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[发明专利]一种氮化镓晶体抛光的方法-CN200910180529.5有效
发明人：李强;徐永宽;程红娟;殷海丰;于祥潞;杨丹丹;赖占平;严如岳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓晶体抛光的方法，所述方法包括以下步骤：将氮化镓晶片粘贴在石英板上；用研磨机对粘贴在石英板上的氮化镓晶片进行研磨；对抛光液进行加热升温，用紫外光照射抛光的氮化镓晶片，用抛光机对研磨后的氮化镓晶片进行化学机械抛光。本发明在传统的氮化镓晶片化学机械抛光的基础上，使用了紫外光对其晶片进行照射，同时使用了自制水浴加热系统对抛光液进行升温，提高了化学机械抛光过程中的化学反应速率，再通过重物重量的调节，使得物理去除作用和化学作用达到平衡，不仅解决了氮化镓晶体难抛光的问题，提高了N面和Ga面去除速率，也获得了令人满意的光亮表面。本发明方法成本明显更低，工艺实施简单，并且有效的提高了抛光效率。
一种氮化晶体抛光方法

[发明专利]一种氮化物膜的制备方法-CN200910180530.8有效
发明人：杨丹丹;徐永宽;程红娟;殷海丰;李强;于祥潞;赖占平;严如岳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物膜的制备方法，包括：在异质衬底上沉积氮化物薄膜；在氮化物薄膜上进行镀金属，得到金属薄膜；对金属薄膜进行氮化，得到具有孔隙的金属薄膜；通入氯化氢气体，对氮化物薄膜的表面进行腐蚀，得到网状的凹槽及孔隙后，停止氯化氢气体的通入；对具有孔隙的金属薄膜进行腐蚀，腐蚀掉具有孔隙的金属薄膜后，对带有网状凹槽氮化物及空隙氮化物的异质衬底进行清洗，清洗结束后拿回反应炉中进行氮化物膜的生长，得到氮化物膜。本发明能够缓解在生长氮化物厚膜过程中所出现的由于较大的应力和较高的位错密度所带来的裂纹翘曲等问题，具有简单、易实施、成本低的优点。
一种氮化物制备方法

[发明专利]一种降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法-CN200910180528.0有效
发明人： 于祥潞;徐永宽;殷海丰;程红娟;李强;杨丹丹;赖占平;严如岳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法，所述方法包括以下步骤：对剥离下来的三族氮化物自支撑片进行腐蚀；对腐蚀后的三族氮化物自支撑片进行生长，生长面为氮面。本发明对剥离下来的三族氮化物自支撑片进行再生长，通过氮面再生长降低其翘曲度，并增加了自支撑片的厚度，为后续的抛光工艺打下良好的基础。
一种降低氮化物支撑曲度方法

[发明专利]一种制备氮化物自支撑衬底的方法-CN200910180531.2有效
发明人：徐永宽;殷海丰;程红娟;李强;于祥潞;杨丹丹;赖占平;严如岳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备氮化物自支撑衬底的方法，包括：将异质衬底在单晶炉中生长氮化物薄膜；对生长有氮化物薄膜的异质衬底底部进行凹槽刻蚀，凹槽将异质衬底底部划分为若干个区域；刻蚀结束后，清洗生长有氮化物薄膜的异质衬底，然后放回单晶炉中继续生长，得到后续生长的氮化物膜；去除异质衬底，对后续生长的氮化物膜进行抛光处理，获得剥离后的氮化物自支撑衬底。本发明通过对生长有一薄层氮化物薄膜的初始异质衬底底部进行激光刻蚀，将衬底刻蚀成众多尺寸较小的区域，便于一部分应力的释放，缓解了应力对氮化物生长的影响，再在其上生长低弯曲度、无裂纹的高质量氮化物厚膜，这样便于大尺寸晶片剥离，获得氮化物自支撑衬底。
一种制备氮化物支撑衬底方法

[发明专利]一种用于制备氮化物半导体衬底的HVPE反应器-CN200810167621.3无效
发明人： 于祥潞;程红娟;杨巍;徐永宽;赖占平;严如岳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种便于添加及更换金属反应物的用于制备氮化物半导体衬底的HVPE反应器，包括舟体、氯化氢进气管、氨气进气管、金属氯化物送气管和异质衬底基座。所述舟体能够拆分为两部分，以便于更换其中的金属反应物；所述氨气进气管的结构应保证在所述舟体拆分为两部分的时候其不会阻碍这种拆分。所述金属氯化物送气管采用单管路结构，在氨气离开所述舟体之后，所述氨气进气管分为若干支管，围绕在所述金属氯化物送气管的四周；在靠近置于所述异质衬底基座上的异质衬底处，所述氨气进气管的各支管与所述金属氯化物送气管之间保持一定距离，以阻止氨气与金属氯化物气体的过早混合，这样有利于降低各管口处的寄生沉积。
一种用于制备氮化物半导体衬底 hvpe 反应器

[发明专利]一种制备无裂氮化物半导体衬底的方法-CN200810167620.9无效
发明人：徐永宽;于祥潞;程红娟;杨巍;赖占平;严如岳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备无裂氮化物半导体衬底的方法，采用该方法能够能够有效降低氮化物衬底的位错密度，还能解决氮化物衬底表面抛光速率不均匀的问题。该方法包括：步骤1.采用HVPE法，并通过控制工艺条件在异质衬底上生长一层具有坑状表面的氮化物；步骤2.将所述具有坑状表面的氮化物层从HVPE反应炉中取出，并在其上加入插入层，该插入层为过渡金属或其合金；步骤3.将带有所述插入层的氮化物外延片放回HVPE反应炉中，进行高温退火处理；步骤4.采用HVPE法，并通过控制工艺条件在经过所述退火处理的插入层上继续生长一层具有光滑表面的氮化物；步骤5.生长结束后降温，插入层处发生破裂，从而得到氮化物半导体衬底。
一种制备氮化物半导体衬底方法

[发明专利]氮化物半导体自支撑衬底生长方法及专用设备-CN200810167623.2无效
发明人： 于祥潞;杨巍;程红娟;徐永宽;赖占平;严如岳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够制备无裂的氮化物半导体自支撑衬底的方法及其专用设备。该方法包括：步骤A.采用HVPE法开始在异质衬底上生长氮化物单晶膜；步骤B.在氮化物单晶生长结束降温之前采用腐蚀性气体在高温下将所述异质衬底尽量腐蚀掉。该专用设备是将普通的用于制备氮化物自支撑衬底的HVPE反应器至少增加腐蚀性气体的通路而形成的，腐蚀性气体的通路用于引入腐蚀性气体到异质衬底，以腐蚀该异质衬底。所述腐蚀性气体通路可为异质衬底基座杆内形成的中空内腔，该中空内腔和氮化物生长反应腔通过异质衬底隔开。该方法避免了降温过程中热应力造成的晶片破裂问题，尤其适于氮化镓、氮化铝衬底的制备。
氮化物半导体支撑衬底生长方法专用设备

[发明专利]一种制备无裂纹氮化物半导体衬底的方法-CN200810167622.8无效
发明人：徐永宽;于祥潞;程红娟;杨巍;赖占平;严如岳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种成本低廉且有效的制备无裂纹氮化物半导体衬底的方法，该方法包括：步骤A.将蓝宝石或硅等异质衬底粘附在高温下较稳定且不会对氮化物造成污染的蓝宝石或硅等基底上；步骤B.对所述异质衬底进行减薄和抛光处理，使其厚度为5～150微米；步骤C.采用HVPE法、MOCVD法或MBE法在所述异质衬底上生长一层较该异质衬底显著更厚的氮化物，该氮化物层的厚度最好是异质衬底厚度的三倍以上；步骤D.在氮化物生长结束后降温，所述异质衬底通常发生粉碎性破裂，继续将氮化物层上残留的异质衬底去掉，以得到的氮化物层作为氮化物半导体衬底。
一种制备裂纹氮化物半导体衬底方法

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