专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种支持PCI-E弱序请求乱序发射的装置-CN202310654508.2在审
  • 班冬松;王锦涵;颜世云;尹飞;田桂兰 - 上海高性能集成电路设计中心
  • 2023-06-05 - 2023-09-19 - G06F15/173
  • 本发明涉及一种支持PCI‑E弱序请求乱序发射的装置,包括:判断逻辑器,用于判断收到的请求是强序请求还是弱序请求;请求寄存器,用于采用队列的形式存储不满足发射条件的强序请求;译码逻辑器,用于对发出的请求和收到的响应进行解析,确定需要进行操作的计数器;计数器,所述计数器的数目与请求寄存器中的队列数目相同,用于记录已发射请求的数目;判断逻辑器在判断出收到的请求为弱序请求时,直接将弱序请求发往片上网络,在判断出收到的请求为强序请求时,请求寄存器以队列方式保存强序请求,当强序请求处于请求寄存器中的队列头,且对应的计数器的值为零时,强序请求满足发射条件,将强序请求发往片上网络。本发明能够减少硬件资源。
  • 一种支持pci请求发射装置
  • [发明专利]一种存内计算单元及阵列-CN202310048853.1在审
  • 刘建文;赵信;方华;张立;童仙雨 - 上海高性能集成电路设计中心
  • 2023-02-01 - 2023-05-23 - G06F1/3234
  • 本发明涉及一种存内计算单元和阵列,其中,存内单元包括单端口SRAM和计算部分,单端口SRAM用于存储权重,计算部分用于进行乘法运算,包括第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管和第十二MOS管;单端口SRAM的存储节点分别与第九MOS管的栅极和第十二MOS管的栅极相连;第九MOS管的漏极分别与第七MOS管的源极和第八MOS管的源极相连,第十二MOS管的漏极分别与第十MOS管的源极和第十一MOS管的源极相连;第九MOS管的源极和第十二MOS管的源极均接地;第七MOS管、第八MOS管、第十MOS管和第十一MOS管的栅极分别与第一输入端、第二输入端、第三输入端和第四输入端相连,漏极分别与第一输出端、第二输出端、第三输出端和第四输出端相连。本发明能够进行高速低功耗的卷积计算。
  • 一种计算单元阵列
  • [发明专利]一种时钟分布网络快速设计方法-CN201910835765.X有效
  • 胡向东;潘达杉;童中华;黄金明 - 上海高性能集成电路设计中心
  • 2019-09-05 - 2023-04-18 - G06F30/18
  • 本发明涉及一种时钟分布网络快速设计方法,将时钟网络分为第一级时钟网络和第二级时钟网络,其中,第一级时钟网络由第一级时钟网络驱动单元驱动,第二级时钟网络由第二级时钟网络驱动单元驱动,包括以下步骤:采用时序优先的布局,并获取触发器位置;根据布局参数采用聚类算法将触发器划分成若干个局部区域,建立第二级时钟网络;根据布局参数采用聚类算法将第二级时钟网络驱动单元划分为若干负载均匀的区域,建立第一级时钟网络;对第一级时钟网络和第二级时钟网络进行绕线。本发明能够降低时钟网络延迟,减少时钟网络负载。
  • 一种时钟分布网络快速设计方法

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