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[发明专利]砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法-CN202080096470.6在审
发明人： 上松康二;佐藤一成;中西文毅 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种具有主面的砷化镓单晶衬底，其中，在通过X射线光电子能谱法测定主面时，以三氧化二砷形式存在的As原子数相对于以五氧化二砷形式存在的As原子数之比为2以上，所述X射线光电子能谱法使用能量为150eV的X射线、并且将光电子的出射角度设定为5°。主面的算术平均粗糙度(Ra)为0.3nm以下。
砷化镓单晶衬底制造方法

[发明专利]III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法-CN201810174097.6有效
发明人：石桥惠二;八乡昭广;广村友纪;松本直树;中畑成二;中西文毅;柳泽拓弥;上松康二;关裕纪;山本喜之;善积祐介;三上英则 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法。所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。
iii 氮化物复合衬底半导体器件它们制造方法

[发明专利]III族氮化物晶体-CN201410411963.0有效
发明人： 上松康二;长田英树;中畑成二;藤原伸介 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种具有主面的III族氮化物晶体衬底，所述主面具有选自{20‑21}、{20‑2‑1}、{22‑41}和{22‑4‑1}中的面取向，所述III族氮化物晶体衬底的特征还在于满足下列条件中的至少一种：1×1016cm‑3以上且4×1019cm‑3以下的氧原子浓度，和6×1014cm‑3以上且5×1018cm‑3以下的硅原子浓度。由此，本发明能够提供具有面取向不同于{0001}的主面的高结晶度III族氮化物晶体。
iii 氮化物晶体

[发明专利]III族氮化物复合衬底及其制造方法以及制造III族氮化物半导体器件的方法-CN201380046378.9有效
发明人：石桥惠二;八乡昭广;广村友纪;松本直树;中畑成二;中西文毅;柳泽拓弥;上松康二;关裕纪;山本喜之;善积祐介;三上英则 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法，以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包括以下步骤直接或间接地将III族氮化物膜(13)和支撑衬底(11)彼此结合；以及减少彼此结合的III族氮化物膜(13)和/或支撑衬底的厚度。
iii 氮化物复合衬底及其制造方法以及半导体器件

[发明专利]III族氮化物复合衬底及其制造方法，层叠的III族氮化物复合衬底，以及III族氮化物半导体器件及其制造方法-CN201380073228.7无效
发明人：石桥惠二;柳泽拓弥;上松康二;关裕纪;山本喜之 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种III族氮化物复合衬底(1)，其具有75mm以上直径，包括彼此接合的支撑衬底(11)以及具有50nm以上且小于10μm厚度的III族氮化物膜(13)。III族氮化物膜(13)的厚度的标准偏差s_t与其厚度的平均值m_t的比率s_t/m_t为0.01以上且0.5以下，且III族氮化物膜(13)的主面(13m)和预定平面取向的平面之间的偏离角的绝对值的标准偏差s_o与偏离角的绝对值的平均值m_o的比率s_o/m_o是0.005以上且0.6以下。因此，提供一种低成本且大直径的III族氮化物复合衬底，一种制造III族氮化物复合衬底的方法，一种层叠的III族氮化物复合衬底，以及一种III族氮化物半导体器件及其制造方法，所述III族氮化物复合衬底具有具备小厚度、小厚度变化以及高结晶质量的III族氮化物膜且由此降低半导体器件的制造成本。
iii 氮化物复合衬底及其制造方法层叠以及半导体器件

[发明专利]GaN基膜的制造方法及为此使用的复合衬底-CN201180028976.4无效
发明人：佐藤一成;关裕纪;上松康二;山本喜之;松原秀树;藤原伸介;吉村雅司 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN基膜的制造方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底(10)包含：在氢氟酸中可溶的支持衬底(11)以及布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，所述支持衬底(11)的主表面(11m)内的热膨胀系数大于GaN晶体的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍；在布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的所述单晶膜(13)的主表面(13m)上形成GaN基膜(20)；以及通过将支持衬底(11)溶解在氢氟酸中来除去所述支持衬底(11)。因此，本发明提供能够有效地获得主表面面积大、翘曲较小且结晶性良好的GaN基膜的GaN基膜的制造方法以及为此使用的复合衬底。
gan 制造方法为此使用复合衬底

[发明专利]生长GaN晶体的方法和GaN晶体衬底-CN201180046545.0无效
发明人：藤原伸介;上松康二;长田英树 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-05-07 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供在具有从(0001)面以20°～90°角度倾斜的主表面的GaN籽晶衬底上生长具有较少堆垛层错的GaN晶体的GaN晶体生长方法，还提供具有较少堆垛层错的GaN晶体衬底。生长GaN晶体的方法包括：准备GaN籽晶衬底10的步骤，所述GaN籽晶衬底具有从(0001)面10c以20°～90°角度倾斜的主表面10m，和在所述GaN籽晶衬底10上生长GaN晶体20的步骤。所述GaN籽晶衬底10的杂质浓度与所述GaN晶体20的杂质浓度的差为3×1018cm-3以下。
生长 gan 晶体方法衬底

[发明专利]制造GaN基膜的方法-CN201180030507.6有效
发明人：佐藤一成;关裕纪;上松康二;山本喜之;松原秀树;藤原伸介;吉村雅司 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底包含支持衬底(11)和布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，在所述支持衬底(11)中在主表面(11m)中的热膨胀系数大于GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍，所述单晶膜(13)相对于垂直于所述单晶膜(13)的主表面(13m)的轴呈三重对称；和在所述复合衬底(10)中的所述单晶膜(13)的所述主表面(13m)上形成GaN基膜(20)的步骤。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大的主表面积和较小翘曲的GaN基膜。
制造 gan 方法

[发明专利]制造GaN基膜的方法-CN201110358558.3有效
发明人：藤原伸介;上松康二;山本喜之;佐藤一成 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括准备复合衬底的步骤，所述复合衬底包含支持衬底和布置在所述支持衬底的主表面侧上的单晶膜，在所述支持衬底中主表面的热膨胀系数比GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的1.0倍大且比其1.2倍小，所述单晶膜相对于垂直于所述单晶膜的主表面的轴呈三重对称；以及在所述复合衬底中的所述单晶膜的所述主表面上形成GaN基膜的步骤，所述复合衬底中的所述单晶膜为SiC膜。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大主表面积和较少翘曲的GaN基膜。
制造 gan 方法

[发明专利]制造GaN基膜的方法-CN201110359911.X无效
发明人：藤原伸介;上松康二;山本喜之;佐藤一成 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括准备复合衬底的步骤，所述复合衬底包含支持衬底和布置在所述支持衬底的主表面侧上的单晶膜，在所述支持衬底中主表面的热膨胀系数比GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍大且比其1.0倍小，所述单晶膜相对于垂直于所述单晶膜的主表面的轴呈三重对称；以及在所述复合衬底中的所述单晶膜的所述主表面上形成GaN基膜的步骤，所述复合衬底中的所述单晶膜为SiC膜。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大主表面积和较少翘曲而不会在衬底中产生裂纹的GaN基膜。
制造 gan 方法

[发明专利]氮化物半导体基板的制造方法-CN201080018752.0无效
发明人：长田英树;上松康二;中畑成二;中西文毅 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-06-28 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：提供一种抑制多晶生长、可高效制造以非极性面为主表面的氮化物半导体基板的制造方法，作为氮化物半导体基板的GaN基板的制造方法具有以下工序：准备衬底基板的工序(S10、S20)，该衬底基板由GaN构成，具有相对{1-100}面的偏离角为4.1°以上47.8°以下的主表面；在衬底基板的主表面上外延生长由GaN构成的半导体层的工序(S40)；从半导体层获取主表面是m面的GaN基板的工序(S50)。
氮化物半导体制造方法

[发明专利]第III族氮化物晶体物质的制造方法和制造装置-CN201110308166.6无效
发明人：笠井仁;冈久拓司;藤田俊介;松本直树;井尻英幸;佐藤史隆;元木健作;中畑成二;上松康二;弘田龙 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。
iii 氮化物晶体物质制造方法装置

[发明专利]III族氮化物晶体及其制造方法-CN201080002480.5无效
发明人： 上松康二;长田英树;中畑成二;藤原伸介 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种制造III族氮化物晶体的方法，在所述方法中能够在高晶体生长速率下生长具有主面的高结晶度III族氮化物晶体，所述主面的面取向不同于{0001}。本发明的制造III族氮化物晶体的方法包括：从III族氮化物块晶体1切割多个具有主面的III族氮化物晶体衬底10p和10q的步骤，所述主面10pm和10qm的面取向对于选自{20-21}、{20-2-1}、{22-41}和{22-4-1}中的晶体几何等价面取向的偏离角为五度以下；以相互邻接的方式横向布置所述衬底10p和10q使得所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm相互平行且所述衬底10p和10q的各个[0001]方向相互一致的步骤；以及在所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm上生长III族氮化物晶体20的步骤。
iii 氮化物晶体及其制造方法

[发明专利]生长GaN晶体的方法-CN200980127791.1无效
发明人： 上松康二;吉田浩章;森下昌纪;藤原伸介 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-07-14 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：本发明公开了生长GaN晶体的方法。所述方法包括以下步骤：准备具有一个主面(10m)并包含具有所述主面(10m)的GaxAlyIn1-x-yN晶体(10a)的衬底(10)；以及在800℃至1500℃的气氛温度和500至小于2,000atm的气压下使溶液(7)与所述衬底(10)的所述主面(10m)进行接触，在该状态下在所述主面(10m)上生长GaN晶体(20)，其中该溶液(7)通过使氮(5)溶解在Ga熔融体(3)中而制得。所述方法在所述准备衬底(10)的步骤之后并且在所述生长GaN晶体(20)的步骤之前还包括腐蚀所述衬底(10)的所述主面(10m)的步骤。因此，在不将原料以外的任何杂质添加到熔融体中并且不需要增加晶体生长装置尺寸的情况下，可以生长具有低位错密度和高结晶度的GaN晶体。
生长 gan 晶体方法

[发明专利]GaN单晶衬底、基于GaN的半导体器件及它们的制造方法-CN201010243313.1有效
发明人：藤原伸介;上松康二;长田英树;中畑成二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供GaN单晶衬底、基于GaN的半导体器件及它们的制造方法。所述GaN单晶衬底具有面积为10cm2以上的主面，所述主面具有相对于(0001)面和(000-1)面中的一个面以65°～85°倾斜的面取向，所述衬底具有在所述主面中载流子浓度基本均匀分布、在所述主面中位错密度基本均匀分布和光弹性变形值不超过5×10-5中的至少一种特性，所述光弹性变形值通过在25℃环境温度下在垂直于所述主面施加光时在所述主面中任意点处的光弹性测得。因此，能够获得GaN单晶衬底，所述GaN单晶衬底适用于制造具有小的特性偏差的基于GaN的半导体器件。
gan 衬底基于半导体器件它们制造方法

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