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[发明专利]一种基于金属应力层及亲水剂处理的外延片整面剥离方法-CN201510799470.3在审
发明人：毛明明;张杨;杨翠柏;黄鸿;韦瑞强;马涤非 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属应力层及亲水剂处理的外延片整面剥离方法，该方法主要是利用AlAs在HF酸中高的腐蚀选择比特性，引入预设厚度的金属应力层，在金属应力层的作用下，外延片上的外延结构将向上卷曲，从而能够将外延结构和外延片的衬底及时分离，使得腐蚀液能及时补充待反应区，同时引入亲水剂，以有效降低接触面的表面张力，减小接触角，使反应产生的汽泡能及时排走，进而推进反应的进行，此外，利用电子束蒸发设备的高均匀性及可重复性，能够大批量同时制备金属应力层，而后批量进行衬底去除，且衬底可回收利用。通过本发明方法，能得到完整的剥离下来的衬底，以及完整的剥离下来的外延结构。
一种基于金属应力水剂处理外延片整面剥离方法

[发明专利]一种能防止MOCVD反应过程中晶圆片翘曲的结构-CN201510799227.1在审
发明人：刘向平;杨翠柏;张杨;方聪;张露;靳恺;王雷 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种能防止MOCVD反应过程中晶圆片翘曲的结构，包括反应腔室、托盘、钼旋转盘、磁流体轴；托盘顶面上设有多个均布的平整凹坑，其内形成有第一抽真空通道，凹坑设有多条均布的第一长条形槽，每条第一长条形槽与相应凹坑的第一抽真空通道连通，托盘底面中心设有一盲孔，及连通盲孔的多条第二长条形槽，一条第二长条形槽与一条第一抽真空通道连通；钼旋转盘内形成有与盲孔连通的第二抽真空通道；磁流体轴与钼旋转盘连接，并装配上磁流体，磁流体连接有与外界抽真空装置相连的密封罩，磁流体轴一端穿过磁流体后伸进密封罩内，其内形成有与第二抽真空通道连通的第三抽真空通道。本发明有效避免大尺寸晶圆片因自身太薄及尺寸较大引发的翘曲问题。
一种防止 mocvd 反应过程中晶圆片翘曲结构

[发明专利]一种用于调节外延片测温仪探头位置的无级可调装置-CN201510799241.1在审
发明人：刘向平;杨翠柏;方聪;张杨;张露;靳恺;王雷 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： G01K1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于调节外延片测温仪探头位置的无级可调装置，包括探测口法兰盖、探头安装座、探头调节架、探头调节螺杆、螺杆安装板，探测口法兰盖装在MOCVD反应腔室顶部，探测口法兰盖上开有观察窗，探头安装座滑动安装在探测口法兰盖上，可在观察窗的长度方向上自由滑动，测温仪探头垂直装在探头安装座上，探头调节架上贯通有带内螺纹的通孔，通孔上的内螺纹与探头调节螺杆相适配，探头调节架与探头安装座固定相连，螺杆安装板竖直装在探测口法兰盖上，探头调节螺杆的一端横穿螺杆安装板后伸进探头调节架的通孔中，与探头调节架构成螺母丝杆机构。本发明能有效实现对测温仪安装位置的无级精确调节。
一种用于调节外延测温探头位置无级可调装置

[发明专利]一种Si基GaN Bi-HEMT芯片及其制备方法-CN201510822308.9在审
发明人：张露;杨翠柏;王青;张杨;吴波;张小宾;毛明明 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2015-11-23 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si基GaN Bi-HEMT芯片及其制备方法，该芯片包括Si衬底、SiC外延层、GaN外延层、金属电极；所述SiC外延层位于Si衬底之上，GaN外延层位于SiC外延层之上，金属电极位于GaN外延层之上；所述GaN外延层可为GaN、AlN、InN及其它们的三元、四元合金组成的薄膜材料；所述GaN外延层具有GaN HEMT和HBT两个外延结构；所述GaN HBT外延层位于GaN HEMT外延层之上，刻蚀去除GaN HBT外延层，至GaN HEMT外延层露出并在其上制备电极；通过刻蚀或高能粒子注入方式将GaN HEMT和GaN HBT两个器件隔离。本发明能有效降低芯片电阻，增加低功率模式下附加功率效率，提高芯片可靠性，同时，缩小了芯片体积，有利于减少了电路面积。
一种 si gan bi hemt 芯片及其制备方法

[发明专利]一种具有反射层的四结太阳能电池-CN201510811506.5在审
发明人：张小宾;刘建庆;陈丙振;王雷;马涤非;刘雪珍;吴波;张杨;杨翠柏 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有反射层的四结太阳能电池，可应用于聚光光伏发电系统，该电池以Ge单晶片为衬底，在所述Ge衬底上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、AlGaAs/GaInAs DBR反射层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池和GaInP子电池，其中AlGaAs/GaInAs DBR反射层用于反射长波光子，使长波光子被GaInNAs子电池二次吸收。本发明可以减少GaInNAs子电池厚度，并提高其收集效率，从而提高四结太阳能电池的光电转换效率。
一种具有反射层太阳能电池