专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基板处理系统-CN201710749543.7有效
  • 严用铎;张锡弼;许贤康 - 圆益IPS股份有限公司
  • 2017-08-28 - 2021-11-26 - H01L21/67
  • 本发明涉及一种基板处理系统,更详细而言,涉及一种利用等离子而进行基板处理的基板处理系统。本发明公开了一种基板处理方法,其特征在于,包括:多个基板处理模块(100),形成密闭的处理空间(S),在多个基板装载于托盘(20)的状态下执行基板处理;运送模块(200),设置有运送机器人(210),与所述多个基板处理模块(100)相结合,分别将托盘(20)运出或导入于所述基板处理模块(100);基板交换模块(300),结合于所述运送模块(200),在所述基板处理模块(100)中完成基板处理的基板(10)从托盘(20)卸载,并将要进行基板处理的基板装载于托盘(20)。所述基板交换模块(300)包括:托盘运出部(310),为了托盘(20)的外部运出而依靠运送机器人(210)传递。
  • 处理系统
  • [发明专利]基板处理装置-CN201610184901.X有效
  • 严用铎;朴海允;李政玟 - 圆益IPS股份有限公司
  • 2016-03-29 - 2018-01-02 - H01J37/32
  • 本发明涉及基板处理装置,更详细地说,涉及对基板进行蚀刻、蒸镀等基板处理的基板处理装置。本发明公开一种基板处理装置,包括腔室主体,上侧是开口的;基板支撑部,设置于所述腔室主体而支撑基板;顶板,设置于所述腔室主体的开口而形成密闭的处理空间,所述顶板底面形成气体喷射流路;辅助板,与所述顶板的底面结合而形成所述气体喷射流路,所述辅助板形成多个气体扩散孔而通过所述气体喷射流路向下侧喷射气体;喷头部,设置于所述辅助板的下侧,所述喷头部形成多个工艺气体喷射孔而向处理空间喷射工艺气体;所述喷头部,被形成于所述辅助板的所述气体扩散孔所喷射的气体清洗,将所述气体扩散孔喷射的气体喷射到处理空间。
  • 处理装置
  • [实用新型]基板处理装置-CN201520728339.3有效
  • 严用铎;张锡弼 - 圆益IPS股份有限公司
  • 2015-09-18 - 2015-12-23 - H01L21/67
  • 本实用新型涉及基板处理装置,更详细地说,利用等离子在基板表面形成多个凹凸的基板处理装置。本实用新型公开了基板处理装置,其包括:工序腔室,形成密闭的内部空间并且电气性接地所述工序腔室;基板支撑部,以与所述工序腔室电气性绝缘的状态来进行设置并施加一个以上的RF电源,并且支撑安装一个以上的基板的托架;气体喷射部,设置在所述内部空间的上侧来喷射用于执行基板处理的气体;盖部,从所述基板支撑部间隔距离地覆盖所述一个以上的基板来进行配置,并且形成多个开口部以使流入由所述气体喷射部喷射的气体,并且接地所述盖部。
  • 处理装置
  • [发明专利]真空处理装置-CN200910143330.5有效
  • 车勋;金亨俊;严用铎;李珠熙;韩在柄;曹生贤;尹大根 - IPS有限公司
  • 2006-01-17 - 2009-12-30 - H01L21/00
  • 本文公开了一种真空处理装置,其用于在基片上进行蚀刻处理或喷镀处理,例如用于液晶显示屏(LCD)面板的玻璃上,半导体晶片上,等等,其包括一上盖和一下盖,该上盖和下盖可分离地相互连接形成一真空处理空间;一对下部水平移动单元,该下部水平移动单元分别安装在下盖的各侧;一对上部水平移动单元,该各上部水平移动单元在各自的下部移动单元上和上盖连接,以水平方向移动上盖使其从下盖分离;升降单元通过下部水平移动单元支撑并安装在其上,升降单元从下盖分离上盖或通过提升或降低上部水平移动单元使上盖和下盖连接。
  • 真空处理装置
  • [发明专利]真空处理装置-CN200710188367.0有效
  • 车勋;金亨俊;严用铎;李珠熙;韩在柄;曹生贤;尹大根 - IPS有限公司
  • 2006-01-17 - 2008-06-04 - H01L21/00
  • 本文公开了一种真空处理装置,其用于在基片上进行蚀刻处理或喷镀处理,例如用于液晶显示屏(LCD)面板的玻璃上,半导体晶片上,等等,其包括一上盖和一下盖,该上盖和下盖可分离地相互连接形成一真空处理空间;一对下部水平移动单元,该下部水平移动单元分别安装在下盖的各侧;一对上部水平移动单元,该各上部水平移动单元在各自的下部移动单元上可旋转地和上盖连接,以水平方向移动上盖使其从下盖分离;升降单元通过下部水平移动单元支撑并安装在其上,升降单元从下盖分离上盖或通过提升或降低上部水平移动单元使上盖和下盖连接。
  • 真空处理装置
  • [发明专利]真空处理装置-CN200710188366.6有效
  • 车勋;金亨俊;严用铎;李珠熙;韩在柄;曹生贤;尹大根 - IPS有限公司
  • 2006-01-17 - 2008-05-07 - H01L21/00
  • 本文公开了一种真空处理装置,其用于在基片上进行蚀刻处理或喷镀处理,例如用于液晶显示屏(LCD)面板的玻璃上,半导体晶片上,等等,其包括一上盖和一下盖,该上盖和下盖彼此相互连接,用上盖和下盖之间形成的空隙组成真空处理空间,一腔体密封单元通过密封或解封空隙来密封和解封真空处理单元;以及一空隙保持单元用来维持空隙,该空隙保持单元安装在上盖和下盖上。
  • 真空处理装置
  • [发明专利]真空处理装置-CN200610001041.8有效
  • 车勋;金亨俊;严用铎;李珠熙;韩在柄;曹生贤;尹大根 - IPS有限公司
  • 2006-01-17 - 2006-08-30 - H01L21/00
  • 本文公开了一种真空处理装置,其用于在基片上进行蚀刻处理或喷镀处理,例如用于液晶显示屏(LCD)面板的玻璃上,半导体晶片上,等等,其包括一上盖和一下盖,该上盖和下盖可分离地相互连接形成一真空处理空间;一对下部水平移动单元,该下部水平移动单元分别安装在下盖的各侧;一对上部水平移动单元,该各上部水平移动单元在各自的下部移动件上可旋转地和上盖连接,以水平方向移动上盖使其从下盖分离;升降单元通过下部水平移动单元支撑并安装在其上,升降单元从下盖分离上盖或通过提升或降低上部水平移动单元使上盖和下盖连接。
  • 真空处理装置

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