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[发明专利]光传感器-CN201711237185.8在审
发明人：石川弘树 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：本发明提供能够实现小型化的光传感器。光传感器(1)包括基板(2)、发光元件(3)、光接收元件(4)、电气元器件(9)。发光元件(3)安装于基板(2)的表面(2A)。光接收元件(4)被安装于基板(2)的表面(2A)的不同于发光元件(3)的位置。电气元器件(9)安装于基板(2)的背面(2B)。电气元器件(9)与发光元件(3)和光接收元件(4)电连接。电气元器件(9)被配置在与发光元件(3)和光接收元件(4)重合的位置。
发光元件电气元器件光接收元件基板光传感器电连接重合背面配置

[发明专利]光耦合器-CN201810357457.6在审
发明人：蒋国军;黄柏杰;李名京 -专利权人：亿光电子工业股份有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种光耦合器，包括：至少一个发光芯片，设置于第一连接区上；至少一个感光芯片，设置于第二连接区上；绝缘结构，设置于所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片之间，用于隔离电场；第一胶体，用于覆盖所述至少一个发光芯片、所述至少一个感光芯片、所述第一连接区、所述第二连接区以及绝缘结构；第二胶体，用于覆盖所述第一胶体；以及基板，具有凹槽，其中，所述第一连接区和所述第二连接区设置在所述基板中，所述至少一个发光芯片设置于所述凹槽内且与所述第一连接区电性连接，所述至少一个感光芯片设置于所述凹槽内且与所述第二连接区电性连接，所述第一胶体和所述第二胶体设置于所述凹槽内。
连接区发光芯片感光芯片电性连接光耦合器绝缘结构基板隔离电场覆盖

[发明专利]受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置-CN201380043214.0有效
发明人：藤本直树 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：本发明的受光发光元件(1)具备：基板(2)、形成于基板(2)的上表面的发光元件(3a)、形成于基板(2)的上表面侧的受光元件(3b)、发光元件侧第一电极衬垫(31B)、接合于该第一电极衬垫(31B)的金属块(34)，发光元件侧第一电极衬垫(31B)以金属块(34)遮挡从发光元件(3a)发出且朝向受光元件(3b)的光的方式，经由绝缘层配置于基板(2)的上表面。
发光元件以及使用传感器装置

[发明专利]受光发光元件模块及使用其的传感器装置-CN201580042710.3有效
发明人：内田信也 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：受光发光元件模块(1)具备：具有上表面(2a)的基板(2)、被配置在基板(2)的上表面(2a)的发光元件(3a)、与发光元件(3a)空出间隔地配置在基板(2)的上表面(2a)的受光元件(3b)、以及与上表面(2a)空出间隔地配置在发光元件(3a)与受光元件(3b)之间且具有下表面(5c)的中间壁(5)，中间壁(5)的下表面(5c)为凸状。
发光元件模块使用传感器装置

[发明专利]受光发光元件模块以及使用该受光发光元件模块的传感器装置-CN201480068544.X有效
发明人：奥芝浩之 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：受光发光元件模块(1)具有：基板(30)；发光元件(3a)，其位于基板(30)的1个主面(30s)；受光元件(3b)，其位于基板的1个主面(30s)，且与发光元件(3a)并列配置在第1方向上；和光学元件(4)，其与基板(30)的1个主面(30s)隔开间隔地配置，并且具有与1个主面(30s)相对的第1主面(4s1)和与第1主面(4s1)相反的一侧的第2主面(4s2)，其中，光学元件(4)包含将来自发光元件(3a)的光导向被对象物的第1透镜(4a)、和将由被对象物反射的光导向受光元件(3b)的第2透镜(4b)，第1透镜(4a)和第2透镜(4b)并列配置在第1方向上，并且在第1主面(4s1)以及第2主面(4s2)当中的至少一个主面侧，构成第1透镜(4a)的曲面和构成第2透镜(4b)的曲面在其中途相互交叉。
发光元件模块以及使用传感器装置

[发明专利]传感器用基板以及传感器装置-CN201680059508.6在审
发明人：犬山重俊;杉本好正 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：传感器用基板(10)具备基板(1)，基板(1)具有包含搭载发光元件(11)的第一搭载部(2)的上表面(1a)以及包含搭载受光元件(12)的第二搭载部(3)的下表面(1b)。基板(1)还具有从上表面(1a)的与第一搭载部(2)相邻的部分一直贯通到下表面(1b)的第二搭载部(3)的贯通孔(4)。此外，贯通孔(4)的内侧面具有向该贯通孔(4)内突出的至少一个凸部(第一凸部(5)以及第二凸部(6)等)。
基板搭载部贯通孔凸部上表面下表面传感器传感器装置发光元件受光元件有向面具贯通

[发明专利]光学式传感器-CN201580021630.X有效
发明人：山本晃永;冈本博;高坂正臣;大桑勇树;岩科进也 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：本发明的光学式传感器包括：发光元件(40)；下部基板(20)，配置有发光元件(40)；上部基板(10)，在与下部基板(20)之间的空间内配置有发光元件(40)；及光学块(30)，设置于上部基板(10)上；上部基板(10)包括分割光电二极管(SD)；光学块(30)以将自发光元件(40)出射的光向测定对象物(R)的方向反射的方式构成，由测定对象物(R)反射的光入射至分割光电二极管(SD)。
发光元件上部基板光学式传感器测定对象物光电二极管下部基板光学块自发光元件方向反射光入射分割出射反射配置

[实用新型]传感器和光传感器系统-CN201721033980.0有效
发明人： M·A·吴 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：本实用新型题涉及传感器和光传感器系统。本技术的各种实施方案可包括针对具有预充电电路的光传感器的方法和装置，该预充电电路诸如用于将传感器的内部节点充电至等于不同传感器的终止电压的起始电压。所述方法和装置可包括在读出不同传感器的最后一个光敏元件期间，按顺序读出所述光敏元件的电压并选择性地激活一个传感器的预充电电路。
传感器系统

[发明专利]具有锥形波导结构的光电探测器-CN201380081086.9有效
发明人： B·文森特;A·费沙利 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：用于利用锥形波导结构来提供光到光电探测器的高效定向的技术和机制。在实施例中，半导体器件的锥形结构包括大致单晶硅。隐埋氧化物在锥形结构的单晶硅下方并且邻接锥形结构的单晶硅，并且多晶Si被设置在隐埋氧化物之下。在对半导体器件的操作期间，光在锥形结构中被重定向并且经由锗光电探测器的第一侧被接收。在另一个实施例中，定位在锗光电探测器的远侧上的一个或多个镜结构可以提供将光的一部分反射回锗光电探测器。
具有锥形波导结构光电探测器

[发明专利]基于量子阱带间跃迁的光电探测器-CN201510404231.3有效
发明人：陈弘;王禄;贾海强;马紫光;江洋;王文新 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：本发明涉及基于量子阱带间跃迁的光电探测器。一种光电探测器可包括第一半导体层，其具有第一导电类型；第二半导体层，其具有第二导电类型，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的光子吸收层，所述光子吸收层包括至少一个量子阱层以及设置在每个所述量子阱层两侧的势垒层。本发明利用半导体PN结对量子阱参与的光电转换过程的调制作用，大幅度提升了基于量子阱材料的光电探测器的电流输出。
基于量子阱带间跃迁光电探测器

[发明专利]具有光学收发器的半导体封装件-CN201410521024.1有效
发明人：黃仁哲;赵日焕;金基永;梁庆模;安在浚;赵淙晧 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：具有光学收发器的半导体封装件。一种半导体封装件，包括封装基板；第一半导体基板和第二半导体基板，其堆叠在封装基板上；以及光学收发器，其产生和接收利用穿过第一半导体基板的红外(IR)线在封装基板与第二半导体基板之间行进的光学信号。
具有光学收发半导体封装

[实用新型]一种VCSOA‑PIN集成光探测器-CN201720632023.3有效
发明人：李洵;王恺;夏余禹;齐俊秋;王立平;代溪泉 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的VCSOA‑PIN集成光探测器，为垂直腔半导体光放大器与PIN光电二极管在垂直方向上单片集成的光探测器，其自下而上包括底部电极、PIN部分、台下电极区、VCSOA部分和台上电极区，所述底部电极、台上电极区和台下电极区为所述VCSOA部分和所述PIN部分提供偏置；具有体积小、工艺简单、成本较低、适合大规模生产的优点，其理想设计仿真效果证实其增益带宽积最大可以达到490GHz，而现有垂直入射型的APD只有350GHz左右。
一种 vcsoa pin 集成探测器

[发明专利]光电传感器-CN201510081875.3有效
发明人：宫田毅;大槻一也;中嶋淳;宫下诚司;今井清司;糟谷诚 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：本发明提供光电传感器，该光电传感器具有能够通过弯折来实现标准的平面形状(直线)类型与标准的外形L字形状类型这2类的模块。投光引线具有在从第1基部到第2基部之间改变投光引线延伸的方向的第1方向变换部。受光引线具有在从第3基部到第4基部之间改变受光引线延伸的方向的第2方向变换部。从光的光轴方向观察的从第1基部经由第1方向变换部到第2基部的投光引线的长度，比在从第1基部到第2基部之间以90度弯折1次的L字形的第1假想引线的从光的光轴方向观察的长度短。从光轴方向观察的从第3基部经由第2方向变换部到达第4基部的受光引线的长度，比在从第3基部到第4基部之间以90度弯折1次的L字形的第2假想引线的长度短。
光电传感器

[发明专利]偏振可控纳米光源及其显微系统、光子芯片系统-CN201610212532.0有效
发明人：杨青;徐鹏飞;钱浩亮;庞陈雷;李海峰;刘旭 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种偏振可控纳米光源，包括基底；位于基底上的单层石墨烯；分别设置在石墨烯边缘和基底上的第一电极和第二电极；放置在单层石墨烯上的半导体纳米带；引入激发光照射所述半导体纳米带一端的光纤，并在所述半导体纳米带另一端输出光信号；以及用于改变第一电极和第二电极间施加电压以调控输出光偏振的外加信号源。本发明还公开了具有上述偏振可控纳米光源的显微系统、光子芯片系统。本发明提供可小型化、集成化的偏振可控纳米光源，通过电信号调节石墨烯费米能级，改变其对传输光的支持状态，从而实现对半导体纳米光源输出偏振的调控。
偏振可控纳米光源及其显微系统光子芯片

[实用新型]多个孤立光耦封装结构-CN201720147411.2有效
发明人：叶建军 -专利权人：无锡天和电子有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多个孤立光耦封装结构，包括管座，所述管座内安装有多个孤立光耦，并通过一块内瓷片进行同时封装，在内瓷片的顶部再盖上盖板；所述管座两侧外部设置有多个引脚。本实用新型结构紧凑、合理，操作方便，通过在不改变多个孤立通道光耦封装结构尺寸的同时，通过改变管座结构，由原来使用多个内瓷片改为只使用一个内瓷片，来实现多个孤立光耦封装，更方便加工和安装。
孤立封装结构