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[实用新型]单元像素及显示器装置-CN202122198412.9有效
发明人：车南煹;金相民;朴砚圭 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单元像素及显示器装置。根据本实用新型的一实施例的单元像素包括：透明基板，具有上表面及下表面；多个发光元件，整齐排列于所述透明基板的上表面上部；以及反射器，布置于所述多个发光元件与所述透明基板之间，其中，从所述多个发光元件发出的光构成为通过所述透明基板的上表面及下表面而向外部发出，所述反射器构成为反射从所述透明基板的内部行进到所述透明基板的上表面的光。
单元像素显示器装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202111283534.6在审
发明人：杨人龙;张丽明;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括外延层、第一反射层、第二反射层以及位于第一反射层上的第一焊盘与第二焊盘，外延层包括依次堆叠的第一半导体层、发光层以及第二半导体层；第一反射层位于外延层上，并具有第一开口与第二开口；第二反射层位于外延层上；第一焊盘与第二焊盘分别通过第一开口与第二开口电连接至第一半导体层与第二半导体层；其中，其中，第二反射层对于具有第一入射角的光线的反射率高于第一反射层对于具有第一入射角的光线的反射率，第一入射角大于等于40°。借此设置，可提升发光二极管的侧面出光量，增大发光角度。
发光二极管发光装置

[发明专利]增加侧向出光的发光二极管芯片及其制备方法-CN202111164551.8在审
发明人：刘小星;尹灵峰;张威;卫婷;魏柏林 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本公开提供了增加侧向出光的发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。位于p型GaN层一侧的第一布拉格反射镜与位于衬底的第二表面的第二布拉格反射镜，增加侧面出光率。使第一布拉格反射镜的反射层材料与第二布拉格反射镜的反射层材料相同，且第二布拉格反射镜的反射波带宽大于或等于第一布拉格反射镜的反射波长带宽，一方面可以便于芯片的制备，另一方面第二布拉格反射镜配合第一布拉格反射镜，可以将更长带宽内的光线以及更大反射角度反射内的光线从芯片的p型GaN层一侧以及芯片的侧面进行出光，提高发光二极管的侧面出光率以使得芯片可以应用至需求光角较大的场景。
增加侧向发光二极管芯片及其制备方法

[实用新型]发光元件、单元像素及显示装置-CN202122309961.9有效
发明人：车南煹;朴砚圭;金相民 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种发光元件、单元像素及显示装置。根据一实施例的发光元件作为微米级的发光元件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；绝缘层，覆盖所述半导体堆叠件的上表面及侧表面；以及金属反射层，布置于所述绝缘层上，覆盖所述半导体堆叠件的侧表面的至少一部分，其中，所述绝缘层包括分布式布拉格反射器。
发光元件单元像素显示装置

[发明专利]发光器件的制作方法-CN202110893011.7在审
发明人：盛东洋;杨然翔;陈旋宇 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光器件的制作方法，包括：在衬底上形成多个LED单元，相邻两个LED单元之间间隔一隔离槽；在衬底上形成DBR膜层，DBR膜层覆盖LED单元和隔离槽；在DBR膜层上形成一凹槽，凹槽位于隔离槽，且凹槽自DBR膜层的表面延伸至衬底；以及透过凹槽在衬底上形成一切痕，切痕用于裂片。通过在DBR膜层开设凹槽，并透过凹槽在衬底上形成切痕，后续裂片时，对衬底施力，能够较为容易的使得衬底沿着切痕裂开，不需要再使用划片机等在衬底上切割，由于切痕形成在相邻两个LED单元之间的隔离槽处，不需要位置精准的辨识，裂片时不会损伤LED单元，能避免切割异常，提升良率。
发光器件制作方法

[发明专利]Micro-LED芯片结构及其制作方法-CN202111285592.2在审
发明人：庄永漳 -专利权人：镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种Micro‑LED芯片结构及其制作方法。所述Micro‑LED芯片结构包括：第一基板，多个阵列排布的LED单元，设置在所述第一基板上，所述LED单元与所述第一基板电连接，并且，所述LED单元包括第一反射器层、LED半导体层和第二反射器层，所述LED半导体层设置于所述第一反射器层与第二反射器层之间；所述LED单元具有台阶结构，使得相邻的LED单元能够独立的被驱动，并且所述第一反射器层、所述LED半导体层和所述第二反射器层被配置成共同提供谐振腔。本发明提供的一种Micro‑LED芯片结构可以提升出光量、增强波长稳定性，并提高出光准直性和发光效率。
micro led 芯片结构及其制作方法

[发明专利]微型发光二极管显示面板及其形成方法-CN202111279519.4在审
发明人：骆那登穆鲁根;孙圣渊;邱柏崴 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种微型发光二极管显示面板及其形成方法，所述微型发光二极管显示面板包括：线路基板；多个微型发光二极管，设置于线路基板上；以及反射层和吸光层，依序地堆栈于线路基板上。反射层和吸光层覆盖线路基板的表面，其中反射层和吸光层覆盖每个微型发光二极管的侧壁并露出每个微型发光二极管的顶面。多个反射堤和多个吸光堤系依序地设置于吸光层上，并露出微型发光二极管；以及颜色转换材料，覆盖微型发光二极管至少一个的顶面。颜色转换材料横向地设置于反射堤之间。反射层、吸光层、反射堤、以及吸光堤在显示方向上彼此重叠。
微型发光二极管显示面板及其形成方法

[发明专利]一种垂直结构LED芯片及其制作方法-CN202111422016.8在审
发明人：林志伟;崔恒平;蔡玉梅;陈凯轩;蔡海防 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，通过在基板表面依次设置键合层、金属反射镜、介质层以及外延叠层，其中，所述介质层具有介质孔，且所述金属反射镜通过填充于所述介质孔内的欧姆接触结构与所述外延叠层形成连接；一方面，使欧姆接触结构通过所述介质孔与第二型半导体层电性连接，保证电流的注入和导通；同时，解决了外延叠层与介质层、金属反射镜之间结合力弱的问题，从而提高芯片的可靠性。另一方面，使金属反射镜与介质层形成ODR反射结构，将外延叠层朝向基板一侧辐射的光线返回至外延叠层，并从出光侧辐射出去，提高出光效率。
一种垂直结构 led 芯片及其制作方法

[实用新型]一种具备顶部反射层的微型LED封装结构-CN202122281479.9有效
发明人：程天朗 -专利权人：中山中思微电子有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具备顶部反射层的微型LED封装结构，旨在提供一种导热性好、易于焊接及增强反射能力的具备顶部反射层的微型LED封装结构。本实用新型包括LED芯片、透光膜及两个对称设置的焊接片，所述透光膜围设在所述LED芯片及两个所述焊接片的外侧，所述LED芯片的两个电极均位于两个所述焊接片之间，所述LED芯片的两个电极及两个所述焊接片均外露在所述透光膜的底部，且均处于同一平面上，所述透光膜的上端面设置有反射介质层。本实用新型应用于芯片封装的技术领域。
一种具备顶部反射层微型 led 封装结构

[实用新型]一种具备底部反射层的微型LED封装结构-CN202122283436.4有效
发明人：程天朗 -专利权人：中山中思微电子有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具备底部反射层的微型LED封装结构，旨在提供一种导热性好、易于焊接及光效好的具备底部反射层的微型LED封装结构。本实用新型包括LED芯片、透光膜及两个对称设置的焊接片，所述透光膜围设在所述LED芯片及两个所述焊接片的外侧，所述LED芯片的两个电极均位于两个所述焊接片之间，所述LED芯片的两个电极及两个所述焊接片均外露在所述透光膜的底部，且均处于同一平面上，两个所述焊接片上均设置有反射层，所述反射层位于所述焊接片及所述透光膜之间。本实用新型应用于芯片封装技术领域的技术领域。
一种具备底部反射层微型 led 封装结构

[发明专利]DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及制造方法及显示面板-CN202011306041.5有效
发明人：王庆;何敏游;栗伟;陈大钟;洪灵愿;林素慧;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及其制造方法及显示面板，该DBR结构包括多个反射膜组，每一个反射膜组包括依次叠置的具有不同的折射率的第一材料层及第二材料层；多个反射膜组形成为第一膜堆结构及位于所述第一膜堆结构上方的第二膜堆结构，第一膜堆结构和第二膜堆结构均包括多个反射膜组；第二材料层包括氧化物，并且形成第一膜堆结构的第二材料层与形成第二膜堆结构的第二材料层的氧化物的氧含量不同。例如，第二膜堆结构的第二材料层的含氧量小于第一膜堆结构的第二材料层的氧含量。上述DBR结构中的第一膜堆结构实现对芯片内部的反射最大化，第二膜堆结构增加对布儒斯特角以及附近的光的吸收，从而降低芯片的正面透光率。
dbr 结构 led 芯片半导体发光器件制造方法显示面板

[发明专利]一种低折射率疏水性SiO2-CN202111052745.9在审
发明人：刘熠新;张飒;侯想;钟梦洁;陈峰;孔令滨;卢文瑞;罗荣煌 -专利权人：福建中晶科技有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：一种低折射率疏水性SiO2图形化蓝宝石衬底的制备方法，利用溶胶凝胶法制备SiO2溶胶，在蓝宝石衬底上旋涂溶胶后热处理使其形成低折射率疏水性SiO2薄膜，接着在其上均匀涂布一层紫外正向光刻胶，然后进行曝光和显影工艺，最后通过ICP干法刻蚀工艺得到低折射率疏水性SiO2图形化蓝宝石衬底，其光输出功率和亮度均有显著提高。相较于常规SiO2‑PSS衬底和常规PSS衬底，低折射率疏水性SiO2图形化蓝宝石衬底的LEE分别提高15％和45％。此外，具有很好的疏水性能，能够避免光刻胶出现脱胶现象，可省去涂胶前的增粘工艺，具有工艺简单、成本更低的优点，具有广阔的应用前景。
一种折射率疏水 sio base sub

[发明专利]微型发光二极管芯片及其制备方法-CN202110982053.8在审
发明人：兰叶;王江波;朱广敏;李鹏;吴志浩 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该微型发光二极管芯片包括：依次层叠的基板和发光结构；所述基板远离所述发光结构的表面设有多个凸起，在与所述基板远离所述发光结构的表面平行的方向上，所述凸起远离所述基板的边缘的侧面设有第一反射层。本公开实施例能增大微型发光二极管芯片的侧面出光比例，改善出射光的张角过小的问题，保证发光效果。
微型发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种倒装Mini-LED芯片及其制作方法-CN202111143189.6在审
发明人：何鹏 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本申请公开一种倒装Mini‑LED芯片及其制作方法，所述倒装Mini‑LED芯片包括：从一端到另一端依次堆叠形成台阶结构的出光调节层、衬底、接触层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层；还包括：形成于透明导电层上的P电极，形成于N型半导体层上的N电极，形成于P电极和N电极上的整面的布拉格反射层，形成于布拉格反射层上方且对应N电极的N焊接层，以及形成于布拉格反射层上方且对应P电极的P焊接层；所述出光调节层包括厚度为的金属层。本申请的技术方案能够调节倒装Mini‑LED芯片出光强度，同时金属膜属于全反射膜，不受入射角度的影响，相比于布拉格反射层，光强调节更均匀。另外，因为金属都具有韧性，不会存在崩角的情况。
一种倒装 mini led 芯片及其制作方法

[发明专利]共阴极LED芯片及其制作方法-CN201911202411.8有效
发明人：刘权锋;庄文荣;孙明;王印;卢敬权 -专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种共阴极LED芯片及其制作方法，芯片包括p型半导体层、发光层、n型半导体层、凹槽、连接层、透明导电层、量子点层及保护层，凹槽贯穿n型半导体层、发光层及p型半导体层，以隔离出多个LED单元，连接层横跨于凹槽上，其两端分别与相邻两LED单元的n型半导体层接触，实现相邻的LED单元的阴极共连。本发明的LED芯片，采用共阴极设计，可将多个LED芯片整合为一个整体，转移量为传统方法的三分之一以下，且芯片尺寸较单颗芯片大，转移难度相对较低，可解决现有Micro LED转移难度大、转移次数多、较低转移良率和相邻LED间颜色窜扰的问题。
阴极 led 芯片及其制作方法