专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种钾掺杂二维钙钛矿薄膜的制备方法-CN202210775814.7在审
  • 毕世青;屈倩倩;周金肖;奚小艳;王憨鹰 - 榆林学院
  • 2022-07-03 - 2022-09-27 - H01L51/46
  • 本发明公开了一种钾掺杂二维钙钛矿薄膜的制备方法,涉及钙钛矿薄膜的技术领域,所述制备方法包括下述操作步骤:S1、ITO导电玻璃氧化铟锡的清洗;S2、二维钙钛矿前驱体溶液的制备;S3、钾掺杂二维钙钛矿前驱体溶液的制备;S4、ITO玻璃的预处理和S5、钾掺杂二维钙钛矿溶液的旋涂。该钾掺杂二维钙钛矿薄膜的制备方法,采用碘化钾掺杂二维钙钛矿的方法来改善薄膜的成膜质量和稳定性,通过K离子掺杂修饰,二维钙钛矿的成膜质量明显提高,致密性和均匀性均得到了提高,进而提升了薄膜的稳定性。
  • 一种掺杂二维钙钛矿薄膜制备方法
  • [发明专利]优化碳电极界面传导的碳纳米管复合spiro-OMeTAD空穴传输层及其制备方法-CN202210714058.7在审
  • 朱丽萍;江南 - 浙江大学;浙江大学温州研究院
  • 2022-06-22 - 2022-09-23 - H01L51/46
  • 本发明公开了一种优化碳电极界面传导的碳纳米管复合spiro‑OMeTAD空穴传输层及其制备方法,本发明采用多壁碳纳米管代替传统用于增加spiro‑OMeTAD导电性的掺杂剂tBP和Li‑TFSI,将多壁碳纳米管均匀分散到无掺杂的spiro‑OMeTAD原溶液中,通过一步旋涂法在钙钛矿表面形成碳纳米管‑spiro‑OMeTAD复合空穴传输层。该方法既调整了太阳能电池的能带结构,并且增强了spiro‑OMeTAD空穴传输层导电性,改善了Li‑TFSI等小分子掺杂导致的spiro‑OMeTAD层吸湿性大的缺点,再者扦插式分布的碳纳米管有助于碳电极与钙钛矿层的接触,使含有此结构的碳电极太阳能电池效率和稳定性得到显著提升。本发明易于操作、原料易得,得到的碳电极太阳能电池效率高、抗湿性强,有利于促进低成本碳电极钙钛矿太阳能电池在实际应用领域的发展进程。
  • 优化电极界面传导纳米复合spiroometad空穴传输及其制备方法
  • [发明专利]一种双注入倍增型有机光电探测器及其制备方法-CN202010614343.2有效
  • 安涛;张俊 - 西安理工大学
  • 2020-06-30 - 2022-09-23 - H01L51/46
  • 本发明公开了一种双注入倍增型有机光电探测器及其制备方法,包括玻璃基片,玻璃基片表面上镀有ITO电极层,ITO电极层由下而上依次涂覆有阳极缓冲层、活性层、Al电极层;阳极缓冲层的材料为C60,活性层的材料为P3HT、PC61BM及C70的混合物,P3HT、PC61BM及C70形成体异质结。在器件中添加C60作为空穴阻挡层,同时在活性层采用掺入少量C70材料作为电子陷阱,增加空穴的隧穿注入,提高外量子效率,降低光电流,提高探测器光电性能;工作电压小,在‑1V的小偏压下即可工作;本发明的双注入倍增型有机光电探测器的制备方法,操作简单,易于实现。
  • 一种注入倍增有机光电探测器及其制备方法

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