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[实用新型]一种抗水解LED芯片、器件-CN202020785140.5有效
发明人： 仇美懿;庄家铭;陈凯 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗水解LED芯片、器件，其中，所述LED芯片包括衬底，设置在衬底上的阻挡层，所述阻挡层上设有若干个裸露区域，所述裸露区域刻蚀至衬底的表面，所述裸露区域的总面积占衬底总面积7％以上，外延层，设置在阻挡层和裸露区域的衬底上，所述阻挡层的边缘超出外延层的边缘，所述阻挡层由透光不导电材料制成。本实用新型的抗水解LED芯片在衬底和外延层之间设置一层阻挡层，以阻挡水汽的爬升，防止水汽侵蚀外延层。
一种水解 led 芯片器件

[实用新型]一种具有高逆向崩塌电压的外延结构-CN202020236138.2有效
发明人： 仇美懿;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有高逆向崩塌电压的外延结构，包括衬底、缓冲层、第一半导体层、超晶格层、有源层、第二半导体层和第一插入层；所述第一半导体层包括高温N‑GaN层和低温N‑GaN层，所述高温N‑GaN层的形成温度高于所述低温N‑GaN层的形成温度；所述第一插入层设置在低温N‑GaN层和高温N‑GaN层之间，所述第一插入层由AlGaN制成。本实用新型在高温N‑GaN层和低温N‑GaN层之间设置第一插入层，以减少第一半导体层内的晶格缺陷，强化第一半导体层的逆向崩溃电流散布，提高外延结构的逆向崩溃电压。
一种具有逆向崩塌电压外延结构

[实用新型]一种正装LED芯片-CN202020055544.9有效
发明人： 仇美懿;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种正装LED芯片，包括衬底、发光结构、电极结构、半遮挡金属层、保护层和反射层；所述发光结构设于衬底上，所述电极结构设于发光结构上，所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述半遮挡金属层设于第二电极与发光结构之间，所述保护层覆盖在电极结构以外的发光结构和半遮挡金属层上，所述反射层设置在保护层上；所述半遮挡金属层由金属制成，其透光率为40％～60％；所述反射层由透光材料制成，其反射率为50％～80％；有源层发出的光经过半遮挡层和反射层出射，芯片轴向出光减少，发光角度增大。
一种 led 芯片

[实用新型]一种防止铝电极迁移的LED芯片-CN202020346488.4有效
发明人： 仇美懿;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防止铝电极迁移的LED芯片，包括发光结构、设于发光结构上的电极结构、以及防迁移结构，所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括Cr层和Al层，所述Cr层设于发光结构上，所述Al层设于Cr层上，所述防迁移结构为单层结构或至少三层的单数叠层结构。本实用新型在第一电极的Cr层和Al层之间设置防迁移结构，有效防止Al层中的金属迁移到发光结构上。
一种防止电极迁移 led 芯片

[实用新型]一种可转换颜色的倒装LED芯片-CN201922247535.X有效
发明人： 仇美懿;庄家铭;崔永进 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可转换颜色的倒装LED芯片，包括衬底和设置在衬底正面的发光结构，其特征在于，所述衬底的背面设有凹槽，所述凹槽内填充有量子点，所述凹槽上设有滤波层，所述滤波层将所述量子点覆盖，并对经过量子点的光波进行过滤；经过对应量子点形成的光从滤波层出射，该量子点以外颜色的光被所述滤波层反射回发光结构一侧，使其对应量子点无杂色光混入。本实用新型在同一个芯片上，通过在凹槽内填充不同颜色的量子点，可以实现全彩显示，也可实现单色显示，其中，本实用新型的芯片只需要形成一个发光结构即可，同一个发光结构发出的光经过不同颜色的量子点，可以发出不同颜色的光，有效减少显示屏的体积。
一种转换颜色倒装 led 芯片

[发明专利]大发光角度倒装Mini-LED芯片及其制备方法-CN202010413988.X在审
发明人： 仇美懿;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种大发光角度倒装Mini‑LED芯片，其包括：倒装LED芯片本体，其包括衬底和设于衬底正面的发光结构；和折射层，其设于所述衬底的背面；所述折射层由多个棱台和/或锥台组成，所述棱台/锥台的底面与所述衬底连接；发光结构所发出的光线从所述棱台/锥台的侧面和/或顶面射出，以提升倒装Mini‑LED芯片的发光角度。相应的，本发明还公开了上述大发光角度倒装Mini‑LED芯片的制备方法。实施发明，可有效提升Mini‑LED的发光角度，使得Mini‑LED可应用于大规格的屏幕。
发光角度倒装 mini led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种紫外LED芯片外延结构及其制备方法、芯片-CN202010440904.1在审
发明人： 仇美懿;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外LED芯片外延结构，其包括：衬底；设于所述衬底上的外延层；所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第二半导体层上的折射层；设于所述折射层上的电流扩展层；所述折射层的折射率小于所述第二半导体层的折射率。本发明还公开了上述紫外LED芯片外延结构的制备方法以及应用上述外延结构的LED芯片。实施本发明，可有效降低紫外LED芯片的全反射效应，提升光效。
一种紫外 led 芯片外延结构及其制备方法

[实用新型]一种便于转移的MicroLED芯片-CN201921940695.6有效
发明人： 仇美懿;庄家铭;陆绍坚 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于转移的MicroLED芯片，包括载体基板、扩展片和多个芯粒，所述芯粒包括衬底、设置在衬底正面的外延层、以及与外延层导电连接的电极，所述扩展片结合在衬底的背面，以增加芯粒的与吸嘴的接触面积，所述载体基板上设有连接点，所述芯粒的电极结合在连接点上，从而将芯粒固定在载体基板上，所述连接点由具有粘附性的导电金属制成。本实用新型通过在衬底地背面设置一层扩展片，以增加吸嘴与芯粒的接触面积，使得吸嘴可以稳稳地吸住芯粒，从而提高转移效率。
一种便于转移 microled 芯片

[实用新型]一种具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片-CN202020214621.0有效
发明人：邓梓阳;崔永进;范凯平;仇美懿;徐亮;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片，包括衬底、设于衬底正面的发光结构、设于发光结构上的第一DBR反射层、以及设于衬底背面的第二DBR反射层，所述第一DBR反射层为单堆结构，所述第二DBR反射层为多堆结构，发光结构发出的光经过第一DBR反射层和第二DBR反射层反射后，芯片正向及侧向发光强度趋于相同。本实用新型通过第一DBR反射层和第二DBR反射层的相互配合，减少芯片向上及向下出光，增加芯片侧向出光，以使芯片正向及侧向发光强度趋于相同。此外，本实用新型的第一DBR反射层覆盖在发光结构正面还可以作为保护层，从而节省一道氧化硅绝缘层沉积工艺，进而缩短制程时间及节约制造成本。
一种具有 dbr 绝缘保护均匀 led 芯片

[实用新型]一种集成式立体Micro LED-CN202020271525.X有效
发明人： 仇美懿;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成式立体Micro LED，包括导电衬底、阻挡层、外延层、透明导电层、保护层、遮挡层、第一电极和第二电极。本实用新型在图型化的导电衬底上形成若干个Micro LED小面积的外延层，利用导电衬底上下电性倒通的特性，省去激光剥离衬底的问题，在非图型区域形成透明导电层将若干个的外延层形成导电连接，形成阵列模式，同时配合第一电极和第二电极，实现Micro LED的集成，解决了巨量转移的问题。
一种集成立体 micro led

[实用新型]一种倒装LED芯片-CN202020203119.X有效
发明人： 仇美懿;庄家铭;邓梓阳 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种倒装LED芯片，包括衬底、外延层、透明导电层、填平层、粘附层、反射层、以及电极结构，所述外延层设于衬底上，所述透明导电层设于外延层上，所述填平层设于透明导电层上并将外延层的凹凸结构填平，所述填平层设有若干个第一孔洞，所述粘附层设于填平层上并填充到第一孔洞内与透明导电层形成导电连接，所述反射层设于所述粘附层。本实用新型在倒装LED芯片的透明导电层上形成一层填平层，将外延层的凹凸结构填平，以形成平整的表面，使设置在填平层上的反射层形成全镜面反射，从而使外延层发出的光经过反射层反射后，能够集中从衬底背面出射，进而提高芯片的出光效率。
一种倒装 led 芯片

[实用新型]一种多合一MicroLED芯片-CN201921813254.X有效
发明人： 仇美懿;雷自合;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多合一MicroLED芯片，包括至少三个发光结构、第一绝缘层、第二绝缘层、第一电极、第二电极、金属连接层和连接电极，所述金属连接层设置在相邻两个发光结构之间，以将相邻的发光结构形成连接；所述连接电极设置发光结构的背面和金属连接层上，将发光结构与金属连接层形成导电连接。本实用新型在发光结构之间形成金属连接层，将几个发光结构连接在一起，形成一个整体，有效减少转移的次数，提高生产效率。
一种合一 microled 芯片

[实用新型]一种巨量转移MicroLED芯片的系统-CN201921774753.2有效
发明人： 仇美懿;林耀辉;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种巨量转移MicroLED芯片的系统，包括：基板，所述基板的表面设有第一金属层；MicroLED芯片预处理设备，用于在MicroLED芯片的底面镀有第二金属层；等离子清洗机，用于对基板的第一金属层的表面离子进行清洗，使第一金属层带正离子；紫外照射装置，用于对MicroLED芯片的第二金属层进行照射紫外光处理，使第二金属层带负离子；液体槽，所述液体槽内装有不导电液体。采用本实用新型，实现了巨量转移，操作简单，效率高，且定位精准。
一种巨量转移 microled 芯片系统

[实用新型]一种紫外LED芯片-CN202020184202.7有效
发明人： 仇美懿;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫外LED芯片，包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层，其特征在于，所述透明导电层包括ITO层和AzO层，所述ITO层设于外延层和AzO层之间，所述ITO层的厚度为5～20nm，所述AzO层的厚度为150～500nm。本实用新型的透明导电层通过ITO层和AzO层的相互配合，有效提高芯片的出光效率和降低电压。
一种紫外 led 芯片

[发明专利]一种3D集成式Micro LED及其制作方法-CN202010294153.7在审
发明人： 仇美懿;林耀辉;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D集成式Micro LED及其制作方法，所述Micro LED包括导电衬底，若干个设于导电衬底正面上的基底层，设置在基底层正面上并填充在基底层之间的阻挡层，所述阻挡层将基底层隔绝，设置在基底层上发光柱体，所述发光柱体包括设于基底层上的第一半导体层、将第一半导体层的包裹的有源层、将有源层包裹的第二半导体层，覆盖在发光柱体和阻挡层上的透明导电层，所述透明导电层将多个发光柱体形成导电连接，设于导电衬底背面的第一电极，设于透明导电层上的第二电极，所述发光柱体实现360度出光，且其发光角度为180度。
一种集成 micro led 及其制作方法

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