专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]慢化准直器-CN202320036346.1有效
  • 请求不公布姓名 - 中科超睿(青岛)技术有限公司
  • 2023-01-06 - 2023-09-15 - G21K1/02
  • 本申请涉及中子成像技术领域,具体提供一种慢化准直器,旨在解决现有慢化准直器难以对中子发生器产生的中子进行充分收集的问题。为此目的,本申请的慢化准直器包括:准直器主体,所述准直器主体上沿着中子发射方向依次开设有中子入射孔和中子出射孔,所述中子入射孔的孔径和所述中子出射孔的孔径朝向彼此的连接处逐渐减小,且所述中子入射孔的内壁面为半球形。本申请提供的慢化准直器的中子入射孔能够容纳更多的热中子,从而能充分收集从中子源发射口发射的中子,提高热中子束流的强度。
  • 慢化准直器
  • [实用新型]车载检测设备及车辆-CN202320036614.X有效
  • 请求不公布姓名 - 中科超睿(青岛)技术有限公司
  • 2023-01-06 - 2023-09-15 - G01N23/05
  • 本申请涉及射线检测仪的技术领域,具体提供一种车载检测设备及车辆,旨在解决如何在车载环境的有限尺寸范围内实现样品抓取并自动循环检测的问题。为此目的,本申请的车载检测设备包括:车厢;屏蔽室,其设置于车厢内,屏蔽室的侧表面设置有屏蔽门;射线检测装置,其设置于屏蔽室内,用于检测样品;机械臂,车厢内设置有第一导轨,机械臂滑动设置于第一导轨上;以及支撑台,其设置于车厢的一侧,支撑台上设置有第二导轨,支撑台由第一状态转换至第二状态时,第二导轨能够与第一导轨接合,以使机械臂能够沿第一导轨和第二导轨移动至车厢外。本申请的车载检测设备在满足辐射防护要求的前提下,能够实现自动循环检测,从而提升了检测效率。
  • 车载检测设备车辆
  • [实用新型]成像屏蔽系统、成像装置及中子照相设备-CN202320036347.6有效
  • 请求不公布姓名 - 中科超睿(青岛)技术有限公司
  • 2023-01-06 - 2023-09-15 - G01N23/05
  • 本申请涉及中子成像技术领域,具体提供一种成像屏蔽系统、成像装置及中子照相设备,旨在解决如何在满足屏蔽要求的前提下,实现屏蔽系统与中子发生器和准直器对接的问题。为此目的,本申请的成像屏蔽系统包括:第一底座,所述第一底座上设置有导轨;屏蔽室,其设置于所述导轨上,能够沿所述导轨横向往复移动,所述屏蔽室具有供成像单元接入的安装接口;以及竖向调节机构,其连接于所述第一底座背离所述屏蔽室的表面,用于调节所述第一底座的高度。本申请能够屏蔽中子源产生的中子以及次生的光子,保护CCD相机芯片不受损伤、降低产生的噪声、提高成像质量,同时可根据慢化准直系统内准直器的具体位置精准调整屏蔽室的位置。
  • 成像屏蔽系统装置中子照相设备
  • [实用新型]双路高压馈入装置及中子源-CN202320036613.5有效
  • 请求不公布姓名 - 中科超睿(青岛)技术有限公司
  • 2023-01-06 - 2023-09-15 - H05H7/02
  • 本申请涉及中子无损检测技术领域,具体提供一种双路高压馈入装置及中子源,旨在解决现有中子源的高压馈入结构密封性和安全性差的问题。为此目的,本申请的双路高压馈入装置包括:馈入筒,其包括筒体、底板以及顶板;第一绝缘管和第二绝缘管,其一端位于筒体内,另一端穿过底板,第一绝缘管内穿设有第一导杆,第二绝缘管内穿设有第二导杆;第三绝缘管和第四绝缘管,其一端位于筒体内,另一端穿过顶板,第三绝缘管内穿设有第三导杆,第四绝缘管内穿设有第四导杆;以及第一连接件和第二连接件,第一连接件连接第一导杆和第三导杆,第二连接件连接和第四导杆。本申请不仅解决了高压线缆与中子源壳体之间的密封问题,而且还有效避免了高压打火的现象。
  • 高压装置中子源
  • [发明专利]中子照相方法和系统-CN202310490757.2在审
  • 请求不公布姓名 - 中科超睿(青岛)技术有限公司
  • 2023-04-28 - 2023-08-08 - G01N23/05
  • 本发明提供一种中子照相方法和系统。中子照相方法包括获取以中子照相得到的待校正图像和中子照相期间的中子注量率,其中待校正图像至少两张,中子注量率与待校正图像一一对应;根据中子注量率,对待校正图像进行归一化处理。中子照相系统包括中子源、图像采集装置和至少一个注量率测量仪。中子源配置成在束流空间内释放中子束;图像采集装置配置成采集中子并生成待校正图像;注量率测量仪设置在中子源和图像采集装置之间,用于测量中子束的中子注量率。本发明提供的中子照相方法和系统,通过获取中子注量率,对待校正图像进行归一化修正处理,降低由于中子源强的波动造成的图像数据失真的问题,达到提高中子照相的图像质量的效果。
  • 中子照相方法系统
  • [发明专利]一种基于深度学习的多模态图像配准方法-CN202310493973.2在审
  • 请求不公布姓名 - 中科超睿(青岛)技术有限公司
  • 2023-04-28 - 2023-08-01 - G06T7/33
  • 本发明涉及图像配准技术领域,具体涉及了一种基于深度学习的多模态图像配准方法,包括:获取两组不同模态的初始图像,以及获取预训练卷积神经网络模型;对所述初始图像进行预处理,并将所述预处理后的两组所述初始图像分别作为固定图像和浮动图像,其中所述预处理包括去噪处理;将所述固定图像和所述浮动图像输入所述预训练卷积神经网络模型,以得到所述固定图像和所述浮动图像之间的形变场和变换参数;根据所述形变场和所述变换参数,对所述浮动图像进行空间变换,以得到配准结果。本发明所提供的技术方案,能够提高配准结果的准确性。
  • 一种基于深度学习多模态图像方法
  • [实用新型]中子源-CN202320036615.4有效
  • 请求不公布姓名 - 中科超睿(青岛)技术有限公司
  • 2023-01-06 - 2023-07-25 - G21G4/02
  • 本申请涉及中子发生器技术领域,具体提供一种中子源,旨在解决现有中子源的离子束流打靶过程中二次电子轰击真空室壁造成高压打火的问题。为此目的,本申请的中子源包括:壳体,其内部形成有真空腔室;离子源,其设置于壳体上,用于产生离子束流,离子源的发射口位于真空腔室内;靶电极和连接于靶电极的靶,其均设置于真空腔室内;挡板,其设置于靶电极远离离子源的端部,以阻挡离子束流轰击靶时产生的二次电子向真空腔室内溅射;以及电源模块,其与靶电极电连接,用于向靶电极提供高压电,以使离子束流在电场作用下轰击靶,从而产生中子。本申请的挡板与抑制电极形成一个接近封闭的腔室,能有效避免二次电子向真空腔室的后壁溅射。
  • 中子源
  • [实用新型]单路高压馈入装置及中子源-CN202320036340.4有效
  • 请求不公布姓名 - 中科超睿(青岛)技术有限公司
  • 2023-01-06 - 2023-07-25 - H05H7/02
  • 本申请涉及中子无损检测技术,具体提供一种单路高压馈入装置及中子源,旨在解决现有中子源的高压馈入结构密封性和安全性差的问题。为此目的,本申请的单路高压馈入装置包括:馈入筒,其包括筒体、底板以及顶板,馈入筒内填充有绝缘介质;第一绝缘管和第二绝缘管,其一端位于筒体内,另一端穿过底板,第一绝缘管内穿设有第一导杆,第二绝缘管内穿设有第二导杆;第三绝缘管,其一端位于筒体内,另一端穿过顶板,第三绝缘管内穿设有第三导杆;第一连接件,其一端连接第一导杆,另一端连接第三导杆;以及分压电阻,其一端与第一连接件电连接,另一端与第二导杆电连接。本申请的装置不仅能通过单个电源提供两路不同的电压,而且还能有效避免高压打火。
  • 高压装置中子源
  • [发明专利]中子源屏蔽系统及中子照相设备-CN202310017194.5在审
  • 请求不公布姓名 - 中科超睿(青岛)技术有限公司
  • 2023-01-06 - 2023-05-02 - G21F5/015
  • 本申请涉及中子无损检测技术领域,具体提供一种中子源屏蔽系统及中子照相设备,旨在解决现有中子照相设备因中子源发射的中子向四周散射而影响成像结果的问题。为此目的,本申请的中子源屏蔽系统包括:导轨;底板,其固定设置于导轨上;前屏蔽墙,其设置于导轨上,且与底板抵接,前屏蔽墙内嵌设有准直器;以及后屏蔽罩,其滑动设置于导轨上,后屏蔽罩具有对应于前屏蔽墙的第一开口以及对应于底板的第二开口,当后屏蔽罩朝向前屏蔽墙移动并与前屏蔽墙抵接时,前屏蔽墙封闭第一开口,底板封闭第二开口,以使后屏蔽罩、前屏蔽墙以及底板形成用于容纳中子源的封闭腔室。本申请在实现中子屏蔽效果的同时,使得设备的检修或部件的更换更为方便。
  • 中子源屏蔽系统中子照相设备
  • [发明专利]慢化准直系统及中子照相设备-CN202310017192.6在审
  • 请求不公布姓名 - 中科超睿(青岛)技术有限公司
  • 2023-01-06 - 2023-05-02 - G21K1/02
  • 本申请涉及中子照相技术领域,具体提供一种慢化准直系统及中子照相设备,旨在解决现有中子照相设备的各个慢化准直通道内中子通量密度分布不均的问题。为此目的,本申请的慢化准直系统包括:慢化体,其为高散射材质,所述慢化体内开设有中子入射通道、中间腔室以及多个准直通道,所述中间腔室位于所述中子入射通道和每个所述准直通道之间,以使中子束流能够沿所述中子入射通道进入所述中间腔室,并从所述准直通道排出;以及多个准直器,所述准直器的数量与所述准直通道的数量相同,每个所述准直器分别设置于一个所述准直通道内。本申请提高了各侧方准直器内的中子通量密度,使各个准直器内的中子通量密度更均匀,进而保证了成像系统的成像质量。
  • 慢化系统中子照相设备
  • [发明专利]负高压中子源-CN202310021792.X在审
  • 请求不公布姓名 - 中科超睿(青岛)技术有限公司
  • 2023-01-06 - 2023-04-25 - H05H3/06
  • 本申请涉及中子发生器技术领域,具体提供一种负高压中子源,旨在解决现有中子源的靶系统支撑结构影响中子通量的问题。为此目的,本申请的负高压中子源包括:壳体,其内部形成有真空腔室;离子源,其设置于壳体上,用于产生离子束流,离子源的发射口位于真空腔室内;靶电极和连接于靶电极的靶,其均设置于真空腔室内;第一绝缘柱,其具有相对的第一端和第二端,第一端与壳体的内壁相连,第二端与靶电极相连,以支撑靶电极;以及电源模块,其与靶电极电连接,用于向靶电极提供负高压,以使离子束流在电场作用下轰击靶,从而产生中子。本申请减小了靶系统后端方向上的阻挡结构的体积,从而能降低绝缘材料对中子的慢化和散射作用。
  • 高压中子源

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