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[发明专利]树脂多层基板-CN201810261252.8有效
发明人： 钓贺大介 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种树脂多层基板，包括含有热塑性树脂的热塑性的树脂层和内置的电子部件，其中，在电子部件的一个主面上的至少一部分形成由与树脂层中含有的热塑性树脂相同的热塑性树脂构成的粘接层，使得不覆盖形成于树脂层的过孔导体，电子部件的一个主面是电子部件的与形成有外部电极的面相反一侧的面。由此，在内置有电子部件的树脂多层基板中，能够充分防止电子部件的位置偏移，并且抑制特性劣化。
树脂多层

[发明专利]元器件内置基板的制造方法及元器件内置基板-CN201480019455.6有效
发明人：若林祐贵;多胡茂;钓贺大介;川田雅树 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明的元器件内置基板(10)在层叠具有可挠性的树脂片材(201～205)而成的层叠体内，设有将树脂片材(203)、(204)贯通的贯通孔(231)、(241)。空腔内配置有具备外部电极(31)、(32)的贴片型电子元器件(30)。装载有贴片型电子元器件(30)的树脂片材(202)设有填充有导电性糊料(521P)、(522P)的贯通孔。此外，树脂片材(203)设有与贯通孔(231)连通，且夹着贯通孔(231)而相离配置的缺口部(2321)、(2322)。在对该层叠体进行加热冲压的情况下，导电性糊料(521P)、(522P)从贯通孔溢出，这些溢出的导电性糊料(521P)、(522P)进入缺口部(2321)、(2322)。
贯通孔树脂片材导电性糊料元器件内置基板电子元器件缺口部贴片溢出外部电极冲压层叠体可挠性配置的元器件空腔内置相离加热填充连通装载体内贯通配置制造

[发明专利]部件一体型片的制造方法、内置有电子部件的树脂多层基板的制造方法、以及树脂多层基板-CN201480031588.5有效
发明人： 钓贺大介 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明适用在内置有电子部件的树脂多层基板中，能够充分防止电子部件的位置偏移，并且抑制特性劣化的部件一体型片的制造方法、以及内置有电子部件的树脂多层基板的制造方法。本发明涉及一种部件一体型片的制造方法，所述部件一体型片通过使电子部件与包含热塑性树脂的热塑性的树脂片一体化而成，所述部件一体型片的制造方法包括涂布工序，在所述电子部件的一个主面上的至少一部分、或者所述树脂片的一个主面上的与所述电子部件粘接的部分的至少一部分涂布包含热塑性树脂的糊剂，所述糊剂的热塑性树脂与所述树脂片中所含有的热塑性树脂相同；搭载工序，借助所述糊剂将所述电子部件搭载在所述树脂片上；以及干燥工序，使所述糊剂干燥。
部件体型制造方法内置电子树脂多层以及

[其他]部件内置基板-CN201590000925.4有效
发明人：多胡茂;钓贺大介 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：减少部件内置基板中的基板内的传输损耗。部件内置基板(10)具备热塑性树脂基材(111‑116)；被配置于热塑性树脂基材(112)并设置有端子(211)的电子部件(21)；和被配置于热塑性树脂基材(115)并设置有端子(221)的电子部件(22)。电子部件(21)在层叠方向上将端子(211)朝向电子部件(22)侧而被配置。电子部件(22)在层叠方向上将端子(221)朝向电子部件(21)侧而被配置。热塑性树脂基材(113)形成有端子(211)通过超声波接合来直接接合的平面导体(331)。热塑性树脂基材(114)形成有端子(221)直接接合并与平面导体(331)导通的层间连接导体(441)。
部件内置

[发明专利]接合方法、接合结构体及其制造方法-CN201380012349.0无效
发明人：中野公介;关本裕之;高冈英清;钓贺大介 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： B23K1/19 文献下载
摘要：本发明提供能得到无空隙、致密且耐热性高、可靠性优异的接合部的接合方法和接合部的可靠性高的接合结构体。在将第1接合对象物和第2接合对象物接合时，第1接合对象物具有由Sn或含Sn合金构成的第1金属，第2接合对象物具有由含有选自Ni、Mn、Al及Cr中的至少一种和Cu的合金构成的第2金属，并且在第1接合对象物和第2接合对象物接触的状态下进行热处理，在两者的界面上生成金属间化合物，由此将第1接合对象物和第2接合对象物接合。作为第1金属，使用含Sn 70重量％以上的合金。作为第1金属，使用含Sn 85重量％以上的合金。
接合方法结构及其制造