“H01L51/46”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果543个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种螯合化钙钛矿材料、薄膜、器件及其制备方法和应用-CN202010217117.0在审
发明人：杨化桂;何敬敬;杨双;侯宇 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种螯合化钙钛矿材料、薄膜、器件及其制备方法和应用。是将螯合剂添加在钙钛矿的溶液中制得；所述的螯合剂，包括具有配位原子能和金属离子产生配位的络合剂或螯合剂，或通过络合剂或螯合剂与相应的金属离子配位反应后形成的螯合物或络合物；本发明有效的钝化钙钛矿薄膜本体缺陷及表面缺陷，减少载流子的非辐射复合，从而有效的提升钙钛矿太阳能电池的效率及长期运作稳定性。
一种螯合化钙钛矿材料薄膜器件及其制备方法应用

[发明专利]一种铟化物掺杂的钙钛矿薄膜、制备方法及其应用-CN202010146860.1在审
发明人：王照奎;廖良生;李小梅 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池领域，公开了一种铟化物掺杂的钙钛矿薄膜、制备方法及其应用。所述的钙钛矿薄膜由钙钛矿前驱体溶液通过旋涂的方法制备而成，所述的钙钛矿前驱体溶液中添加有三碘化铟，进而减缓钙钛矿材料的结晶过程，从而获得晶粒更大、晶界更少的薄膜。本发明的制备方法简单，节约生产成本；同时，可以很好地改善钙钛矿薄膜的结晶情况，减少缺陷的产生，进而抑制载流子复合，有利于提高器件性能。另外，由于晶界的减少，外界水氧环境对于材料的分解减慢，能够有效促进薄膜与全无机钙钛矿太阳能电池器件稳定性的提升。
一种铟化物掺杂钙钛矿薄膜制备方法及其应用

[发明专利]一种基于磁场效应旋涂工艺的有机光电探测器及制备方法-CN201811081497.9有效
发明人：于军胜;韩于;张晓华;刘德胜 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁场效应旋涂工艺的有机光电探测器及制备方法，属于有机半导体薄膜光电探测器领域；有机光电探测器包括从下至上依次设置的基板、电子传输层、光活性层、空穴传输层和金属阳极，所述基板包括从下至上设置的衬底和透明导电阴极，所述光活性层包括分布均匀的薄膜，所述薄膜由混合配制的电子给体材料、电子受体材料和有机磁性材料经过磁场效应旋涂工艺制成；本发明采用磁场旋涂工艺制备掺杂有机磁性材料的光活性层，解决现有采用一般旋涂工艺制备的活性层薄膜厚度不均匀导致有机光电探测器性能差的问题，达到了提高光电流密度、减小暗电流，提高器件性能的效果。
一种基于磁场效应工艺有机光电探测器制备方法

[发明专利]一种基于有机场效应管的光敏传感器及其制备方法-CN201811091002.0有效
发明人：于军胜;邵炳尧;庄昕明;侯思辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的光敏传感器及其制备方法，该制备方法，包括：对衬底进行清洗和干燥处理；采用金属纳米线，在清洗和干燥处理后的所述衬底的表面制备栅电极；将有机介电材料按比例进行超声配比，然后用配比后的溶液，在所述栅电极上面制备介电层；将有机半导体材料与叶绿素按比例进行超声混合，然后用混合后的溶液，在介电层上制备半导体层；采用金属纳米线，在所述半导体层上制备源电极和漏电极；采用虫胶，在所述源电极和漏电极上面制备封装层。本发明通过采用有机半导体材料与叶绿素的混合材料制备光敏传感器的半导体层，使得制备的光敏传感器相比传统的光敏传感器，具有高响应度和高稳定性的特点。
一种基于有机场效应光敏传感器及其制备方法

[发明专利]有机光电二极管中有机光电转换层的P活性材料-CN201880068823.4在审
发明人：西尔维娅·罗塞利;尼古劳斯·克诺尔;安东尼·罗伯茨;特森卡·米特瓦;加布里埃莱·内尔斯;维托尔·戴希曼;大卫·丹纳;威廉姆·E·福德;丹尼斯·切尔卡;弗拉基米尔·雅库特金;拉尔斯·彼得·舍勒 -专利权人：索尼公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本公开涉及透明P材料及其在吸收层、光电转换层和/或有机图像传感器中的用途及其合成方法。
有机光电二极管光电转换活性材料

[发明专利]一种铁电畴定义的MoTe2-CN202010126498.1在审
发明人：王建禄;伍帅琴;吴广健;王旭东;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电畴定义的MoTe2面内PN结及制备方法。PN结结构自下而上依次是绝缘衬底、金属底电极、铁电功能层、过渡金属硫族化合物双极性半导体MoTe2和石墨烯电极。器件的制备步骤是先运用紫外光刻或者电子束光刻的方法结合热蒸发、剥离工艺在绝缘衬底上制备左右两个金属底电极，然后用旋涂法在底电极上制备铁电薄膜，随后通过机械剥离法将双极性半导体MoTe2转移至铁电薄膜上，然后通过机械剥离工艺获得石墨烯并转移至MoTe2上作为电极，最后分别给左右两个底电极施加正向和负向电压脉冲调节铁电薄膜的极化方向相反，从而将双极性半导体两边调节成电子和空穴导电，形成面内PN结。该类PN结具有典型的整流特征，无需一直施加外加栅压，稳定性好等特点。
一种铁电畴定义 mote base sub

[发明专利]CuPbSbS3-CN201811517637.2有效
发明人：唐江;刘雨昊;杨波;张慕懿 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种CuPbSbS3新型薄膜太阳能电池及其制备方法，其中CuPbSbS3新型薄膜太阳能电池具体是以CuPbSbS3薄膜作为吸光层；制备方法则是采用BDCA溶液法制备CuPbSbS3前驱溶液，再将所述CuPbSbS3前驱溶液旋涂于待沉积衬底的表面，然后将该衬底依次经过退火温度高低不同的低温退火过程和高温退火过程，由此得到CuPbSbS3薄膜。本发明以CuPbSbS3薄膜为薄膜太阳能电池中的吸光层材料，可推动低成本、高效率新型薄膜太阳能电池的发展；该CuPbSbS3材料具有本征P型、禁带宽度适中、介电常数与光吸收系数较大的特点，非常适合用于薄膜太阳能电池吸光层材料。
cupbsbs base sub

[发明专利]一种大面积钙钛矿太阳能电池-CN201811319720.9在审
发明人：王萌;韩阳 -专利权人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种大面积钙钛矿太阳能电池，包括：导电玻璃；空穴传输层，位于所述导电玻璃上；复合钙钛矿吸光层，位于所述空穴传输层上；电子传输层，位于所述复合钙钛矿吸光层上；空穴阻挡层，位于所述电子传输层上；对电极，位于所述空穴阻挡层上。本发明实施例通过设置复合钙钛矿吸光层，其中不同材料的钙钛矿膜在空穴传输层上间隔排列，可以促进光生载流子在钙钛矿吸光层横向流动，从而使得钙钛矿膜中载流子分布均匀，弥补钙钛矿膜的界面缺陷，改善钙钛矿膜连续性和均匀性不佳的问题，从而提高太阳能的转换效率，为大面积钙钛矿膜的制备奠定基础。
一种大面积钙钛矿太阳能电池

[发明专利]一种铪掺杂氧化锌的光电探测器及其制备方法-CN201911404847.5在审
发明人：叶葱 -专利权人：武汉明芯储能光电科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种铪掺杂氧化锌的光电探测器及其制备方法，器件结构为FTO/Hf‑ZnO/CH3NH3PbI3/spiro‑OMe TAD/Au，该器件展示了8.95％的光电转换效率。同时，此器件展示了较好的光电响应性能，其值在0偏压下高达7.0A/W；而真空退火的器件的探测度最高，达到1002的响应度。本发明操作步骤简单，实验成本低廉，制作的探测器具有较高的响应度和探测灵敏度。
一种掺杂氧化锌光电探测器及其制备方法

[发明专利]有机太阳能电池及其制造方法-CN201580023683.5有效
发明人：李幸根;张松林;李载澈;李志永;崔斗焕;方志原 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明涉及有机太阳能电池及其制造方法。
有机太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种无空穴传输层的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201811517285.0有效
发明人：杨祚宝;张小红;侯慧林;王霖;陈善亮;刘乔;杨为佑 -专利权人：宁波工程学院
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，具体涉及一种无空穴传输层的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池依次层叠设置导电玻璃、发光层、电子传输层和金属电极；所述发光层为分子式为CsSn1‑xPbxI3的Sn‑Pb合金钙钛矿薄膜，其中0＜x＜1。通过使用CsSn1‑xPbxI3钙钛矿材料作为发光层实现了无空穴传输层太阳能电池的制备，进一步简化电池结构，降低了成本。且该基于CsSn1‑xPbxI3的无HTM太阳能电池具有稳定的光电转化效率，无明显滞后性。
一种空穴传输无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]钨掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201911298995.3在审
发明人：王海斌;赵春;赵策洲;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池，一种钨掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池，包括由下至上依次层叠设置的基底、电子传输层、吸光层、空穴传输层和上电极层；所述基底包括透明玻璃层和下电极层；所述电子传输层为钨掺杂的二氧化钛薄膜。采用低温（100℃）溶液法制备太阳能电池的电子传输层，并且掺杂钨元素来提升电子传输性能，同时在电子传输层和光吸收层中加上一层PCBM进行界面修饰，大大提升了钙钛矿太阳电池的效率。
掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种阴极修饰层及其制备方法和应用-CN201710654169.2有效
发明人：赵斌;张治权;黄美华 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种阴极修饰层及其制备方法和应用。该阴极修饰层由聚乙烯亚胺衍生物与卤化物的交联聚合物构成，卤化物为含两个或两个以上卤素原子的化合物，其厚度适用范围宽，在5nm～100nm范围内均可高效地传输电子，故可采用印刷、喷涂等工艺来制备有机太阳能电池或钙钛矿太阳能电池用的阴极修饰层。制备方法包括聚乙烯亚胺衍生物与卤化物的交联聚合物溶液的制备及涂覆于ITO导电玻璃上加热烘干。本发明的阴极修饰层具有制备工艺简单、电导率高、电子迁移率高、稳定性好等特点，因而可促进有机太阳能电池和钙钛矿太阳能电池的实用化。
一种阴极修饰及其制备方法应用

[发明专利]光电转换元件、太阳能电池及空穴传输材料-CN201880050424.5在审
发明人：佐藤宽敬 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明提供一种感光层中含有钙钛矿化合物并且显示高填充因数的光电转换元件及太阳能电池、以及空穴传输材料。光电转换元件具有：感光层，在形成第1电极的导电性支撑体和与第1电极对置的第2电极之间包含光吸收剂；及空穴传输层，层叠于该感光层，感光层所含有的光吸收剂至少包含具有钙钛矿型晶体结构的化合物，空穴传输层含有由特定式表示的空穴传输材料。
光电转换元件太阳能电池空穴传输材料

[发明专利]用于有机光电装置的组合物、有机光电装置及显示装置-CN201910950006.8在审
发明人：李南宪;姜东敏;金东映;金俊奭;李炳官;李相信;柳银善;郑镐国;崔钟雨 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：公开了一种用于有机光电装置的组合物、有机光电装置及显示装置，所述组合物包含由化学式1和化学式2的组合表示的用于有机光电装置的第一化合物和由化学式3表示的用于有机光电装置的第二化合物。在化学式1至化学式3中，每个取代基与说明书中所描述的相同。
用于有机光电装置组合显示装置