“中山德华芯片技术有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果155个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种免切割的柔性砷化镓太阳电池及其制作方法-CN202110169244.2有效
发明人：肖祖峰;丁亮;丁杰;何键华;黄嘉敬 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种免切割的柔性砷化镓太阳电池及其制作方法，制作方法包括以下步骤：在砷化镓衬底上生长一外延层；在外延层上制备作为正电极的柔性衬底；剥离去除砷化镓衬底；在柔性衬底上贴合临时刚性衬底；制备至少两个间隔设置的负电极；在负电极的周围制备减反射膜，且相邻两个负电极周围的减反射膜之间预留有未覆盖减反射膜的分割区；覆盖光刻胶；根据芯片尺寸要求将分割区的外延层及柔性衬底腐蚀，并去除光刻胶；去除临时刚性衬底，制得柔性砷化镓太阳电池。通过在制备负电极及减反射膜时预留分割区，结合蚀刻工艺将分割区的外延层及柔性衬底腐蚀，从而无需切割即可得到各种不同规格尺寸的芯片，进而降低了芯片制作成本，提高了生产效率。
一种切割柔性砷化镓太阳电池及其制作方法

[发明专利]一种提高多结太阳能电池少数载流子收集的方法-CN201811343887.9有效
发明人：刘雪珍;刘建庆;高熙隆;刘恒昌;宋欣慰 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高多结太阳能电池少数载流子收集的方法，该方法是在多结太阳能电池的其中一个子电池或多个子电池或所有子电池的背场与基区之间增设应变结构量子阱，将电子和空穴存储于量子阱内，以提高少数载流子收集效率，同时过滤位错缺陷，其中，所述量子阱的阱和垒的材料光学带隙与基区带隙有关，厚度由少子扩散长度决定，晶格常数与毗邻材料失配不高于5％。本发明可以同时起到过虑位错的作用，尤其适用于失配结构太阳能电池，可以降低穿透位错密度和载流子的非辐射复合，提高短路电流、整体开路电压和填充因子，并最终提高电池的光电转换效率，从而更大程度地发挥太阳能电池的优势。
一种提高太阳能电池少数载流子收集方法

[发明专利]一种嵌套式石墨盘-CN202110215454.0在审
发明人：高熙隆 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌套式石墨盘，包括下层石墨盘，下层石墨盘的表面设有凹坑，凹坑的内壁面设有若干定位块；上层石墨盘，上层石墨盘嵌套在凹坑内，上层石墨盘的侧壁设有与定位块相配合的定位槽，上层石墨盘的上表面设有用于放置衬底的凹槽，下表面设有若干不同高度的台面，台面与下层石墨盘之间形成一层间隙距离不同的空气层；本发明的嵌套式石墨盘，能够使石墨盘与衬底间温度保持一致，实现半导体材料均匀生长。
一种嵌套石墨

[发明专利]一种光电阴极及其制备方法与应用-CN202110110372.X在审
发明人：黄珊珊;黄辉廉;刘雪珍;刘建庆;杨文奕 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电阴极及其制备方法与应用，该光电阴极包括衬底层和在衬底层表面刻蚀形成的纳米柱阵列；所述纳米柱阵列表面有量子点和金属纳米颗粒。有效接收了来自不同入射方向的光，量子点增加了吸光面积，阵列化光陷阱增强了光吸收；在径向可提供给光电子一条直接的传输通道，光电子能轻易从阴极体内运行到表面；其具有较大的表面积，可有效提高光电子的表面逸出几率，展现出了较大的光电流以及较快的响应速度等特性；同时表面修饰金、银等金属颗粒，在量子点表面产生等离子体效应，促进了光的吸收；金属颗粒还会与量子点形成异质结，促进了光电子的传递，有效提高了光电阴极的光电性能。
一种光电阴极及其制备方法应用

[发明专利]一种柔性太阳能电池组件及其封装方法-CN202011596240.4在审
发明人：杨文奕;张小宾;刘建庆 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性太阳能电池组件及其封装方法，该柔性太阳组件包含包括封装盖膜、柔性太阳能电池和封装底膜；所述封装盖膜表面设有图案化电路区域，还设有涂覆层压胶膜预聚体材料区域；所述柔性太阳能电池电极与所述图案化电路相连；所述柔性太阳能电池固定于所述层压胶膜预聚体材料区域。将封装是使柔性电池处于自由舒展状态，避免了传统层压过程导致的柔性电池之间相互挤压，提升了组件成品率，提高了柔性电池组件的可靠性；同时由于柔性太阳电池排列方式不同于传统先串联再并联的方式，在不需要旁路二极管的情况下，该柔性电池组件不会发生由于单颗电池异常导致的断路现象。
一种柔性太阳能电池组件及其封装方法

[发明专利]一种柔性反极性红光发光二极管及其制作方法-CN202010933126.X在审
发明人：王兵;刘建庆;杜伟;何键华;黄辉廉 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性反极性红光发光二极管及其制作方法，柔性反极性红光发光二极管包括按照从下往上的顺序依次层叠的N型接触层、N型限制层、多量子阱、P型限制层、P型窗口层；P型窗口层上表面依次设有透明导电层、金属反射层、金属阻挡层、金属支撑衬底；N型接触层下表面设有N电极和钝化层。本发明通过将原衬底转移至较薄金属衬底，可以保证衬底的全柔性红光，并与柔性红光封装基板良好贴合，同时引入了热解膜工艺，在衬底转移时，热解膜可将LED晶圆牢固的固定在平整的刚性衬底上，在原衬底剥离过程中，避免了翘曲引起的过烧蚀，可大幅提升衬底剥离的生产良率。
一种柔性极性红光发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法-CN202010528210.3在审
发明人：杨文奕;王兵;何键华;黄嘉敬;曾桂平 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法，该超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片包括：PI膜；PI膜上表面设有P型电极；P型电极上的P型InGaAs接触层、InGaAs底电池、缓冲层、第二隧穿结、GaAs中电池、第一隧穿结、GaInP顶电池、N型GaAs接触层；N型GaAs接触层上的N型电极与减反膜。本发明使用柔性PI膜作为柔性砷化镓太阳电池芯片的支撑衬底，弯曲半径更小、功重比更高，对比无衬底工艺，保证了电池片后续封装与布片的可行性，采用正负电极同向结构，便于焊接。
一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法

[发明专利]一种高性能三结砷化镓太阳电池-CN202010528211.8在审
发明人：杜伟;何键华;黄嘉敬;陈柯;方亮 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能三结砷化镓太阳电池，包括Ge衬底，采用MOCVD技术在所述Ge衬底上外延生长Ge底电池、第一隧穿结、GaInAs中电池、第二隧穿结和GaInP顶电池；其中，在所述GaInP顶电池的发射区上沉积暂态金属氧化物TMO，得到TMO窗口层，该TMO窗口层的禁带宽度大于3.0eV，其暂态金属氧化物能够与GaInP顶电池的金属上电极形成良好的欧姆接触，其折射系数通过在1.4‑2.0的范围内变化调整，能够有效起到减反射膜的作用，并且通过优化暂态金属氧化物的光电性能，可以提高电池的短路电流和光电转换效率，同时也可以简化电池的结构，减少芯片工艺步奏，有效降低成本。
一种性能三结砷化镓太阳电池

[实用新型]一种太阳能动力救生圈-CN201922117120.0有效
发明人：王兵;文宏;肖祖峰;赖书文;鲍为;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： B63C9/13 文献下载
摘要：本实用新型涉及能源制造的技术领域，尤其是指一种太阳能动力救生圈，包括救生圈本体，还包括柔性太阳电池阵、涵道式推进器、储能模块和控制模块，所述柔性太阳电池阵通过防水胶铺设于救生圈本体的表面，且其适应救生圈本体表面的形状，通过柔性太阳电池阵将太阳能转换成电能；所述涵道式推进器、储能模块和控制模块设于救生圈本体内部，其中，所述涵道式推进器与储能模块相连接，并由储能模块供电，所述储能模块通过控制模块与柔性太阳电池阵相连接，所述柔性太阳电池阵由控制模块平稳电压后进而向储能电池充电。本实用新型能够有效解决动力救生圈的使用局限性的问题。
一种太阳能动力救生圈

[发明专利]一种GaInP/GaAs/HIT三结叠层太阳能电池及其制备方法-CN202010312258.0在审
发明人：方亮;肖祖峰;黄嘉敬;何键华;胡丹 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaInP/GaAs/HIT三结叠层太阳能电池及其制备方法，包括依次叠层设置的底电池、中间电池和顶电池，所述底电池和中间电池通过第一隧穿结连接，所述中间电池和顶电池通过第二隧穿结连接；所述底电池为HIT太阳能电池，即HIT子电池；所述中电池为GaAs太阳能电池，所述顶电池为GaInP太阳能电池，所述顶电池和中电池形成为GaInP/GaAs双结子电池。本发明的GaInP/GaAs/HIT三结叠层太阳能电池具有电转换效率高、稳定性好、成本低的优点。
一种 gainp gaas hit 三结叠层太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种GaInP/GaAs/CIGS三结叠层太阳能电池及其制备方法-CN202010312253.8在审
发明人：方亮;王兵;何键华;黄嘉敬;胡丹 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaInP/GaAs/CIGS三结叠层太阳能电池及其制备方法，包括依次叠层设置的底电池、中间电池和顶电池，所述底电池和中间电池通过第一隧穿结连接，所述中间电池和顶电池通过第二隧穿结连接；所述底电池为CIGS太阳能电池，即CIGS子电池；所述中电池为GaAs太阳能电池，所述顶电池为GaInP太阳能电池，所述顶电池和中电池形成为GaInP/GaAs双结子电池。本发明的GaInP/GaAs/CIGS三结叠层太阳能电池具有较高的抗辐照能力，且光电转换效率高，制备成本低。
一种 gainp gaas cigs 三结叠层太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制作方法-CN202010313420.0在审
发明人：王兵;方亮;黄嘉敬;何键华;肖祖峰 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制作方法，包括：提供一柔性衬底，按照层状叠加结构在柔性衬底表面依次设有第二键合层、第一键合层，第一电极；按照层状叠加结构依次设于第一电极表面的GaInAs底电池、缓冲层、第二隧道结、GaAs中电池、第一隧道结、GaInP顶电池、接触层；设于接触层表面的第二电极，设于第二电极表面的减反膜；其中，所述第一电极和第二电极为同向水平电极。本发明避免了柔性砷化镓电池因其柔性状态，自动机台吸取片后电池片自然翘曲，背面可焊接面积变小，无法固晶牢固的同时保证对位准确。
一种柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制作方法

[发明专利]一种含稀氮化合物的红外探测器外延片-CN202010356991.2在审
发明人：黄珊珊;黄辉廉;丁杰;杨文奕 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种含稀氮化合物的红外探测器外延片，包括InP衬底，在所述InP衬底上按照层状叠加结构依次设置有n型InP缓冲层、本征GaInNAs吸收层、p型InP层、p型InGaAs欧姆接触层。本发明通过引入与InP衬底相匹配的稀氮化合物GaInNAs(即本征GaInNAs吸收层)获得延伸波长且延伸波长可调节的红外探测器外延片，满足对波长向长波方向扩展红外探测器需求。
一种氮化红外探测器外延

[实用新型]一种柔性双面太阳能电池-CN201921182072.7有效
发明人：叶旺;潘旭;文宏;张露;黄珊珊;黄辉廉 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种柔性双面太阳能电池，包括通过金属电极连接的正面砷化镓多结太阳能电池单元和背面钙钛矿太阳能电池单元；正面砷化镓多结太阳能电池单元以GaAs单晶片为衬底，在其上依次生长有GaAs缓冲层、AlAs牺牲层、GaInP子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第一隧道结、用于减少位错的(AlxGa1‑x)1‑yInyAs梯度缓冲层和GaInAs子电池，金属电极制作在GaInAs子电池上；而后湿法腐蚀掉AlAs牺牲层，将上述外延结构和金属电极从衬底剥离，剥离后在GaInP子电池上制作正面电极；背面钙钛矿太阳能电池单元包括沉积在金属电极上的石墨‑钙钛矿混合层和沉积在石墨‑钙钛矿混合层上的ITO透明电极。本实用新型不仅能提高对太阳光的利用率，增加光电转换效率，且制作成柔性产品，质量轻、便于携带。
一种柔性双面太阳能电池

[实用新型]一种倒装生长的双异质结四结柔性太阳能电池-CN201922120099.X有效
发明人：黄辉廉;黄珊珊;文宏;叶旺;刘建庆 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种倒装生长的双异质结四结柔性太阳能电池，包括采用倒装方式在GaAs衬底上依次生长的AlGaInP双异质结子电池、GaAs子电池、GamIn1‑mP渐变层、第一GaxIn1‑xAs双异质结子电池、GanIn1‑nP渐变层和第二GayIn1‑yAs双异质结子电池，各子电池之间通过隧道结连接，且生长完各子电池后剥离出GaAs衬底，所述AlGaInP双异质结子电池上设置有上电极，所述第二GayIn1‑yAs双异质结子电池上设置有下电极，并粘结在一支撑衬底上。本实用新型实现四结太阳能电池合理的带隙组合，在提高太阳能电池的整体开路电压和填充因子的同时，保持电池的光电流匹配，以提供更多的应用场景。
一种倒装生长双异质结四结柔性太阳能电池