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- [发明专利]一种三壳层过渡金属化合物的合成方法-CN201811203772.X有效
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于然波;焦创伟
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北京科技大学
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2018-10-16
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2020-11-06
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C01G1/02
- 本发明提供了一种三壳层过渡金属化合物的合成方法,涉及储能材料技术领域,采用连续的两步法煅烧,合成工艺简单、产量大、周期短,适宜工业化生产;该方法步骤包括:S1、得到前驱体ZIFs;S2、在高温处理容器中对所述前驱体ZIFs进行两步法煅烧得到所述化合物;所述两步法具体为:S21、对所述高温处理容器内部进行升温,升温速率为0.5℃‑5℃/min,升到250℃‑300℃,保温0.5h‑1.5h;S22、继续对所述高温处理容器内部进行升温,升温速率为15℃‑20℃/min,升到350℃‑450℃,保温0.5h‑1.5h。本发明提供的技术方案适用于三壳层过渡金属化合物的合成过程中。
- 一种三壳层过渡金属化合物合成方法
- [发明专利]一种负热膨胀材料TaPO5及其制备方法-CN201310654263.X无效
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邓金侠;田城;陈骏;于然波;邢献然
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北京科技大学
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2013-12-05
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2014-02-26
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C01B25/37
- 一种负热膨胀材料TaPO5及其制备方法。采用高温固相法,原料一是以分析纯的(NH4)2HPO4与Ta2O5为原料,分别按摩尔比1.8:1至1.5:1混合后在1150℃至1300℃范围内保温10小时以上。原料二以分析纯的H3PO4与Ta2O5为原料,分别按摩尔比1.8:1至1.5:1混合后在1300℃至1500℃范围内保温1小时以上。两种原料均可得到纯的具有负热膨胀性能的TaPO5,在室温至300℃的温度范围内,本征体膨胀系数为4.86×10-5℃-1;300℃至800℃本征体膨胀系数为-6.89×10-7℃-1。在室温至383℃温度范围内,表观线膨胀系数α=9.37×10-6℃-1,383℃至800℃,表观线膨胀系数α=-1.3×10-6℃-1。该材料具有负热膨胀温度范围大,制备简单,无需大规模设备等优点。
- 一种热膨胀材料taposub及其制备方法
- [发明专利]一种壳层数可控的多壳层氧化铈球的制备方法-CN201310122308.9无效
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于然波;徐鹏飞;王佳丽;宗玲博;邓金侠;陈骏;邢献然
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北京科技大学
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2013-04-10
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2013-07-10
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C01F17/00
- 一种壳层数可控的多壳层氧化铈球的制备方法,属于稀土氧化物纳米材料领域。制备步骤为:1,吸附碳球的制备:称取0.05g~0.5g碳球模板分散在10ml去离子水中,再加入0.5MCe(NO3)3溶液10ml,电磁搅拌45min后转入35ml的反应釜中并置入160℃电热炉中水热4~8h,再经离心洗涤及干燥后即得吸附碳球。2,多壳层氧化铈球的制备:将吸附碳球分别以1℃/min,2℃/min,10℃min的升温速率从100℃升温至500℃,保温60min后随炉降温至室温,依次得到S-CeO2,D-CeO2,T-CeO2。本发明方法简易,设备简单,合成温度低;原料价格低廉,无需昂贵的表面活性剂作模板剂;具有不使用有机溶剂、不污染环境、节省能源、转化率高、重复性好等优点。
- 一种层数可控多壳层氧化制备方法
- [发明专利]一种单斜结构CePO4纳米线的合成方法-CN201110303370.9无效
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于然波;徐鹏飞;严学成;陈骏;邢献然
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北京科技大学
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2011-10-09
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2012-05-02
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C01B25/37
- 本发明属于稀土化合物微纳材料领域,涉及一种单斜结构CePO4纳米线的合成,特别是采用低温、非模板剂及原料(NH4)2HPO4可重复合成单斜结构CePO4纳米线。将Ce(NO3)3·6H2O作为铈源溶于水中搅拌20~30分钟使其充分溶解,加入一定量的(NH4)2HPO4使Ce3+/PO43-等于1~4,搅拌20~30分钟后,用1mol/L的HCl溶液调pH至1左右,再搅拌20min,然后转入水热反应釜中,在180℃温度范围内反应12~24小时,所得产品在60~80℃温度范围烘干12~24小时后,即得到单斜结构CePO4纳米线,该纳米线长径比在30-60之间。本发明材料制备方法简易,设备简单,合成温度低;原料价格低廉,无需昂贵的表面活性剂作模板剂;具有不使用有机溶剂、不污染环境、节省能源、转化率高、易于工业化生产等特点、可有效地降低合成温度,是一种理想的绿色工艺;而且具有重复性好等优点。
- 一种单斜结构ceposub纳米合成方法
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