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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器装置及制造其的方法-CN202210020435.7在审
发明人：柳民泰;严祥训;李基硕;李玟洙;李元锡;赵珉熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：提供了一种通过改善界面特性同时减少泄漏电流而性能提高的半导体存储器装置以及制造其的方法。半导体存储器装置包括：导线，其位于衬底上；第一层间绝缘层，其暴露出导线并且在衬底上限定沟道槽；沟道层，其沿着沟道槽的底部和侧表面延伸；第一栅电极和第二栅电极，它们在沟道槽中彼此间隔开；第一栅极绝缘层，其位于沟道层与第一栅电极之间；以及第二栅极绝缘层，其位于沟道层与第二栅电极之间。沟道层包括顺序地堆叠在导线上的第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层的结晶度大于第二氧化物半导体层的结晶度。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]图像传感器及制造其的方法-CN201710700946.2有效
发明人：白寅圭;严祥训;李泰渊;许在成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种配置为提供提高的可靠性的图像传感器可以包括含多种不同元素的电荷钝化层，不同元素的每种元素为金属元素或准金属元素。不同元素可以包括周期表元素的第一族的第一元素以及周期表元素的第二不同的族的第二元素。电荷钝化层可以包括非晶晶体结构。
图像传感器制造方法

[发明专利]图像传感器-CN202010000398.4在审
发明人：全宅洙;金起园;严祥训;尹琪重;林夏珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种具有改善的性能和更高集成度的图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一有机光电转换层，所述第一有机光电转换层位于所述衬底的所述第一表面上；第一穿透通路，所述第一穿透通路连接到所述第一有机光电转换层，并且延伸穿过所述衬底；第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底中并且与所述衬底的所述第二表面相邻；以及第一晶体管结构，所述第一晶体管结构位于所述衬底的所述第二表面上，其中，所述第一晶体管结构包括：被配置为连接所述第一穿透通路和所述第一浮置扩散区域的半导体层、位于所述半导体层上的栅电极、以及位于所述半导体层与所述栅电极之间的栅极介电膜。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201911312886.2在审
发明人：李贵德;金政勳;金昶和;朴商秀;严祥训;李范硕;李泰渊;任东模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本申请提出一种图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括：电极绝缘层，在所述衬底上具有凹槽区；第一电极，位于所述滤色器上，所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区；第二电极，位于所述第一电极上；以及有机光电转换层，夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括相对于所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。
图像传感器

[发明专利]半导体图像传感器及其形成方法-CN201910535319.7在审
发明人： 严祥训;尹琪重;全宅洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：一种半导体图像传感器包括基板和在基板上具有沟槽的隔离绝缘图案。下透明电极提供在沟槽内。该下透明电极包括第一层和在第一层上的不同的第二层。有机光电层提供在下透明电极上，上透明电极提供在有机光电层上。第一层可以接触沟槽的底部和侧表面，并且可以在其中具有接缝，该接缝由第二层的一部分至少部分地填充。第一层可以相对于第二层具有更高的透光效率，并且相对于第二层具有更低的电阻。
半导体图像传感器及其形成方法

[发明专利]图像传感器-CN201810661733.8在审
发明人：李贵德;金政勳;金昶和;朴商秀;严祥训;李范硕;李泰渊;任东模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本申请提出一种图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括：电极绝缘层，在所述衬底上具有凹槽区；第一电极，位于所述滤色器上，所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区；第二电极，位于所述第一电极上；以及有机光电转换层，夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括相对于所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。
第一电极电极绝缘层凹槽区滤色器有机光电二极管图像传感器第二电极衬底有机光电转换层角度延伸侧表面夹置接缝填充申请

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