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[发明专利]遮挡元件位置的监控方法、系统、电子设备和存储介质-CN201911199980.1有效
发明人：归剑;王海红 -专利权人： 上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06T7/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种遮挡元件位置的监控方法、系统、电子设备和存储介质，所述监控方法包括：在样本晶圆片上的零点标记所在区域内设置目标图形；控制对样本晶圆片进行淀积处理；在淀积处理后获取目标图形相对于遮挡元件对应的遮挡区域的偏移量；判断偏移量是否满足预设条件，若不满足，则确定遮挡元件的位置偏移过量，并根据偏移量调整遮挡元件的位置，直至使得偏移量满足预设条件。本发明能够及时发现并调整遮挡元件的偏移，提高了遮挡元件的位置确定的准确性，保证了在实际工艺流程中对任意一个晶圆片进行淀积时不会发生零点标记被淀积的情况，进而提高了工艺产品的生产效率和合格率。
遮挡元件位置监控方法系统电子设备存储介质

[发明专利]铝腐蚀的处理方法及系统-CN201911180695.5有效
发明人：任萍萍;竺征 -专利权人： 上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝腐蚀的处理方法及系统，所述处理方法包括：S1.判断被处理对象上金属铝所在的目标表面是否发生铝腐蚀，若是，则执行步骤S2；S2.将目标表面浸入酸性腐蚀液中，使酸性腐蚀液与金属铝发生各向同性反应，以去除金属铝上生成的腐蚀物。本发明通过图像比对和/或荧光分析能够自动、及时且准确地确定硅片上金属铝所在表面是否发生铝腐蚀的情况，即在铝腐蚀初期就可以发现腐蚀现象，进而将发生铝腐蚀的硅片浸入酸性腐蚀液中进行腐蚀处理，快速地去除掉铝和卤族元素的混合物，即通过简单有效的湿法处理，防止金属铝被进一步腐蚀，避免卤族元素和铝的继续发生反应而持续恶化，从而有效地保证了产品的可靠性。
腐蚀处理方法系统

[发明专利]BPSG膜层处理方法及半导体中间产品-CN201911217168.7有效
发明人：归剑 -专利权人： 上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种BPSG膜层处理方法及半导体中间产品，该方法用于对BPSG工艺中断后的所得产品中的BPSG膜层进行处理，所得产品包括位于BPSG膜层之下的LTO‑PETEOS膜层以及位于其下的晶圆，该方法包括：对所得产品进行干法刻蚀，将其中的BPSG膜层全部刻蚀掉；使用湿法工艺清洗干法刻蚀的残留物，并对干法刻蚀后的LTO‑PETEOS膜层的表面进行平滑处理；在LTO‑PETEOS膜层的表面生长目标厚度的BPSG膜层。本发明通过对BPSG工艺中断后BP％浓度已经变化的BPSG膜层进行干法刻蚀去除，保证有问题的膜层彻底去除干净，而后再补长全部膜层，保证返工的BPSG膜层BP％无偏离和膜质完好无损。
bpsg 处理方法半导体中间产品

[发明专利]IGBT制作方法及IGBT-CN201810712335.4有效
发明人：王学良;刘建华;郎金荣;闵亚能 -专利权人： 上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT制作方法及IGBT。其中，所述IGBT为平面型IGBT或沟槽型IGBT，所述IGBT制作方法包括：制作IGBT的正面结构，其中，包括在硅中掺杂第一离子以形成p+区，所述第一离子的扩散系数高于硼离子的扩散系数；制作IGBT的背面结构。本发明在制作p+区时，采用掺杂比硼离子扩散系数大的第一离子，如铝离子或镓离子，替代了现有技术中掺杂硼离子，能够在较低温度、较短时间内形成比扩散硼离子的方式更深、更宽、更渐变的PN结，使得制成的IGBT相比于现有的IGBT进一步提升了抗闩锁能力，具有更高的反向击穿电压和更短的存储时间，提高了IGBT的稳定性，并且具有一定的成本优势。
igbt 制作方法

[发明专利]酸排风管道中残余液体的去除装置、方法及酸排风系统-CN202110203799.4有效
发明人：张国栋;许亮;陈秀伟;高玉岐;唐怀柱 -专利权人： 上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： F26B23/04 文献下载
摘要：本发明提供一种酸排风管道中残余液体的去除装置、方法及酸排风系统，所述去除装置包括：固设在所述酸排风管道上的加热部，所述加热部用于加热所述酸排风管道以使所述酸排风管道中的残余液体汽化；所述加热部与加热开关电连接。本发明通过加热部对酸排风管道进行加热，使得酸排风管道中的残余液体汽化，从而使得汽化后的残余液体顺着酸排风管道排出，进而能够排出全部残余液体，使得酸排风管道中无残余液体，能够去除酸排风管道中残余液体。
风管残余液体去除装置方法酸排风系统

[发明专利]LPCVD炉管法兰温控装置及LPCVD炉设备-CN201910257884.1有效
发明人：杨力勇;沈震 -专利权人： 上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种LPCVD炉管法兰温控装置及LPCVD炉设备。LPCVD炉管法兰温控装置包括温度传感器、温度控制器、第一继电器、固态继电器、电磁阀和冷却流体管路，温度传感器用于检测法兰的温度，温度控制器的输入端连接温度传感器，以获取温度传感数据，温度控制器的输出端经由第一继电器的第一触头连接至固态继电器的输入端，其中第一触头为常开触头，固态继电器的输出端连接至布置于冷却流体管路中的电磁阀，电磁阀为常开电磁阀；其中，温度控制器配置为，根据温度传感数据控制固态继电器的闭合和断开。本发明能够通过控制冷却流体通过炉管的法兰，精确控制法兰温度，减少硅片生产中产生的颗粒物数量，又不损坏法兰密封圈。
lpcvd 炉管法兰温控装置设备

[发明专利]半导体器件及其铝膜的制备方法-CN202010326225.1有效
发明人：归剑;王海红 -专利权人： 上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件及其铝膜的制备方法，制备方法包括：提供一晶圆；对所述晶圆进行预设时间段的预加热，以将所述晶圆的工艺温度达到预设温度；对预加热后的所述晶圆进行溅射工艺；以及，在所述晶圆上进行淀积，以形成所述铝膜。本发明有效地提升了厚铝工艺中控制工艺温度的稳定性，极大地减少了雾面残渣等缺陷，从而极大地提升了半导体器件产品的良率。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]在晶圆表面的聚酰亚胺前驱体的旋涂方法和系统-CN202010729351.1有效
发明人：吕其尧 -专利权人： 上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： B05D1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在晶圆表面的聚酰亚胺前驱体的旋涂方法和系统。所述旋涂方法包括以下步骤：控制喷头静止在晶圆中心并喷涂所述聚酰亚胺前驱体；控制所述喷头从所述晶圆中心向所述晶圆的边缘移动并喷涂所述聚酰亚胺前驱体，所述喷头移动的同时控制所述晶圆旋转，其中，所述喷头喷涂持续的时长小于等于所述晶圆旋转的时长；控制所述晶圆继续旋转。本发明通过控制喷头一边喷涂一边移动的同时控制晶圆旋转，使得喷涂的聚酰亚胺前驱体在晶圆上沿径向有更大范围的分布，有利于聚酰亚胺前驱体的均匀涂布，从而减少了单片晶圆需要的液量，降低了原料成本，减少了有机废液的排放量。
表面聚酰亚胺前驱方法系统

[发明专利]基于激光退火的晶圆分区RS量测方法、终端和存储介质-CN202210540380.2在审
发明人：刘庆锋;王诚;李家超 -专利权人： 上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种基于激光退火的晶圆分区RS量测方法、终端和存储介质，通过将晶圆控片以圆心为原点建立X‑Y直角坐标系，以将晶圆控片划分为至少2个晶圆控片分区，而后基于激光退火机提供的矩形光斑对各个晶圆控片分区分别进行不同的局部激光退火，再对各个晶圆控片分区分别进行RS量测，从而获取RS数据。本发明通过激光退火机中的光路扫描与工作台步进的运动配合，可实现对晶圆控片的局部退火；以晶圆控片圆心为原点建立晶圆控片分区，可有效代表整片晶圆的特性；对晶圆控片的分区操作可获得稳定可靠的RS量测数据，且可有效节约晶圆控片的数量，大幅度节约工艺机台和RS量测机台的传送时间，从而达到降本增效的目的。
基于激光退火分区 rs 方法终端存储介质

[实用新型]一种运输晶圆的推车装置-CN202220947519.0有效
发明人：竺征;雷亚洲 -专利权人： 上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B62B3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种运输晶圆的推车装置，包括推车车体及至少一承载层板，其中推车本体包括支撑框、车轮组件与多根支撑柱，车轮组件位于支撑框下方，支撑柱垂直设于支撑框上方并与支撑框连接，承载层板位于多根支撑柱围成的内部空间并与支撑柱连接，承载层板具有用于承载晶圆盒的承载表面，承载表面相对于水平面倾斜设置。本实用新型的运输晶圆的推车装置的承载层板设置倾斜的承载表面，当晶圆盒放置于倾斜的承载表面后使得晶圆朝同一方向倾斜，防止其左右晃动，保持晶圆运输平稳性，有效降低晶圆在运输过程中损坏的几率。
一种运输推车装置

[实用新型]一种锁紧圈及物理气相沉积设备-CN202220405508.X有效
发明人：荣海洋 -专利权人： 上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型提供一种锁紧圈及物理气相沉积设备，该锁紧圈包括多个同轴设置的环形沟槽及延伸环，其中，多个同轴设置的环形沟槽由内向外依次邻接，且最内侧环形沟槽靠近圆心的沟槽壁外表面设有多个侧壁凸点，延伸环与最内侧环形沟槽的底壁圆周边缘连接并沿环形沟槽的底壁向轴心方向延伸，延伸环的上表面设有多个压点，且侧壁凸点位于相邻的两个压点之间。本实用新型通过将侧壁凸点与压点错开设置，且侧壁凸点及压点与晶圆的晶圆定位缺口也错开，使晶圆发生形变时，受到的形变力在晶圆边缘与锁紧圈接触点处向一个方向释放，防止两个相互靠近的受力点共同作用晶圆边缘致使晶圆边缘缺角，在不影响设备工艺参数的情况下，降低了所述晶圆发生缺角的几率。
一种锁紧圈及物理气沉积设备

[发明专利]双极型晶体管及其制造方法-CN201810683778.5有效
发明人：王学良;刘建华;袁志巧;闵亚能 -专利权人： 上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极型晶体管及其制造方法，双极型晶体管包括内置的续流二极管，续流二极管包括相邻的p型掺杂区和n型掺杂区，半导体衬底基片具有第一主面和第二主面，第一主面设置有第一目标掺杂区，第二主面设置有第二目标掺杂区，第一目标掺杂区为用于制作p型掺杂区的区域，第二目标掺杂区为用于制作n型掺杂区的区域，制造方法包括：向第一目标区域中掺杂p型杂质离子，以形成p型掺杂区；向第二目标区域中注入氢离子，以形成n型掺杂区和复合中心，复合中心用于降低续流二极管的临界饱和电压以及加速反向恢复时间。本发明采用氢离子注入工艺在n型掺杂层中形成复合中心，能够加速内置的续流二极管的反向恢复速度，提高性能。
双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]VDMOS及其制造方法-CN201810683880.5有效
发明人：王学良;刘建华;袁志巧;闵亚能 -专利权人： 上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明公开了一种VDMOS及其制造方法，VDMOS包括内置的续流二极管，续流二极管包括相邻的p型掺杂区和n型掺杂区，半导体衬底基片具有第一主面和第二主面，第一主面设置有第一目标掺杂区，第二主面设置有第二目标掺杂区，第一目标掺杂区为用于制作p型掺杂区的区域，第二目标掺杂区为用于制作n型掺杂区的区域，制造方法包括：向第一目标区域中掺杂p型杂质离子，以形成p型掺杂区；向第二目标区域中注入氢离子，以形成n型掺杂区和复合中心，复合中心用于降低续流二极管的临界饱和电压以及加速反向恢复时间。本发明采用氢离子注入工艺在n型掺杂层中形成复合中心，能够加速内置的续流二极管的反向恢复速度，提高性能。
vdmos 及其制造方法

[发明专利]高耐压大电流增益的衬底PNP晶体管及其制造方法-CN201910486427.X有效
发明人：方园;张洁 -专利权人： 上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种高耐压大电流增益的衬底PNP晶体管及其制造方法，包括：制备P型衬底；P型衬底上表面生长N型外延层；N型外延层上表面注入硼离子并推进形成集电极下隔离区；N型外延层上表面注入硼离子并推进形成集电极上隔离区，集电极上、下隔离区上下连接在一起；N型外延层上表面注入硼离子并推进20±10％分钟，形成发射极内圆区；N型外延层上表面注入硼离子并推进形成发射极区域。本发明通过发射极内圆区20±10％分钟的炉管热预算对发射极区域的注入及推进进行预先增强，提高了发射极区域的空穴载流子发射效率，同时未减小发射极区域至P型衬底间的有效N型外延尺寸，实现了该晶体管同时具备大电流增益与高耐压能力。
耐压电流增益衬底 pnp 晶体管及其制造方法

[发明专利]场限环结构的制备方法及系统-CN202111050598.1在审
发明人：车鑫川;张洁;刘东栋 -专利权人： 上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种场限环结构的制备方法及系统，所述制备方法包括：预设环推进信息表，环推进信息表存储有制备场限环结构的高温炉管的环推进信息与应用场景的映射表，环推进信息包括环推进温度和环推进时长，应用场景包括应用设备和应用环境；获取当前场限环结构的当前应用场景；根据环推进信息表获取与当前应用场景对应的当前环推进信息；在当前场限环结构的环推进阶段基于当前环推进信息进行制备。本发明通过改变场限环结构的炉管推进的时间及温度，进一步实现有效增加终端柱状结的曲率半径，减少电场集中，使得原本器件击穿电压降低的问题得到解决，最终达到在不增加器件功耗的基础上提高了器件的击穿电压性能。
场限环结构制备方法系统

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