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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种微小尺寸显像LED芯片及其制作方法-CN201811212548.7有效
发明人： 仇美懿;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种微小尺寸显像LED芯片，包括衬底、外延层、切割道、透明导电层、绝缘层、反射层、第一电极、第二电极、第一焊盘、第二焊盘和荧光粉层，其中，本发明设有至少两个切割道，切割道将外延层由内向外分割成多个独立的发光微结构，其中，切割道的排列形状为同心圆、同心三角形或同心多边形，荧光粉层由内向外依次设置在衬底背面。相应地，本发明还公开了一种微小尺寸显像LED芯片的制作方法。本发明LED芯片的切割道呈同心圆排列，不同的荧光粉层依次设置在不同发光微结构衬底的背面，使得红绿蓝LED晶圆整合为一体，混光效果好。
一种微小尺寸显像 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种GaN基紫外探测器及其制作方法-CN202011284995.0有效
发明人：崔永进;仇美懿 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基紫外探测器及其制作方法，方法制作方法包括：一、提供衬底，所述衬底设有多条梯形条和多条梯形槽，所述梯形条和梯形槽交替设置形成阵列结构，所述梯形条的上表面设有保护层；二、在梯形槽内形成吸收晶体层，所述吸收晶体层由GaN制成，其中，每个梯形槽内设有隔离槽，所述隔离槽将梯形槽内的吸收晶体层分开成两个；三、在吸收晶体层上形成电极，所述电极与所有吸收晶体层形成导电连接。本发明通过衬底上的梯形条和梯形槽形成阵列结构，使得形成在梯形槽内吸收晶体层被梯形条隔开，从而增加吸收晶体层的吸光面积，并减少吸收晶体层的缺陷密度，有效来增强本发明GaN基紫外探测器对紫外光光致电流反应。
一种 gan 紫外探测器及其制作方法

[发明专利]一种高亮度紫光LED芯片的制备方法及LED芯片-CN201911108379.7有效
发明人： 仇美懿;庄家铭;徐亮 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高亮度紫光LED芯片的制备方法，其包括：提供衬底，形成外延层；对外延层进行MESA刻蚀，形成贯穿至第一半导体层的孔洞；对孔洞侧壁依次进行干法刻蚀和湿法刻蚀，形成二次粗糙面；在孔洞内形成第一电极，在第二半导体层形成第二电极；劈裂衬底，得到高亮度紫光LED芯片成品。相应的，本发明还提供了一种高亮度的紫光LED芯片；本发明通过两次刻蚀的工艺，形成了二次粗糙面，其能有效提升光提取效率，增加出光效能，提升紫光LED芯片亮度。
一种亮度紫光 led 芯片制备方法

[发明专利]一种LED晶圆切割劈裂方法及LED芯片-CN201910601610.X有效
发明人： 仇美懿;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED晶圆切割劈裂方法，其包括将LED晶圆装载至激光划线机中；采用第一激光在划出多条第一切割线，形成多个第一爆炸面；采用第二激光划出至少两条第二切割线，形成第二爆炸面；采用第一激光沿划出多条第三切割线；然后劈裂，得到LED芯片。本发明通过多层次的、有序的爆炸面，有效收敛了劈裂纹，防止劈裂纹在LED芯片厚度方向上蔓延；进而消除了固晶过程中的爬胶现象，大幅度提升了打线成功率，大幅度提升了LED芯片的可靠性。
一种 led 切割劈裂方法芯片

[实用新型]一种低空洞率的倒装LED芯片-CN202120078301.1有效
发明人：范凯平;旷明胜;徐亮;仇美懿;何俊聪 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低空洞率的倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的电极，还包括设于电极上的焊接层、以及设于焊接层上的点测接触层；所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/Au叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/AuSn叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层AuSn层。本实用新型的倒装LED芯片，空洞率低，良率高。
一种空洞倒装 led 芯片

[实用新型]一种易于焊接的倒装LED芯片-CN202120142912.8有效
发明人：范凯平;旷明胜;徐亮;仇美懿;何俊聪 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种易于焊接的倒装LED芯片，包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上第一电极、设于发光结构和第一电极上的钝化层、以及设于钝化层上第二电极，所述钝化层设有至少一个电极孔洞，所述电极孔洞内填充有导电物质，所述导电物质与钝化层的表面齐平，所述导电物质将第一电极和第二电极形成导电连接，所述导电物质的硬度≥80HBS。本实用新型的倒装LED芯片解决了钝化层与第一电极和第二电极的金属硬度不同的问题，减少封装焊接时第二电极与封装基板之间的空洞率，提高芯片的焊接性能。
一种易于焊接倒装 led 芯片

[实用新型]一种高亮度LED芯片-CN202022331287.X有效
发明人： 仇美懿;李进 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高亮度LED芯片，包括衬底、设于衬底上的外延层、以及设于外延层上的电极结构，所述电极结构包括电流扩展条、焊盘和连接层，所述电流扩展条和焊盘设于外延层上，所述连接层设于电流扩展条连接段上并与焊盘连接，所述焊盘和连接层的结构相同并同时形成；所述电流扩展条包括依次设置的底层、反射层、第一保护层、第二保护层和打线层，其中，所述底层由ITO制成，所述反射层由Ag制成，所述第一保护层由TiW制成，所述第二保护层由Pt制成，所述打线层由Au制成。本实用新型采用高强度的焊盘和连接层、以及高反射率的电流扩展条相结合来组成电极结构，发挥两者的优点，既可以提高芯片的亮度和电流扩展性，又不影响封装打线。
一种亮度 led 芯片

[发明专利]一种抗胶气的LED芯片及其制作方法-CN202010008974.X有效
发明人： 仇美懿;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗胶气LED芯片及其制作方法，将发光结构浸泡在电离中和溶液中，不仅可以中和电离电极上的电荷，还可以去除电极表面的杂质和油污。此外，本发明还将光结构进行低温退火，使得电离中和溶液在电极的表面形成一层电离中和层。本发明的发光结构经过退化出来后，电极的表面重新整理，电极表面的电荷被钝化，电极的金属稳定。
一种抗胶气 led 芯片及其制作方法

[实用新型]一种抗水解的LED芯片-CN202022331574.0有效
发明人：崔永进;仇美懿 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗水解的LED芯片，包括抗水解衬底和发光结构，所述抗水解衬底包括基础衬底，所述基础衬底设有发光区和阻隔区，其中，所述阻隔区将所述发光区包围，所述阻隔区上设有阻隔结构，所述阻隔结构由抗水解绝缘材料制成，所述发光结构设置在发光区内且被阻隔结构包围，所述阻隔结构高于所述发光结构。本实用新型通过阻隔结构将发光结构包围，有效防止水汽侵蚀，增加LED芯片的可靠性。
一种水解 led 芯片

[实用新型]一种Mini/micro LED的外延量子阱、外延结构-CN202021396936.8有效
发明人： 仇美懿;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种Mini/micro LED的外延量子阱、外延结构，其中所述外延量子阱包括阱层、包覆层和阻挡层，所述阱层由InGaN制成，所述包覆层由GaN制成，所述阻挡层为Si掺杂的N‑GaN层，所述阱层的厚度为1.5～2.0nm。本实用新型通过调整量子阱的结构，增加阱层In的含量，减少阱层的厚度，同时设置包覆层和阻挡层，由此来降低压电效应的影响，进而减少外延层的半波宽(Hw)、标准差(Stdv)。
一种 mini micro led 外延量子结构

[实用新型]易于焊接的倒装Mini/Micro-LED芯片-CN202022331210.2有效
发明人：崔永进;仇美懿 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种易于焊接的倒装Mini/Micro‑LED芯片，包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的电极、以及设于电极上的焊接层。本实用新型的Mini/Micro‑LED芯片易于焊接封装，封装效率高、良率高、成本低。
易于焊接倒装 mini micro led 芯片

[实用新型]一种耐基板翘曲的倒装LED芯片-CN202022351279.1有效
发明人： 仇美懿;李进 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耐基板翘曲的倒装LED芯片，其包括应力缓冲层、衬底、发光结构、一次电极结构、钝化层和二次电极结构；发光结构设于衬底的正面，一次电极结构设于发光结构上，钝化层设于一次电极结构上，二次电极结构设于钝化层上；二次电极结构贯穿钝化层与一次电极结构连接；应力缓冲层设于衬底的背面。实施本实用新型，应力缓冲层可提供与封装应力方向相反的应力，有效降低封装翘曲，使得封装基板平整度高，焊接良率提升，从而提升了倒装LED芯片的整体良率。
一种耐基板翘曲倒装 led 芯片

[发明专利]一种易于焊接的倒装LED芯片-CN202110070402.9在审
发明人：范凯平;旷明胜;徐亮;仇美懿;何俊聪 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种易于焊接的倒装LED芯片，包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上第一电极、设于发光结构和第一电极上的钝化层、以及设于钝化层上第二电极，所述钝化层设有至少一个电极孔洞，所述电极孔洞内填充有预设硬度的导电物质；其中，所述导电物质与钝化层的表面齐平，并将第一电极和第二电极形成导电连接，且与钝化层、第一电极和第二电极形成无缝连接；所述导电物质的硬度≥80HBS。本发明的倒装LED芯片解决了钝化层与第一电极和第二电极的金属硬度不同的问题，减少封装焊接时第二电极与封装基板之间的空洞率，提高芯片的焊接性能。
一种易于焊接倒装 led 芯片

[发明专利]一种低空洞率的倒装LED芯片及其制备方法-CN202110038564.4在审
发明人：范凯平;旷明胜;徐亮;仇美懿;何俊聪 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种低空洞率的倒装LED芯片及其制备方法，所述倒装LED芯片包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的电极，还包括设于电极上的焊接层、以及设于焊接层上的点测接触层；所述焊接层的材料选用Au和Sn，Au和Sn的质量百分比为(15％～30％)：(70％～85％)；其中，所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/Au叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/AuSn叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层AuxSn1‑x层，每层AuxSn1‑x中Au和Sn的比例不同。本发明的倒装LED芯片，空洞率低，良率高。
一种空洞倒装 led 芯片及其制备方法

[实用新型]抗水解的GaN外延结构和芯片-CN202021395176.9有效
发明人： 仇美懿;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗水解的GaN外延结构和芯片，其中，所述外延结构包括衬底、设置在衬底上的缓冲层、设置在缓冲层上的3D‑Gr层、设置在3D‑Gr层上的缺陷阻挡层、设置在缺陷阻挡层上的第一半导体层、设置在第一半导体层上的有源层、以及设置在有源层上的第二半导体层。本实用新型通过缓冲层、3D‑Gr层和缺陷阻挡层的相互作用，有效减少外延结构的晶格缺陷，提高外延结构的晶体质量，同时提高缓冲层、3D‑Gr层和缺陷阻挡层的密度，减缓缓冲层、3D‑Gr层和缺陷阻挡层的水解腐蚀速率，从而提高外延结构的抗水解能力。
水解 gan 外延结构芯片

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