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- [发明专利]芯片型电子部件-CN202110051473.4有效
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藤田幸宏;神部昌吾;中野公介;大塚英树
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株式会社村田制作所
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2017-11-30
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2022-10-21
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H01G4/002
- 本发明提供一种芯片型电子部件，具备：芯片型的部件主体，具有：对置的第一主面和成为安装面的第二主面；以及将第一和第二主面间连结并且分别对置的第一和第二侧面以及第一和第二端面；至少两个外部电极；以及至少两个间隔件，与各外部电极电连接，且至少一部分沿着安装面设置，各外部电极形成在第一以及第二端面上，并形成为从各端面延伸至第一以及第二主面的各一部分和第一以及第二侧面的各一部分，各间隔件沿着安装面设置，具有与各外部电极相接的部分和与主面相接的部分，在安装面上，间隔件具有在相对于该安装面垂直的方向上测定的给定的厚度方向尺寸，且含有从Cu、Ni以及Sn中选择的金属。
- 芯片电子部件
- [发明专利]芯片型电子部件-CN202110051475.3在审
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藤田幸宏;神部昌吾;中野公介;大塚英树
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株式会社村田制作所
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2017-11-30
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2021-06-04
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H01G2/06
- 本发明提供一种芯片型电子部件，具备：芯片型的部件主体，具有：对置的第一主面和成为安装面的第二主面；以及将第一和第二主面间连结并且分别对置的第一和第二侧面以及第一和第二端面；至少两个外部电极；以及至少两个间隔件，与各外部电极电连接，且至少一部分沿着安装面设置，各外部电极形成在第一以及第二端面上，并形成为从各端面延伸至第一以及第二主面的各一部分和第一以及第二侧面的各一部分，各间隔件沿着安装面设置，具有与各外部电极相接的部分和与主面相接的部分，在安装面上，间隔件具有在相对于该安装面垂直的方向上测定的给定的厚度方向尺寸，且含有包含从Cu以及Ni中选择的至少一种金属和Sn的金属间化合物。
- 芯片电子部件
- [发明专利]电子部件模块-CN201380031145.1有效
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中越英雄;高木阳一;小川伸明;高冈英清;中野公介;镰田明彦;水白雅章
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株式会社村田制作所
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2013-05-07
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2017-11-24
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H01L23/12
- 本发明的电子部件模块中，经由接合部将布线基板上的导电焊盘与柱状的连接端子构件相接合，并且在布线基板上形成有封装连接端子构件的树脂层，所述电子部件模块能够抑制构成接合部的接合材料在将该电子部件模块安装到安装用基板上时所实施的回流工序中流出。预先在连接端子构件(6)的露出侧的端面(9)上形成由Cu‑M类合金(M为Ni及/或Mn)构成的电镀层(15)，其中，该Cu‑M类合金能够与构成接合部(10)的接合材料中所含的Sn类低熔点金属生成金属间化合物，并且该Cu‑M类合金与该金属间化合物的晶格常数差在50％以上。即使在回流工序中接合材料再次熔融并朝向外部流出，该接合材料也会与Cu‑M类电镀层(15)接触而形成由金属间化合物构成的高熔点合金体(27)，从而将连接端子构件(6)与树脂层(11)的界面封堵。
- 电子部件模块
- [发明专利]导电性材料、使用它的连接方法和连接结构-CN201180048991.5有效
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中野公介;高冈英清
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株式会社村田制作所
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2011-03-01
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2016-10-12
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B23K35/22
- 本发明提供例如作为焊油使用时，焊接工序中的第1金属和第2金属的扩散性良好，以低温且短时间生成熔点高的金属间化合物，在焊接后几乎不残留第1金属，耐热强度优异的导电性材料和使用它的连接可靠性高的连接方法及连接构造。上述导电性材料为具备下述要素的构成，即，含有由第1金属和熔点比第1金属高的第2金属构成的金属成分，第1金属为Sn或含有70重量%以上的Sn的合金，第2金属为与第1金属生成显示310℃以上的熔点的金属间化合物的、且与在第2金属的周围生成的金属间化合物的晶格常数差为50%以上的金属或合金。另外，使第2金属在金属成分中所占的比例为30体积%以上。作为第2金属，使用Cu‑Mn合金或Cu‑Ni合金。
- 导电性材料使用连接方法结构
- [发明专利]电子部件-CN201380012399.9有效
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高冈英清;中野公介;太田裕;川崎健一
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株式会社村田制作所
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2013-02-12
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2014-11-12
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H01G4/232
- 本发明旨在提供一种在进行焊接安装时能在不发生焊料爆裂的情况下实施可靠性高的焊接安装的电子部件，进一步提供一种在进行焊接安装时不会出现须晶且高温下的接合强度优异的电子部件。在包括电子部件主体(陶瓷层叠体)1和形成在电子部件主体1的表面上的外部电极5的电子部件A1中，外部电极具有选自Cu-Ni合金层和Cu-Mn合金层中的至少一种合金层10和形成在合金层10外侧的含有Sn的含Sn层20。将含Sn层形成在外部电极的最外层。将含Sn层形成为与合金层接触。含Sn层为镀层。合金层为镀层。合金层为厚膜电极。
- 电子部件
- [发明专利]导电性材料、使用该导电性材料的连接方法和连接结构物-CN201280044706.7无效
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中野公介;高冈英清
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株式会社村田制作所
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2012-07-26
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2014-05-14
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B23K35/14
- 本发明提供一种导电性材料及使用该导电性材料的连接可靠性高的连接方法和连接结构物。所述导电性材料在用作例如焊膏时，焊接工序中的第1金属和第2金属的扩散性良好，低温下短时间内生成高熔点的金属间化合物，焊接后基本上无第1金属残留，耐热强度优异。上述导电性材料具备以下要素：含有由第1金属和熔点高于该第1金属的第2金属构成的金属成分，第1金属为Sn或含有Sn的合金，第2金属为会与第1金属生成显示310℃以上的熔点的金属间化合物的Cu-Cr合金。作为第1金属，可以使用Sn单质或含有选自Cu、Ni、Ag、Au、Sb、Zn、Bi、In、Ge、Al、Co、Mn、Fe、Cr、Mg、Mn、Pd、Si、Sr、Te、P中的至少1种和Sn的合金。
- 导电性材料使用连接方法结构
- [发明专利]导电性材料、使用该导电性材料的连接方法和连接结构物-CN201280044701.4无效
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中野公介;高冈英清
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株式会社村田制作所
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2012-07-26
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2014-05-14
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C22C13/00
- 本发明提供一种导电性材料及使用该导电性材料的连接可靠性高的连接方法和连接结构物。所述导电性材料作为例如焊膏使用时，焊接工序中的第1金属和第2金属的扩散性良好，在低温且短时间内生成高熔点的金属间化合物，焊接后几乎不残留第1金属，耐热强度优异。上述导电性材料的构成具备以下要素：含有由第1金属和熔点高于该第1金属的第2金属构成的金属成分，第1金属为Sn或含有Sn的合金，第2金属为会与第1金属生成显示310℃以上的熔点的金属间化合物的Cu-Al合金。作为第1金属，可以使用Sn单质或含有选自Cu、Ni、Ag、Au、Sb、Zn、Bi、In、Ge、Al、Co、Mn、Fe、Cr、Mg、Mn、Pd、Si、Sr、Te、P中的至少1种和Sn的合金。
- 导电性材料使用连接方法结构
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