脆性，确保产品锋利度；烧结过程中析出脆性相FeP，以来增加胎体的脆性，使产品具备较高的自锐性，保持较高的锋利度；且本发明布拉刀头材料用到的人造单晶金刚石为30/35，35/40粒径大小，配比为4:6，TTI强度为76～82，此等级的金刚石具晶型完整，有着明显的边和棱，强度跟胎体自锐性有效结合，既具有较高的锋利度，而且还能保持连续的自锐性，锋利度保持性高。
一种刀头用胎体粉末材料制备方法

[发明专利]一种瓷砖用金刚石磨边轮及其配方-CN202211399757.3在审
发明人：黄梓杰;杨宏;付思齐 -专利权人：泉州众志金刚石工具有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B24D3/06 文献下载
摘要：本申请涉及磨边轮技术领域，尤其是涉及的是一种瓷砖用金刚石磨边轮及其配方。磨边轮包括刀头、连接件和基体件，刀头和基体件通过连接件连接，刀头包括至少两个工作层和至少一个非工作层，非工作层设于两个工作层之间，刀头沿轴向设有若干个降噪孔，降噪孔中填充消声件。本申请通过设置非工作层提前消耗在刀头表面产生凹陷，使工作层两侧尖端暴露，具有容屑、排屑能力的同时提高刀头的锋利度，设置降噪孔填充降噪材料，增加磨削时刀头阻尼降低磨削噪音。
一种瓷砖金刚石磨边及其配方

[外观设计]带扫雷宝图形用户界面的显示屏幕面板-CN202230418781.1有效
发明人：彭艺林;付思齐 -专利权人：深圳市财富趋势科技股份有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： 14-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：带扫雷宝图形用户界面的显示屏幕面板。2.本外观设计产品的用途：用于显示屏幕内容，且显示屏幕面板用于电脑、PAD或手机等。3.本外观设计产品的设计要点：在于显示屏幕面板中的图形用户界面设计。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.图形用户界面的用途：用于股票信息的风险分析。6.图形用户界面在产品中的区域：界面中的X为可变的文字、字母或数字等。7.图形用户界面的人机交互方式：主视图为初始界面，界面变化状态图1为点击主视图中的“营收陡降风险”后显示的界面；界面变化状态图2为点击界面变化状态图1中的“公允价值收益异常”后显示的界面；界面变化状态图3为点击界面变化状态图2中的“净利润陡降风险”后显示的界面；界面变化状态图4为点击界面变化状态图3中的“营收陡降风险”后显示的界面。8.显示屏幕面板为常规设计，故省略后视图、左视图、右视图、俯视图、仰视图。
扫雷图形用户界面显示屏幕面板

[发明专利]在衬底上直接制备石墨烯的方法-CN201711254473.4有效
发明人：张学敏;于国浩;曾春红;付思齐;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明公开了一种在衬底上直接制备石墨烯的方法，其包括：(1)在衬底上形成用以生长石墨烯的碳源层；(2)在碳源层上形成用以催化石墨烯生长的催化金属层；(3)将形成有碳源层和催化金属层的衬底置于退火炉中，在惰性气体气氛、500℃‑1000℃退火处理获得石墨烯；(4)将生长有石墨烯的衬底温度降至室温，并除去催化金属层，从而实现石墨烯的直接制备。本发明提供的方法工艺流程简单，在衬底上所生长的石墨烯质量较好，能够形成较大晶界的石墨烯，并且无需转移步骤，有利于在不同衬底上的器件制作；另外，此方法无需气体碳源参与，简化了工艺流程，不受衬底限制，能够简单高效的得到高质量的石墨烯薄膜。
衬底直接制备石墨方法

[发明专利]微反射镜的制造方法-CN201710685131.1有效
发明人：张学敏;孙天玉;付思齐;王逸群;邢政;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G02B5/124 文献下载
摘要：本发明提供一种微反射镜的制造方法，所述制造方法包括步骤：提供一(100)晶面的硅衬底；在所述硅衬底的顶面和底面分别生长一介质层；对所述硅衬底顶面的介质层进行刻蚀，以在所述硅衬底的顶面形成第一掩模图案，所述第一掩模图案包括多个第一掩模，每个所述第一掩模与所述硅衬底的[110]晶向的夹角为45°；对形成有所述第一掩膜图案的硅衬底进行湿法腐蚀，以在所述硅衬底的表面形成多个45°的V型槽或梯形槽；对形成有所述多个45°的V型槽或梯形槽的硅衬底进行划片切割，以获得多个45°的微反射镜。本发明提供的微反射镜的制造方法，能够实现微反射镜的批量生产，且获得的微反射镜能够实现光路90°反射，提高了反射效率、简化了工艺以及降低了成本。
反射制造方法

[发明专利]微反射镜的制造方法-CN201710684330.0有效
发明人：张学敏;孙天玉;付思齐;俞挺;王逸群;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G02B5/124 文献下载
摘要：本发明提供一种微反射镜的制造方法，制造方法包括步骤：提供一(100)晶面的硅衬底；在硅衬底的顶面和底面分别生长一介质层；对硅衬底顶面的介质层进行刻蚀，以在硅衬底的顶面形成第一掩模图案，第一掩模图案包括多个第一掩模，每个第一掩模与硅衬底的[110]晶向的夹角为45°；对形成有第一掩膜图案的硅衬底进行湿法腐蚀，以在硅衬底的表面形成多个45°的V型槽或梯形槽；利用等离子体刻蚀技术对形成有多个45°的V型槽或梯形槽的硅衬底进行干法刻蚀，以获得微反射镜样材；对微反射镜样材进行划片切割，以获得多个45°的微反射镜。本发明提供的微反射镜的制造方法，能够提高了反射效率、简化工艺以及降低成本。
反射制造方法

[发明专利]微流道散热芯片及其制备方法-CN201610226989.7有效
发明人： 付思齐;时文华;李翔;刘彬;缪小虎;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微流道散热芯片及其制备方法，微流道散热芯片包括硅基本体以及设置于所述硅基本体上的隔离层，所述硅基本体顶部开设有隔离槽，所述隔离槽向下延伸出第一微流通道、第二微流通道以及第三微流通道，所述第一微流通道以及所述第三微流通道分别位于所述第二微流通道两侧；所述隔离层上开设有与所述第一微流通道对应的第一通孔、以及与所述第三微流通道对应的第二通孔。本发明提供的微流道散热芯片及其制备方法，所述微流道散热芯片通过将第一、第三微流通道与第二微流通道设置为不同深度来实现对流经其内的液体的流速进行控制，从而能够精确控制散热效果；而且通过所述制备方法制备出的微流道散热芯片成本较低、适用于批量生产。
微流道散热芯片及其制备方法

[发明专利]一种光纤准直器夹具的制造方法及光纤准直器夹具-CN201410783266.8有效
发明人： 付思齐;时文华;刘彬;缪小虎;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： G02B6/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种光纤准直器夹具的制造方法，包括：S1、对双抛硅片作热氧化处理生成热氧化层；S2、去除双抛硅片的第一面的第一热氧化层，并在与所述第一面相对的第二面的第二热氧化层上沉积氮化硅薄膜层；S3、自所述双抛硅片的所述第一面以光刻胶为掩膜进行深硅刻蚀，形成延伸至所述第二热氧化层的第一槽；S4、自所述双抛硅片的所述第一面刻蚀至特定深度，完成第二槽的深硅刻蚀，以容纳光线准直器，其中，所述第二槽连通所述第一槽且宽度大于所述第一槽，所述第二槽的深度小于所述第一槽；S5、划片及清洗。本发明还提供了一种光纤准直器夹具，比传统方法制作的夹具精度更高，且工艺简单、成本低，适于批量生产。
一种光纤准直器夹具制造方法

[发明专利]一种离子迁移管的制作方法-CN201310348938.8有效
发明人：时文华;缪小虎;付思齐;刘彬 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子迁移管的制作方法，在硅基衬底表面沉积金属电极，并对硅基衬底进行刻蚀，以形成独立的一对叉指电极，再在玻璃基片上开设与叉指电极所在区域对应的孔，将玻璃基片与硅基衬底粘合，且使叉指电极所在区域内嵌于孔中，根据需要将玻璃基片进行切片，以形成离子迁移管。本发明利用硅基衬底与玻璃基片实现电绝缘的两对电极，并形成离子迁移通道，再根据实际需要将玻璃基片进行切片，形成离子迁移管，实现离子迁移管的微型化。
一种离子迁移制作方法

[发明专利]一种夹具及其制造方法-CN201610048965.7在审
发明人： 付思齐;时文华;李翔;刘彬;缪小虎;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： G02B6/32 文献下载
摘要：本发明提供一种夹具，用于夹持光纤准直器，所述夹具包括从上而下依次堆叠设置的硅基本体、第一薄膜层以及第二薄膜层，所述硅基本体顶部设置有第一导向孔，所述第一导向孔底部向下延伸出一限位孔，所述限位孔贯穿所述硅基本体到达所述第一薄膜层。本发明还提供了所述夹具的制造方法，本发明提供的夹具能够对所述光纤准直器进行精确限位，所述夹具制造方法简单，通过所述方法制造出的夹具，能够将光纤准直器的固定误差控制在20微米之内，所述夹具生产成本较低、适用于批量生产。
一种夹具及其制造方法

[发明专利]一种单晶硅空心微针结构的制作方法-CN201410253151.8有效
发明人：俞骁;付思齐;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅异平面空心微针结构的制作方法，在一典型实施案例中，该方法可以包括：先在（100）型硅片正面用深硅干法刻蚀方法制作非贯通的孔状槽；用热氧化方法在硅片正反面以及孔内壁形成厚氧化层；在硅片正面和背面用涂胶光刻方法分别形成腐蚀窗口图形；用干法或湿法腐蚀方法将窗口内的氧化硅去除，露出衬底硅；去除光刻胶后用单晶硅各向异性腐蚀液对硅片进行腐蚀，在上表面形成微针结构，下表面形成槽形结构，并且先前刻蚀形成的深孔贯穿硅片正面微针结构，底部与硅片背面的槽形结构相连。本发明工艺简单，成本低廉，成品率高，适合大批量制造，且所获微针具有结构强度大、一致性好，载药剂量大等优点，在生物医学领域具有应用前景。
一种单晶硅空心结构制作方法

[发明专利]一种亚微米双台阶图形的制备方法-CN201410720462.0在审
发明人：时文华;付思齐;刘彬;缪小虎 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种亚微米双台阶图形的制备方法，包括以下步骤：提供掩膜版，所述掩膜版上设置有若干个图形，提供样品，所述样品放置于所述掩膜版的下方；在所述掩膜版与样品之间设置光刻胶，采用光刻方法对所述样品上的掩膜版进行曝光，形成光刻胶形貌；采用刻蚀方法，将所述光刻胶形貌转移至所述样品上；去除所述光刻胶。本发明提供的一种亚微米双台阶图形的制备方法，通过一次光刻和刻蚀工艺，实现了亚微米图形的制备，同时，利用周期性图形的光学衍射效应，实现了亚微米图形的双台阶制备，具有工艺简单、易于操作、可控性强的特点，降低了制备成本，极大地满足了工艺复杂器件的制备需求。
一种微米台阶图形制备方法

[发明专利]光刻方法-CN201210492719.2有效
发明人： 付思齐;时文华;刘彬;侯克玉;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻方法，用以获得具有不同高度的光刻结构，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形包括多个相同的图形单元，所述多个图形单元阵列分布；s2、根据所述的光刻版图形在待加工样品上形成一定厚度的光刻胶掩膜，所述待加工样品在第一区域裸露；s3、对待加工样品进行等离子体轰击，对待加工样品在第一区域裸露的表面进行刻蚀或沉积，同时使得所述图形单元之间的光刻胶在第二区域脱落并露出待加工样品表面；s4、在第一区域和第二区域对所述待加工样品进行刻蚀或沉积。本发明的光刻方法，可以凭借单次光刻，获得具有不同高度的光刻结构。
光刻方法

[发明专利]深硅刻蚀方法-CN201210333095.X有效
发明人： 付思齐;时文华;缪小虎;周韦娟;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种深硅刻蚀方法，用以形成台阶结构的沟槽，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形具有形成所述沟槽的窗口，利用分割线对所述窗口进行分割，所述分割线为不同台阶的分界线；s2、根据设计的光刻版图形在待加工样品上形成掩膜；s3、在掩膜下对待加工样品进行深硅ICP刻蚀，同时刻蚀掉所述分割线形成的掩膜部分。本发明的深硅刻蚀方法，可以凭借单次刻蚀形成多种不同深度台阶的沟槽，成本低，成功率高。
刻蚀方法

[发明专利]深硅刻蚀方法-CN201210307648.4有效
发明人： 付思齐;时文华;王敏锐;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形具有不同宽度的沟槽，利用细线条沿所述沟槽的宽度方向对所述沟槽进行分割，并使得分割后所有沟槽的宽度相同；s2、根据设计的光刻版图形在待加工样品上形成掩膜；s3、在掩膜下对待加工样品进行深硅ICP刻蚀，同时刻蚀掉所述细线条形成的掩膜部分。通过本发明技术方案的应用，能有效减小深硅刻蚀中由于沟槽宽度尺寸较大的差异导致侧壁形貌变化，将侧壁陡直度偏差控制在1μm之内。
刻蚀方法

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