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[发明专利]一种半导体器件的键合方法及半导体器件-CN202310854560.2在审
发明人：杨磊;王焕橙;杨京南;杨婉君 -专利权人： 上海芯物科技有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的键合方法及半导体器件，该半导体器件的键合方法包括：提供第一晶圆；通过原子层沉积工艺在第一晶圆的一侧沉积预设厚度的二氧化硅层；提供第二晶圆并通过二氧化硅层键合第一晶圆与第二晶圆。采用上述技术手段，通过采用原子层沉积工艺在第一晶圆的一侧沉积二氧化硅层，能够保证二氧化硅层的致密性与均匀性，有利于将第一晶圆与第二晶圆通过二氧化硅层进行键合，进而可以保证键合效果，提高半导体器件的性能及可靠性。
一种半导体器件方法

[发明专利]一种半导体器件制备方法及半导体器件-CN202310753844.2在审
发明人：杨婉君 -专利权人： 上海芯物科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制备方法及半导体器件，该半导体器件制备方法包括：提供基底；刻蚀基底形成多个沟槽；制备第一氧化硅层，第一氧化硅层包括位于基底表面的第一氧化硅分部以及位于沟槽内的第二氧化硅分部；在第一氧化硅层远离基底的一侧制备牺牲结构；去除牺牲结构以及第一氧化硅分部，以暴露出第二氧化硅分部和基底；制备第二氧化硅层，第二氧化硅层包括位于基底表面的第三氧化硅分部以及位于沟槽内的第四氧化硅分部，第四氧化硅分部以及第二氧化硅分部填充沟槽。采用上述技术手段，通过制备牺牲结构能够在沟槽内分两步填充氧化硅，如此能够避免由于沟槽深宽比较大，在沟槽内形成孔洞或缝隙，进而提高半导体器件的性能及可靠性。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]一种无阀压电泵及其制作方法-CN202110510547.6有效
发明人：全雪;蔡金东 -专利权人： 上海芯物科技有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： F04B43/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种无阀压电泵及其制作方法，涉及流体机械技术领域。该无阀压电泵包括壳体、弹性盖板、电极组件、电源组件、多个压电薄膜和多个三角板，壳体内部中空且沿长度方向的一侧设置有开口，弹性盖板封堵于开口使壳体形成泵腔，壳体的两端分别设置有入口和出口，入口和出口均与泵腔连通；多个压电薄膜均匀间隔贴附于弹性盖板的外壁；相邻两个压电薄膜的振动方向相反；电极组件贴附于泵腔的外壁且多个压电薄膜均与电极组件连接；电源组件与电极组件电连接；多个三角板均匀间隔设置于泵腔内且均与壳体连接，多个压电薄膜在三角板所在的平面的投影与多个三角板交替设置。该压电泵能提升扰流效率，提高泵送效率和泵送速度，结构简单、成本低。
一种压电及其制作方法

[发明专利]目标检测方法、装置、设备及存储介质-CN202110258491.X有效
发明人：张文燕 -专利权人： 上海芯物科技有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G06V20/64 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种目标检测方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：获取待检测图像和待检测点云数据；将待检测图像和待检测点云数据作为输入数据输入到预确定的目标检测网络模型中，其中，所述目标检测网络模型通过对网络参数训练得到，网络参数与训练中的参数浮点精度关联；根据目标检测网络模型的输出结果，对待检测图像和待检测点云数据中的对象进行目标检测，获得对象在三维空间所对应矩形框的数据信息。解决了通过神经网络模型进行目标检测过程中无法准确识别对象的问题，在训练过程中通过动态选择参数浮点精度，避免了使用固定的参数浮点精度导致的模型识别准确度较低或速度较慢的情况发生，提高目标检测准确率，节省时间。
目标检测方法装置设备存储介质

[发明专利]动态调整晶片抛光时间的方法、装置、设备和存储介质-CN202110523028.3有效
发明人：黄清波;周雪梅;潘代强 -专利权人： 上海芯物科技有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态调整晶片抛光时间的方法、装置、设备和存储介质，方法包括以下步骤：以第n片晶片的抛光时间和第n片晶片的抛光速率对第n片晶片进行抛光；获取第n片晶片中最大线宽的蝶形区域的第n蝶形深度；根据第n片晶片的抛光时间和第n蝶形深度拟合获取第n+1次的抛光速率；获取第n蝶形深度与目标蝶形深度的第n差值；根据第n片晶片的抛光时间、第n差值和第n+1次的抛光速率确定第n+1片晶片的抛光时间；以第n+1片晶片的抛光时间和第n+1次的抛光速率对第n+1片晶片进行抛光，以实现平坦化的晶片的最大蝶形区域的蝶形深度与目标蝶形深度相同，避免抛光设备本身的误差，以及固定抛光时间带来的蝶形深度比目标蝶形深度深。
动态调整晶片抛光时间方法装置设备存储介质

[发明专利]一种表面加工工艺和半导体器件-CN202211655607.4在审
发明人：潘代强;吉利;张云;王焕橙;姜喆;杨磊;杨婉君;杨京南 -专利权人： 上海芯物科技有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面加工工艺和半导体器件，表面加工工艺包括：提供第一基板和第二基板；在第一基板的一侧沉积第一氧化层；在第二基板的一侧沉积第一加工材料；图形化第一加工材料，形成多个第一结构；在第一结构的间隙填充第一介质材料；对第一基板的第一氧化层和/或第二基板的第一介质材料进行表面活化处理；将第一基板的第一氧化层与第二基板的第一介质材料键合；剥离第二基板，得到表面加工有第一结构的第一基板。第一个独权。第一个独权的有益效果。采用上述技术方案，可进行低温键合，避免对温度敏感的电路和微结构的破坏，对器件损伤小；可使得所有衬底或器件表面均可以进行表面微观结构的加工，降低了器件表面加工的难度。
一种表面加工工艺半导体器件

[发明专利]一种硅片键合方法-CN202211362478.X在审
发明人：杨磊;王焕橙;杨京南;潘代强;吉利;张云 -专利权人： 上海芯物科技有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片键合方法，包括以下步骤：提供两片硅片，并在所述硅片表面生长二氧化硅薄膜，其中至少一片硅片表面采用原子层沉积生长二氧化硅薄膜；湿法清洗所述硅片表面；利用清洗后的二氧化硅薄膜将两片所述硅片键合。由此可见，采用本发明的方法生长的二氧化硅薄膜厚度容易控制，且致密性和均匀性好，减少了键合工艺步骤，节约了成本，同时还具有优异的键合效果。
一种硅片方法

[发明专利]一种晶圆研磨机台控制方法、装置、介质以及电子设备-CN202211278864.0在审
发明人：潘代强;姜喆;吉利;王焕橙;张云 -专利权人： 上海芯物科技有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种晶圆研磨机台控制方法、装置、介质以及电子设备。所述方法包括：获取目标监测区域的图像数据，作为晶圆研磨环的当前状态图像；基于所述当前状态图像，确定所述目标监测区域中是否存在异物，得到异物检测结果；基于所述异物检测结果，控制晶圆研磨机台的晶圆处理操作。本申请技术方案可以及时发现晶圆研磨环镶嵌异物的情况，避免异物划伤晶圆，有利于改善晶圆良品率，节约生产成本。
一种研磨机台控制方法装置介质以及电子设备

[发明专利]CMP自动贴膜装置及方法-CN202211208402.1在审
发明人：姜喆 -专利权人： 上海芯物科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及CMP自动贴膜装置及方法，包括研磨台，所述研磨台上放置研磨垫，所述研磨垫与研磨台表面外径相同，所述CMP自动贴膜装置还包括定位机构，所述定位机构包括第一盘体以及与所述第一盘体远端旋转连接的第二盘体，所述第一盘体侧面设置第一固定端和第二固定端，所述第二盘体侧面设置第三固定端，所述第一固定端的端部、所述第二固定端的端部分别扣住所述研磨台侧面并抵住所述研磨垫，所述第二盘体相对于所述第一盘体旋转，使所述第三固定端的端部贴紧所述研磨台侧面旋转的同时驱使所述研磨垫与所述研磨台表面对齐，操作方便，且无需直接接触研磨垫，提高了研磨效率和晶圆品质。
cmp 自动装置方法

[发明专利]背照式互补金属氧化物半导体图像传感器及其制备方法-CN202110802231.4有效
发明人：徐文;杨京南 -专利权人： 上海芯物科技有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种背照式互补金属氧化物半导体图像传感器及其制备方法。该互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法包括：提供第一晶圆；在第一晶圆的表面形成外延层，其中，外延层和第一晶圆的导电类型相同，且外延层的掺杂浓度小于第一晶圆的掺杂浓度，外延层内设置有至少一个像素单元；在外延层形成至少一个掺杂区，其中，掺杂区围绕像素单元设置；在第一晶圆的表面形成第二晶圆，其中，第二晶圆内设置有图像处理电路；通过湿法刻蚀工艺去除第一晶圆；通过湿法刻蚀工艺去除掺杂区。本方案相比于干法刻蚀，可以避免对硅表面的损伤，无需修复硅表面的损伤，由此降低互补金属氧化物半导体图像传感器在形成像素单元的隔离结构受到的损伤。
背照式互补金属氧化物半导体图像传感器及其制备方法

[发明专利]晶圆清洗刷压在线检测方法、载具、存储介质-CN202210965209.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 上海芯物科技有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01L19/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆清洗刷压在线检测方法、载具、存储介质，包括以下步骤：设定刷压值并操作刷部下压载具；载具检测压力值；设定不同的刷压值并重复上述步骤至少一次；根据所述检测压力值计算实际刷压值；判断所有实际刷压值与设定刷压值之间的误差是否在设定范围内；若均是，判定机台参数设定合格。本发明的检测方法不用停机打开清洗腔体即可测试刷压是否异常，节约了停机时间和更换刷部的时间，大大提高生产效率和检测效率。
晶圆清洗刷在线检测方法存储介质

[发明专利]一种涡电流传感器的测厚校准方法、装置及研磨系统-CN202110623292.4有效
发明人：黄清波;周雪梅;翁杰;潘代强 -专利权人： 上海芯物科技有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种涡电流传感器的测厚校准方法、装置及研磨系统，校准方法包括：触发测量校准后，获取涡电流传感器检测基准片表面上金属膜层的最大膜厚时对应的电信号；获取涡电流传感器检测基准片表面上金属膜层的零膜厚时对应的电信号；零膜厚时对应电信号为涡电流传感器检测基准片附近的稳态介质的信号强度；根据零膜厚时对应的电信号以及最大膜厚时对应的电信号拟合得到本次校准后的金属膜厚测量公式，金属膜厚测量公式用于界定测量得到的电信号与金属膜层厚度之间的理论计算关系。本发明实施例提供的技术方案减少了研磨液和硅片等带来的信号误差，提高了金属膜厚测量公式的精确性，从而提高了研磨工艺中金属膜层厚度的控制精度。
一种电流传感器校准方法装置研磨系统

[发明专利]一种背照式传感器深沟槽隔离制造工艺及结构-CN202210302683.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 上海芯物科技有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种背照式传感器深沟槽隔离制造工艺及结构，包括步骤如下：对减薄后的所述第二晶圆涂覆第一胶层，并显影出第一离子注入区；离子注入第一离子注入区；去除所述第一胶层；对第二晶圆涂覆第二胶层，并显影出第二离子注入区；离子注入第二离子注入区；去除所述第二胶层，采用湿法刻蚀工艺同时形成第一深沟槽和第二深沟槽。本发明通过采用离子注入的方式使第一离子注入区、第二离子注入区内部为P+硅，而第二晶圆为P‑硅，使第一离子注入区、第二离子注入区与第二晶圆不同，便于湿法刻蚀去除P+硅，进而省去现有技术中的两步干法刻蚀步骤，同时避免了因干法刻蚀步骤产生对硅表面的损伤，以实现一次性形成第一深沟槽以及第二深沟槽。
一种背照式传感器深沟隔离制造工艺结构

[发明专利]一种晶圆表面的化学机械研磨方法-CN202110586108.3有效
发明人：黄清波;朱文渊;周雪梅;潘代强 -专利权人： 上海芯物科技有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆表面的化学机械研磨方法，所述化学机械研磨方法包括以下步骤：(1)对晶圆表面进行第一研磨，去除晶圆沟槽上的铜主体；(2)对步骤(1)所得晶圆表面进行第二研磨，去除晶圆沟槽上的铜残留；(3)对步骤(2)所得晶圆表面进行过抛处理，减小蝶形缺陷的深度；(4)对步骤(3)所得晶圆表面进行第三研磨，将晶圆沟槽上的氧化层减薄至设定厚度。本发明提供的方法有效地减小了金属铜的蝶形缺陷深度，进一步提升了晶圆表面的平坦化程度，同时提升了研磨效率，增加了机台产能。
一种表面化学机械研磨方法

[发明专利]多传感器目标检测方法、装置、电子设备以及存储介质-CN202210136782.6在审
发明人：徐辉;叶汇贤 -专利权人： 上海芯物科技有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G06V20/56 文献下载
摘要：本发明实施例中公开了一种多传感器目标检测方法、装置、电子设备以及存储介质。所述方法包括：确定至少两类传感器分别采集的第一目标检测结果；目标检测结果包括置信度与空间位置，空间位置采用目标中心点坐标与尺寸大小表示；依据各传感器采集的第一目标检测结果分别进行置信度融合与空间位置融合，得到融合后的置信度和融合后的空间位置；依据融合后的置信度和融合后的空间位置确定第二目标检测结果，用以执行自动驾驶操作，解决了单一类型传感器的局限性对目标检测精度的影响，实现了不同类型传感器互补融合调提高了目标检测精准度。
传感器目标检测方法装置电子设备以及存储介质

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