“丹沢彻”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果18个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有通过控制栅极的连接件的存储器阵列-CN201810153706.X有效
发明人： 丹沢彻;村越有;迪帕克·蒂梅高达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本申请涉及具有通过控制栅极的连接件的存储器阵列。一些实施例包含设备及方法，其具有：衬底；存储器单元串，其包含主体；选择栅极，其位于所述设备的一层级中且沿所述主体的一部分而定位；及控制栅极，其位于所述设备的其它层级中且沿所述主体的其它相应部分而定位。此类设备中的至少一者包含将所述选择栅极或所述控制栅极中的一者耦合到所述衬底中的组件(例如晶体管)的导电连接件。所述连接件可包含通过所述控制栅极中的至少一者的一部分的一部分。
具有通过控制栅极连接存储器阵列

[发明专利]包含在存储器单元中建立负本体电位的设备及方法-CN201780000908.4有效
发明人：作井浩司;M·霍斯;丹沢彻;J·宾福特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：设备及操作此种设备的方法包含在对存储器单元起始感测操作之前、响应于计时器或在另一存储器单元的存取操作期间，在所述存储器单元的本体中建立负电位。
包含存储器单元建立本体电位设备方法

[发明专利]操作具有抹除去偏压的存储器的设备及方法-CN201780000915.4有效
发明人： 丹沢彻 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：操作存储器的方法包含：在抹除操作期间，分别在分别形成一串串联连接存储器单元中的第一群组的存储器单元及第二群组的存储器单元的沟道区域的第一半导体材料及第二半导体材料中形成第一电压电平及第二电压电平，同时将第三电压电平施加于所述第一群组的存储器单元的控制栅极且将第四电压电平施加于所述第二群组的存储器单元的控制栅极。设备包含一串串联连接存储器单元的不同群组的存储器单元及控制器，不同群组的存储器单元邻接具有第一导电类型的半导体材料的相应部分且由具有第二导电类型的半导体材料的部分与具有所述第一导电类型的所述半导体材料的邻接部分分离，所述控制器经配置以在抹除操作期间将相应且不同电压电平施加于相应不同群组的存储器单元中的存储器单元的控制栅极。
操作具有除去偏压存储器设备方法

[发明专利]三维存储器的互连-CN201710992157.0有效
发明人： 丹沢彻 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明提供用于三维存储器的互连的设备及方法。一种实例设备可包含材料堆叠，所述材料堆叠包含多个材料对，每一材料对包含形成于绝缘材料上方的导电线。所述材料堆叠具有形成于在第一方向上延伸的一个边缘处的阶梯结构。每一阶梯包含所述材料对中的一者。第一互连耦合到阶梯的所述导电线，所述第一互连在实质上垂直于所述阶梯的第一表面的第二方向上延伸。
三维存储器互连

[发明专利]分段式存储器及操作-CN201710714174.8有效
发明人： 丹沢彻;赵涵 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G11C8/14 文献下载
摘要：本申请案涉及分段式存储器及操作。揭示具有串联连接的存储器单元的多个串的设备及其操作方法，其中所述多个串中的每一串通过对应相应第一选择栅极选择性地连接到共同数据线，且通过对应相应第二选择栅极选择性地连接到共同源极。第一存取线耦合到所述多个串中的每一串的第一位置的相应存储器单元。第二存取线耦合到所述多个串的第一子集中的每一串的第二位置的相应存储器单元，且第三存取线耦合到所述多个串的第二子集中的每一串的所述第二位置的相应存储器单元。
段式存储器操作

[发明专利]用于在存储器存取操作期间同时存取存储器的多个存储器平面的设备及方法-CN201680012667.0有效
发明人： S·R·拉杰瓦德;P·卡拉瓦德;丹沢彻 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本文中揭示用于对多个存储器平面执行同时存储器存取操作的设备及方法。实例方法可包含接收分别与存储器的第一平面及第二平面相关联的第一命令及地址对以及第二命令及地址对。所述方法可进一步包含响应于接收所述第一及第二命令及地址对，基于从所述第一及第二命令及地址对确定的第一及第二页类型，提供第一读取电压及第二读取电压。所述方法可进一步包含配置第一GAL解码器电路以在第一GAL总线中的每一GAL上提供所述第一读取电压或通过电压中的一个。所述方法可进一步包含配置第二GAL解码器电路以在耦合到所述第二存储器平面的第二GAL总线中的每一GAL上提供第二读取电平电压信号或通过电压信号中的一个。
用于存储器存取操作期间同时平面设备方法

[发明专利]包含启用电路的装置及系统-CN201710190131.4有效
发明人： 丹沢彻;阿里·法伊兹·扎尔林·加莱姆 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请涉及包含启用电路的装置及系统。本发明描述包含启用电路的装置及系统的实例。可使用两个电压供应来操作所述装置的不同部分，包含外围电路及I/O电路。当停用到一个或一个以上装置的所述外围电路的所述电压供应时，可停用所述装置的所述I/O电路。在一些实例中，可部分地通过消除或减少穿过所述I/O电路的DC电流路径来有利地节省电力。
包含启用电路装置系统

[发明专利]具有多个层叠的半导体设备及方法-CN201710001454.4有效
发明人： 丹沢彻 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G11C8/10 文献下载
摘要：本发明涉及具有多个层叠的半导体设备及方法。本发明揭示设备及方法，包含一种设备，所述设备包含第一半导体材料的若干个层叠，每一层叠包含至少一个存储器单元的至少一个存取线及至少一个外围晶体管的至少一个源极、沟道及/或漏极，所述至少一个外围晶体管例如为在存取线解码器电路或数据线多路复用电路中使用的外围晶体管。所述设备还可包含延伸穿过所述第一半导体材料的所述层叠的第二半导体材料的若干个柱，每一柱包含所述存储器单元中的至少一者的源极、沟道及/或漏极或者所述外围晶体管中的至少一者的栅极。还连同其它实施例一起描述了形成此设备的方法。
具有层叠半导体设备方法

[发明专利]包含具有邻近于源极边缘的源极触点的存储器阵列的设备-CN201910498552.2在审
发明人： 丹沢彻 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明涉及包含具有邻近于源极边缘的源极触点的存储器阵列的设备。本文中描述包含三维3D存储器装置的各种设备及包含3D存储器装置的系统。在一个实施例中，3D存储器装置可包含：至少两个源极；至少两个存储器阵列，其分别形成于所述至少两个源极上方且耦合到所述至少两个源极；及源极导体，其使用邻近于所述源极的一或多个边缘的源极触点分别电耦合到所述至少两个源极。所述至少两个存储器阵列中的每一者可包含存储器单元、控制栅极及数据线。在源极的边缘与邻近于所述边缘的所述源极触点之间不存在数据线。
源极存储器阵列源极触点存储器装置邻近源极边缘数据线存储器单元控制栅极源极导体电耦合耦合到三维

[发明专利]在存储器操作中控制主体电势的设备及方法-CN201380070621.0有效
发明人：赵涵;合田晃;克里希纳·K·帕拉;奥雷柳·贾恩卡洛·毛里;刘海涛;丹沢彻;山田重和;作井浩司 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一些实施例包含设备及方法，所述设备具有包含位于所述设备的不同层级中的存储器单元的存储器单元串及耦合到所述存储器单元串的数据线。所述存储器单元串包含与所述存储器单元相关联的柱状主体。此类设备中的至少一者可包含模块，所述模块经配置以将信息存储于多个存储器单元中的一者中，及/或确定存储于多个存储器单元中的一存储器单元中的信息的值。所述模块还可经配置以将具有正值的电压施加到所述数据线及/或源极，以控制所述主体的电势。本发明描述其它实施例。
存储器操作控制主体电势设备方法

[发明专利]包含具有邻近于源极边缘的源极触点的存储器阵列的设备-CN201580019493.6有效
发明人： 丹沢彻 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：本文中描述包含三维3D存储器装置的各种设备及包含3D存储器装置的系统。在一个实施例中，3D存储器装置可包含：至少两个源极；至少两个存储器阵列，其分别形成于所述至少两个源极上方且耦合到所述至少两个源极；及源极导体，其使用邻近于所述源极的一或多个边缘的源极触点分别电耦合到所述至少两个源极。所述至少两个存储器阵列中的每一者可包含存储器单元、控制栅极及数据线。在源极的边缘与邻近于所述边缘的所述源极触点之间不存在数据线。
包含具有邻近边缘触点存储器阵列设备

[发明专利]具有通过控制栅极的连接件的存储器阵列-CN201380049490.8有效
发明人： 丹沢彻;村越有;迪帕克·蒂梅高达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：一些实施例包含设备及方法，其具有衬底；存储器单元串，其包含主体；选择栅极，其位于所述设备的一层级中且沿所述主体的一部分而定位；及控制栅极，其位于所述设备的其它层级中且沿所述主体的其它相应部分而定位。此类设备中的至少一者包含将所述选择栅极或所述控制栅极中的一者耦合到所述衬底中的组件(例如晶体管)的导电连接件。所述连接件可包含通过所述控制栅极中的至少一者的一部分的一部分。
具有通过控制栅极连接存储器阵列

[发明专利]三维存储器的互连-CN201480009609.3有效
发明人： 丹沢彻 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供用于三维存储器的互连的设备及方法。一种实例设备可包含材料堆叠，所述材料堆叠包含多个材料对，每一材料对包含形成于绝缘材料上方的导电线。所述材料堆叠具有形成于在第一方向上延伸的一个边缘处的阶梯结构。每一阶梯包含所述材料对中的一者。第一互连耦合到阶梯的所述导电线，所述第一互连在实质上垂直于所述阶梯的第一表面的第二方向上延伸。
三维存储器互连

[发明专利]在存储器中共享支持电路-CN201480028683.X有效
发明人： 丹沢彻 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明揭示一种存储器装置、系统及用于操作存储器装置的方法。在一个此类存储器装置中，所述存储器装置包括多个存储器单元串。多个漏极选择装置耦合到每一存储器单元串。上漏极选择装置与其它存储器单元串的一或多个上漏极选择装置共享共同支持电路(举例来说，选择/取消选择晶体管)。也可在多个存储器单元串之间共享下漏极选择装置的支持电路(举例来说，选择/取消选择晶体管)。
存储器共享支持电路

[发明专利]具有节能读取架构的存储器阵列-CN201380054662.0有效
发明人： 丹沢彻 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：各个实施例包括包含三维存储器装置的装置及方法，所述三维存储器装置具有上串及下串。所述上串可包含经布置实质上平行于且相邻于彼此的第一串存储器单元及第二串存储器单元。所述下串可包含经布置实质上平行于且相邻于彼此的第三串存储器单元及第四串存储器单元。所述串可各自具有耦合到其的单独的感测放大器。所述第一串与所述第三串及所述第二串与所述第四串可经配置以在读取操作期间分别与彼此串联耦合。还描述了额外装置及方法。
具有节能读取架构存储器阵列

1
2
下一页»
尾页
共 18 条