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[发明专利]磁性存储单元及计算机设备-CN202310061098.0在审
发明人：王昭昊;王旻;王宸逸;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-01-20 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种磁性存储单元及计算机设备，所述磁性存储单元包括自旋轨道耦合层以及设于所述自旋轨道耦合层上的多个磁隧道结；所述自旋轨道耦合层包括至少三个朝向不同方向设置的用于分别输入自旋轨道矩电流的支路；至少两个所述支路的每个支路上设置有至少一个磁隧道结，且所述多个磁隧道结的易磁方向相同。本申请可实现多个磁隧道结的一次性数据写入，并且降低多磁隧道结的磁性存储单元的工艺复杂度，优化数据写入方式。
磁性存储单元计算机设备

[发明专利]多比特磁性存储单元的制作方法及存储单元-CN202310061173.3在审
发明人：王昭昊;王旻;史可文;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-01-20 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种多比特磁性存储单元的制作方法、单元及存储器，所述方法包括：形成自旋轨道矩层；在所述自旋轨道矩层上形成至少一个磁隧道结和至少一个磁性体，所述磁隧道结用于存储数据，所述磁性体用于为所述磁隧道结提供漏磁场，使得磁隧道结的不对称性增强，本发明可使读取裕度增加并降低功耗。
比特磁性存储单元制作方法

[发明专利]一种磁性多层膜及磁性存储器-CN202310026081.1在审
发明人：吴迪;李尚坤 -专利权人：苏州凌存科技有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种磁性多层膜及磁性存储器，其中，一种磁性多层膜包括第一磁性层和磁性存储器件，磁性存储器件包括第二磁性层和磁性存储单元，第二磁性层与第一磁性层叠层设置，磁性存储单元与第二磁性层背离第一磁性层的一侧的界面叠层设置，第一磁性层的尺寸分别大于第二磁性层的尺寸和磁性存储单元的尺寸。第一磁性层的形状为长条形，由于形状各向异性，第一磁性层磁矩沿长边方向排列。第一磁性层的磁矩与第二磁性层的磁矩相互耦合。由于耦合作用，第二磁性层的磁矩同样倾向于第一磁性层的长边方向排列。因此第二磁性层可以引入稳定的面内磁场，且磁性存储器件设置为多个，从而增加磁性存储器的存储密度。
一种磁性多层存储器

[发明专利]一种基于阈值开关忆阻器的真随机数发生器及其制备方法-CN202211604989.8在审
发明人：王中强;卞景垚;陶冶;徐海阳;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，公开了一种基于阈值开关忆阻器的真随机数发生器(TRNG)及其制备方法。基于有机材料的TRNG并且利用特定官能团和离子之间相互作用的内在变化作为熵源，将弛豫时间中物理过程的变化视为一种内部随机性。此外，TRNG中的随机密钥还可以用来对图像信息进行加密。本发明电路设计简单，能耗低，为物联网时代提供了硬件安全解决方案。
一种基于阈值开关忆阻器随机数发生器及其制备方法

[发明专利]磁阻装置及其形成方法-CN201810936272.0有效
发明人：巫建勋;李建辉;萧智仁;陈永祥 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻装置及其形成方法，该磁阻装置包含磁阻、保护层、第一导电结构、以及第二导电结构。磁阻设置于衬底之上，并且保护层形成于部分磁阻上。第一导电结构设置于保护层结构上，包含下阻挡层和设置于下阻挡层上的金属层。第二导电结构设置于衬底之上并部分覆盖磁阻，且第二导电结构包含上述下阻挡层和上述金属层。本发明利用在磁阻材料层上形成保护材料层，接着将磁阻材料层和保护材料层一起图案化，保护层只有形成在磁阻上，未覆盖其他区域。因此，在后续的工艺中，保护层不再会从磁阻的图案边缘裂开，这避免了磁阻的图案边缘发生局部剥离的问题，进而提升磁阻装置的制造良品率。
磁阻装置及其形成方法

[发明专利]将氧化镁插入磁性记忆体应用所用的自由层-CN201880018932.5有效
发明人：裘地·玛丽·艾维塔;真杰诺;童儒颖;王柏刚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：揭露的磁穿隧接面中，自由层与第一金属氧化物(高介电常数增进层)与第二金属氧化物(穿隧阻障层)分别具有第一界面与第二界面，可产生垂直磁向异性以增加热稳定性。在一些实施例中，金属簇形成于自由层中，之后通过捕获氧可部分或完全氧化金属簇，以产生额外的自由层/氧化物界面，其可增进垂直磁向异性、提供可接收的电阻×面积值、并维持磁阻比例。在其他实施例中，自由层中连续或不连续的金属层(M)或合金层(MQ)可与捕获的氧反应形成部分氧化的金属层或合金层，其增进垂直磁向异性并维持可接受的电阻×面积值。M系镁、铝、硼、钙、钡、锶、钽、硅、锰、钛、锆、或铪，而Q系过渡金属、硼、碳、或铝。
氧化镁插入磁性记忆体应用所用自由

[发明专利]磁隧道结单元、磁存储单元以及存储器-CN202310027053.1在审
发明人：张洪超;吕术勤;王乐;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种磁隧道结单元、磁存储单元以及存储器，涉及磁性电子器件技术领域。本发明的磁隧道结单元，包括依次堆叠的自旋轨道转矩层、翻转场提供层、插入层、自由层、隧穿层势垒层和参考层。其中，翻转场提供层为磁性膜，通过改变磁性膜材料改变翻转场提供层的磁矩方向；翻转场提供层打破自由层磁矩的反演对称性，对磁隧道结单元施加电压，自由层的磁矩在电压和翻转场提供层的辅助下发生翻转。通过不同磁矩方向的翻转场提供层来辅助存储器件实现无场翻转。可以适用于晶圆尺寸且膜层制备简单，通过翻转场提供层减小工作电流，降低功耗。同时，在翻转场提供层与自由层之间加入非磁性材料作为插入层，在降低分流的同时可以起到阻挡扩散的目的。
隧道单元存储以及存储器

[发明专利]磁性存储单元及其制备方法、磁性存储阵列、存储器-CN202310012165.X在审
发明人：商显涛;王文文;孙慧岩;秦颖超;卢世阳;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性存储单元及其制备方法、磁性存储阵列、存储器，涉及磁性存储器技术领域。本发明的一种磁性存储单元，包括依次堆叠的底电极、第一自由层、第二自由层、隧穿层和参考层，其中，所述第一自由层通过至少一种磁性材料与至少一种非磁性材料多靶共溅射形成；第二自由层通过磁性材料溅射形成。本发明的磁性存储单元，共溅射形成第一自由层，能有效降低自由层总饱和磁化强度Ms且不降低器件的隧穿磁阻MR。因翻转电流Ic和Ms正相关，从而有效降低翻转电流，降低功耗。
磁性存储单元及其制备方法阵列存储器

[发明专利]一种反铁磁隧道结及其制备方法-CN202310332044.3在审
发明人：刘知琪;冯泽鑫 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种反铁磁隧道结及其制备方法，首先在单晶硅晶圆上沉积绝缘氧化物层，然后在绝缘氧化物层上沉积共线反铁磁钉扎层，随后在共线反铁磁钉扎层上依次沉积非共线反铁磁参考层、隧穿层和非共线反铁磁自由层，结合光刻工艺，最终在硅晶圆上实现具有绝缘氧化层‑共线反铁磁钉扎层‑非共线反铁磁参考层‑隧穿层‑非共线反铁磁自由层的全反铁磁隧道结，由于绝缘氧化物层为单晶膜层，因此能够提高共线反铁磁钉扎层的质量，增大非共线反铁磁参考层和共线反铁磁钉扎层之间的交换偏置作用，提高器件可靠性，同时，该反铁磁隧道结可在硅晶圆上大规模制备，易于集成，具有写入速度快、存储密度高的优势。
一种反铁磁隧道及其制备方法

[发明专利]磁阻抗传感器元件-CN202180055984.1在审
发明人：山本道治;山下隆介;板渊史刊;立松峻一 -专利权人：爱知制钢株式会社
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：磁阻抗传感器元件(1)具有电磁特性根据从外部作用的磁场而变化的磁感应体(2)以及卷绕于磁感应体(2)的检测线圈(3)，构成为：通过在磁感应体(2)中通脉冲电流或高频电流，从而从检测线圈(3)输出与作用于磁感应体(2)的磁场的强度对应的电压。磁感应体(2)具有第一磁感应部(21)和第二磁感应部(22)，脉冲电流或高频电流在第一磁感应部与第二磁感应部中彼此反向流动。
磁阻传感器元件

[发明专利]磁性隧道结结构及磁性随机存储器-CN201911098275.2有效
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括四亚层的多层材料结构形成的覆盖层。本申请通过多层覆盖层结构设计，可在结电阻面积积缩小的前提下，保持相对较高的隧穿磁阻率，同时避免覆盖层在沉积或/和退火工艺中，被沉积的金属穿过覆盖层，而到达自由层/底部覆盖层的界面，以保持热稳定性。
磁性隧道结构随机存储器

[发明专利]自旋轨道矩磁存储器及其制作方法、存储设备-CN202080103449.4在审
发明人：秦青;周雪;刘熹 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种自旋轨道矩磁存储器及其制作方法、存储设备，涉及存储器领域，提供一种无需外部磁场的自旋轨道矩磁存储器；该自旋轨道矩磁存储器包括自旋轨道矩提供层和垂直磁性隧道结；磁性隧道结包括层叠设置的自由层、遂穿层和参考层；自旋轨道矩提供层包括相对的第一表面和第二表面；自由层设置在自旋轨道矩提供层的第一表面上；自旋轨道矩磁存储器还包括设置在自旋轨道矩提供层的第一表面或第二表面上的绝缘介质层，绝缘介质层中在位于垂直磁性隧道结相对的两侧区域设置有第一过孔和第二过孔，且第一个过孔和第二过孔中填充有铁磁材料。
自旋轨道磁存储器及其制作方法存储设备

[发明专利]一种基于反铁磁的多态存储器单元-CN202211708009.9在审
发明人：郭宗夏;张洪超;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种基于反铁磁的多态存储器单元，本发明涉及自旋电子器件技术领域，用于解决现有技术中无法实现单器件的多bit存储以及难以实现数据写入的问题。包括：磁隧道结、作为电流写入线的底电极层；磁隧道结用于存储数据，底电极层用于提供自旋轨道矩对数据进行写入；磁隧道结至少包括：固定层、势垒层和自由层；自由层与反铁磁层相邻，且反铁磁层和自由层之间形成交换偏置；在对应的底电极上施加电流，以将自由层和交换偏置的方向翻转至与电流垂直方向；通过在不同角度的电流写入线中施加电流来调控自由层和交换偏置翻转角度，以在整个磁阻范围内获得更多中间态。不仅可以实现数据的无磁场写入，还能实现极其稳定的多bit存储。
一种基于反铁磁存储器单元

[发明专利]一种磁存储阵列的测试结构及测试方法-CN202111224186.5在审
发明人：杨保林;何世坤 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储阵列的测试结构及测试方法，测试结构包括下金属层、上金属层、磁隧道结阵列、原位磁场结构，磁隧道结阵列中包含有待测磁存储器件。原位磁场结构包括环绕待测磁存储器件的至少一匝金属线圈。通过在磁隧道结阵列的上下两个进行层的至少一个金属层内设置原位磁场结构，能够通过向至少一匝金属线圈通电流，以给作为单个或几个磁隧道结组成的待测磁存储器件施加垂直磁场，测试待测磁存储器件在读写过程中抗外磁场的干扰性能。且还能够通过原位磁场，计算出待测磁存储器件的热稳定因子等重要参数，以在WAT测试中能够获取到待测磁存储器件的部分磁性能参数，使测试结果能够反映磁隧道结阵列特性。
一种存储阵列测试结构方法

[发明专利]垂直自旋转移矩磁机构-CN201680091194.8有效
发明人： J·布罗克曼;C·维甘德;M·T·拉赫曼;D·韦莱特;A·史密斯;J·阿尔萨特维纳斯科;C·郭;M·多齐;K·奥乌兹;K·奥布莱恩;B·多伊尔;O·戈隆茨卡;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：一种装置包括：磁隧道结(MTJ)，其包括自由磁层、固定磁层、以及在自由层和固定层之间的隧道势垒，所述隧道势垒直接接触自由层的第一侧；覆盖层，其接触自由磁层的第二侧；以及硼吸收层，其位于覆盖层上方的固定距离处。
垂直自旋转移机构