“二井启一”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果15个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]细胞培养构件及其表面改性方法-CN202180087668.2在审
发明人：斋藤直人;植村健;久野和俊;佐藤良宪;山本雅士;二井启一;西田哲郎 -专利权人：国立大学法人信州大学;斯泰拉化工公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具备优异的细胞培养性能及其长期稳定性的细胞培养构件及细胞培养构件的表面改性方法。本发明的细胞培养构件为至少的保持区域包含高分子化合物的细胞培养构件，其特征为，所述保持区域的至少一部分是在构成所述高分子化合物的碳原子和/或硅原子的一部分上直接化学键合有包含氮原子的官能团的表面改性区域，能够提供提高对表面改性区域的粘附性，抑制粘附性的经时劣化，细胞培养性能和其长期稳定性优异的细胞培养构件。
细胞培养构件及其表面改性方法

[发明专利]细胞培养构件及其表面改性方法-CN202180086647.9在审
发明人：斋藤直人;植村健;久野和俊;佐藤良宪;山本雅士;二井启一;西田哲郎 -专利权人：国立大学法人信州大学;斯泰拉化工公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C08J7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种具备优异的细胞培养性能及其长期稳定性的细胞培养构件及细胞培养构件的表面改性方法。本发明的细胞培养构件为至少粘附性细胞的保持区域包含高分子化合物的细胞培养构件，其特征为，所述保持区域的至少一部分是氟原子与构成所述高分子化合物的碳原子和/或硅原子的一部分直接化学键合的表面改性区域，能够提供提高粘附性细胞对表面改性区域的粘附性，抑制粘附性的经时劣化，细胞培养性能和其长期稳定性优异的细胞培养构件。
细胞培养构件及其表面改性方法

[发明专利]微细加工处理剂、和微细加工处理方法-CN202310442571.X在审
发明人：山崎阳介;堀上健太;伊达和哉;长谷部类;二井启一;西田哲郎 -专利权人：斯泰拉化工公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供对至少具有含硅绝缘膜的被处理物，在抑制微粒的残留的同时能够进行良好的微细加工的微细加工处理剂和微细加工处理方法。本发明的微细加工处理剂包含以下的化学式(1)所示的化合物、氟化氢、氟化铵和水，M++(Rf‑SO2)‑N‑‑(SO2‑Rf)化学式(1)中，Rf表示碳原子数为1～4的全氟烷基，M+表示氢离子或铵离子，上述化合物的含量相对于上述微细加工处理剂的总质量为0.001质量％～0.5质量％，上述氟化氢的含量相对于上述微细加工处理剂的总质量为0.05质量％～25质量％，上述氟化铵的含量相对于上述微细加工处理剂的总质量为0.5质量％～40质量％，上述氟化氢的含量与上述氟化铵的含量满足关系式(1)。Y≤‑0.8X+40其中，X表示氟化氢的浓度(质量％)，Y表示氟化铵的浓度(质量％)。
微细加工处理方法

[发明专利]微细加工处理剂以及微细加工处理方法-CN202180075359.3在审
发明人：伊达和哉;中田和;长谷部类;二井启一 -专利权人：斯泰拉化工公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种微细加工处理剂以及微细加工处理方法，其在对至少包含氮化硅膜、氧化硅膜以及硅合金膜的层叠膜进行微细加工时能够选择性地对氧化硅膜进行微细加工。本发明的微细加工处理剂是用于至少包含氧化硅膜、硅氮化膜以及硅合金膜的层叠膜的微细加工的微细加工处理剂，其包含：(a)0.01质量％～50质量％的氟化氢、(b)0.1质量％～40质量％的氟化铵、(c)0.001质量％～10质量％的水溶性聚合物、(d)0.001质量％～1质量％的具有羧基的有机化合物、和(e)作为任意成分的水，水溶性聚合物为选自由丙烯酸、丙烯酸铵、丙烯酰胺、苯乙烯磺酸、苯乙烯磺酸铵和苯乙烯磺酸酯组成的组中的至少一种，选择性地对氧化硅膜进行微细加工。
微细加工处理以及方法

[发明专利]微细加工处理剂、和微细加工处理方法-CN202180002940.2有效
发明人：山崎阳介;堀上健太;伊达和哉;长谷部类;二井启一;西田哲郎 -专利权人：斯泰拉化工公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供对至少具有含硅绝缘膜的被处理物，在抑制微粒的残留的同时能够进行良好的微细加工的微细加工处理剂和微细加工处理方法。本发明的微细加工处理剂是用于对至少具有含硅绝缘膜的被处理物进行微细加工的微细加工处理剂，其特征在于，包含以下的化学式(1)所示的化合物、氟化氢、氟化铵和水，M++(Rf‑SO2)‑N‑‑(SO2‑Rf) (1)(化学式(1)中，Rf表示碳原子数为1～4的全氟烷基，M+表示氢离子或铵离子)上述化合物的含量相对于上述微细加工处理剂的总质量为0.001质量％以上且0.5质量％以下，上述氟化氢的含量相对于上述微细加工处理剂的总质量为0.05质量％以上且25质量％以下，上述氟化铵的含量相对于上述微细加工处理剂的总质量为0.5质量％以上且40质量％以下，上述氟化氢的含量与上述氟化铵的含量满足以下的关系式(1)。Y≤‑0.8X+40 (1)(其中，X表示氟化氢的浓度(质量％)，Y表示氟化铵的浓度(质量％))。
微细加工处理方法

[发明专利]微细加工处理剂以及使用其的微细加工处理方法-CN201080035331.9有效
发明人：宫下雅之;久次米孝信;二井启一;长谷部类;石丸慧 -专利权人：斯泰拉化工公司
申请日： 2010-08-09 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供对硅氮化膜和硅氧化膜的层叠膜可选择性地将硅氧化膜进行微细加工的微细加工处理剂，以及使用其的微细加工处理方法。本发明的微细加工处理剂是用于形成有硅氮化膜和硅氧化膜的被处理物的微细加工的微细加工处理剂，其中包含下述(A)成分或(B)成分中的至少任一方、下述(C)成分和下述(D)成分；下述(A)成分或(B)成分中的至少任一方与(C)成分的含量的合计相对于微细加工处理剂的总量为90重量％以下。(A)成分：0.01重量％～20重量％的氟化氢，(B)成分：0.1重量％～20重量％的氟化铵或氟化季铵盐中的至少任一方，(C)成分：1重量％～80重量％的选自盐酸、硝酸、硫酸和磷酸中的至少任一种酸，(D)成分：水。
微细加工处理以及使用方法

[发明专利]微细加工处理剂及微细加工处理方法-CN200980159339.3有效
发明人：宫下雅之;久次米孝信;二井启一 -专利权人：斯泰拉化工公司
申请日： 2009-05-21 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供微细加工处理剂及微细加工处理方法。本发明提供在对至少层叠有氧化硅膜及氮化硅膜的层叠膜进行微细加工时可选择性地对氧化硅膜进行微细加工的微细加工处理剂及使用该微细加工处理剂的微细加工处理方法。本发明的微细加工处理剂的特征在于，含有(a)0.01～15重量％的氟化氢或者0.1～40重量％的氟化铵中的至少1种、(b)水及(c)0.001～10重量％的选自丙烯酸、丙烯酸铵、丙烯酸酯、丙烯酰胺、苯乙烯磺酸、苯乙烯磺酸铵及苯乙烯磺酸酯中的至少任1种水溶性聚合物。
微细加工处理方法

[发明专利]清洗液和清洗方法-CN200980159163.1无效
发明人：宫下雅之;久次米孝信;二井启一;山本雅士 -专利权人：斯泰拉化工公司
申请日： 2009-05-21 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C11D7/60 文献下载
摘要：本发明提供对于在表面附着有氧化铈的被清洗物，能够使氧化铈溶解为铈离子而清洗除去的清洗液以及使用该清洗液的清洗方法。本发明的清洗液的特征在于，是除去氧化铈的清洗液，含有氟化氢与选自盐酸、硝酸、硫酸、醋酸、磷酸、碘酸及氢溴酸中的至少任一种酸，及水而构成，使上述氧化铈溶解为铈离子而除去。
清洗方法

[发明专利]P-沟道功率MIS场效应晶体管和开关电路-CN200910141534.5有效
发明人：大见忠弘;寺本章伸;赤堀浩史;二井启一;渡边高训 -专利权人：大见忠弘;矢崎总业株式会社
申请日： 2004-05-24 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。
沟道功率 mis 场效应晶体管开关电路

[发明专利]P-沟道功率MIS场效应晶体管和开关电路-CN200910141533.0有效
发明人：大见忠弘;寺本章伸;赤堀浩史;二井启一;渡边高训 -专利权人：大见忠弘;矢崎总业株式会社
申请日： 2004-05-24 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。
沟道功率 mis 场效应晶体管开关电路

[发明专利]微细加工处理剂以及使用其的微细加工处理方法-CN200580043740.2无效
发明人：菊山裕久;脇雅秀;伊藤周德;久次米孝信;二井启一;长谷部类;鹤丸一志;中嶌秀纪 -专利权人：斯泰拉化工公司
申请日： 2005-12-19 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明所涉及的微细加工处理剂，是用于含有钨膜以及硅氧化膜的层叠膜的微细加工的微细加工处理剂，其特征在于，含有氟化氢和硝酸和至少氟化铵以及氯化铵中的任意一种。由此，可以提供能对钨膜以及硅氧化膜的层叠膜，通过控制蚀刻速度进行微细加工处理的微细加工处理剂以及使用其的微细加工处理方法。
微细加工处理以及使用方法

[发明专利]半导体装置的处理液、处理方法及半导体制造装置-CN200580021970.9有效
发明人：大见忠弘;寺本章伸;菊山裕久;二井启一;山本雅士 -专利权人：国立大学法人东北大学;斯特拉化工公司
申请日： 2005-07-11 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体表面的原子洗脱少、能够制成清洁且平坦的半导体表面的处理液、处理方法及半导体制造装置。本发明使用含有醇类或酮类中的至少一种的水溶液，由此能够得到实现从半导体表面的洗脱少的处理及清洁且平坦的表面的处理液、处理方法及半导体制造装置。
半导体装置处理方法制造

[发明专利]电路基板、电路基板的制造方法及具有电路基板的显示装置-CN200580013172.1无效
发明人：大见忠弘;二井启一;铃木辉彦;加藤丈佳 -专利权人：日本瑞翁株式会社;大见忠弘
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：一种电路基板的制造方法，其包括：在绝缘基板上利用旋涂法形成热固性的感光性树脂膜；利用紫外线等的放射线对感光性树脂膜进行曝光并利用显影剂或蚀刻进行显影；将感光性树脂膜加热固化；根据需要进行氧等离子处理或紫外线照射处理，而将该感光性树脂膜干燥来调整树脂膜中的水分量；然后，将其暴露在氟气气氛中并进行退火处理；然后用氢氟酸类药液浸泡树脂膜。
路基制造方法具有显示装置

[发明专利]P－沟道功率MIS场效应晶体管和开关电路-CN200480014594.6有效
发明人：大见忠弘;寺本章伸;赤堀浩史;二井启一;渡边高训 -专利权人：大见忠弘;矢崎总业株式会社
申请日： 2004-05-24 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P－沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极－至－源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。
沟道功率 mis 场效应晶体管开关电路

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200310117790.3无效
发明人：大见忠弘;须川成利;寺本章伸;赤堀浩史;二井启一 -专利权人：大见忠弘
申请日： 2003-12-02 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：在一种形成在具有主(110)结晶平面取向的硅表面上的半导体器件中，使硅表面平整，使得表面算术平均差Ra不大于0.15nm，优选地，不大于0.09nm，实现制造高迁移率的n－MOS晶体管。通过重复在氧基气氛中自牺牲氧化物膜的淀积工艺和自牺牲氧化物膜的去除工艺、或通过在脱气的H₂O或低OH浓度气氛中清洗硅表面，或用氢或重氢使硅表面完全终结(terminating)，可以取得这种平整的硅表面。用各向同性氧化可以实现自牺牲氧化物膜的淀积处理。
半导体器件及其制造方法

1
共 15 条