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[发明专利]低暗电流、谐振腔增强的红外光电探测器-CN201680056371.9有效
发明人：加里·威克斯 -专利权人：罗切斯特大学
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：谐振腔增强的红外光电探测器具有设置在光学腔内的第一透明层和第二透明层之间的吸收体层。第一透明层和第二透明层具有与比吸收体层相比大至少0.1eV的带隙。由于第一和第二层的带隙相对于吸收体层的带隙增加，所以暗电流的生成限于吸收体层。为了避免载流子俘获，已经设计了层的谱带轮廓。在一个实施例中，导带和价带偏移被配置为允许光生电荷载流子不受阻碍地从吸收体层流走。光电探测器可以是光导体，或具有n型层和p型层的光电二极管。在一些实施例中，吸收体层和透明层之间的界面在组成上分级。在其它实施例中，吸收体层的导带和价带中的一者与透明层的相对带对准，使得光生电荷载流子可以从吸收体层的一个带隧穿到透明层的相对带中。
电流谐振腔增强红外光电探测器

[发明专利]光检测器件及其制造方法-CN202110242570.1在审
发明人：朴昌泳;李相勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：一种光检测器件，包括：光吸收层，被配置为吸收从可见光到短波红外(SWIR)的波长范围内的光；第一半导体层，设置在光吸收层的第一表面上；抗反射层，设置在第一半导体层上，并且包括相对于第一半导体层具有蚀刻选择性的材料；以及第二半导体层，设置在光吸收层的第二表面上，第一半导体层具有小于500nm的厚度，以被配置为允许在从可见光到SWIR的波长范围内的光透射通过。
检测器件及其制造方法

[发明专利]红外感光元件的制备方法、红外感光元件及红外光谱仪-CN202111442050.1在审
发明人：唐鑫;温崇;陈梦璐 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本公开涉及红外感光元件的制备方法、红外感光元件及红外光谱仪，该方法包括：提供衬底；在衬底的一侧形成包括布拉格反射镜的光学谐振腔；其中，布拉格反射镜由膜层堆叠而成；在布拉格反射镜背离衬底的一侧且在光学谐振腔内形成红外吸收层。如此，利用溶液和蒸镀方法将具有布拉格反射镜的光学谐振腔与红外吸收层一体化制作，一方面简化了分光系统光路结构，减小占据空间；另一方面简化了制作流程，降低成本；同时布拉格反射镜具有特定频率选择性，使待检测波段的红外光透过布拉格反射镜被红外吸收层吸收。将此方法制备得到的红外感光元件应用于光谱仪，使光谱仪具有小型化、结构紧凑、功耗低、便携的特点，可高精确度、快速测量单波段的红外光。
红外感光元件制备方法光谱仪

[发明专利]半导体受光模块-CN201980099785.3在审
发明人：本多裕德;大村悦司 -专利权人：京都半导体股份有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种半导体受光模块，其在必要的波长范围内灵敏度的波动较少。本发明的解决方案是半导体受光模块(1)具有入射侧透镜面(10)的曲率半径为R1且出射侧透镜面(12)的曲率半径为R2的球面透镜(2)，且构成为入射侧透镜面(10)的光轴(10a)设定成与入射光(11)的光轴(11a)平行，而通过球面透镜(2)将入射光(11)聚光于半导体受光元件的受光部(3)，曲率半径R1曲率半径R2，并且将出射侧透镜面(12)的光轴(12a)相对于入射侧透镜面(10)的光轴(10a)倾斜设定角度以上，以使球面透镜(2)的出射光(13)的一部分在受光部(3)反射所产生的反射光(13a)不会射入至出射光穿透出射侧透镜面(12)的区域。
半导体模块

[发明专利]具有一体化的光聚焦元件的光电二极管-CN202111171259.9在审
发明人： R·克里希纳萨米;S·M·尚克;J·J·埃利斯-莫纳甘;R·哈兹布恩 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有一体化的光聚焦元件的光电二极管及制造方法。该结构包括：沟槽光电二极管，其包括圆顶结构；以及位于圆顶结构上的掺杂材料，该掺杂材料具有凹形的下侧表面。
具有一体化聚焦元件光电二极管

[发明专利]石墨烯/等离子激元黑硅近红外探测器结构及其制备方法-CN202111471024.1在审
发明人：宋轶佶;蓝镇立;何峰;丁玎;曾庆平 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯/等离子激元黑硅近红外探测器结构及其制备方法，此结构包括n型硅片，所述硅片的正面中部设有等离子激元黑硅，所述硅片的正面周侧设置有二氧化硅层，所述二氧化硅层上设有正面电极，所述等离子激元黑硅上设有石墨烯层，所述石墨烯层的周侧延伸并与所述正面电极接触；所述硅片的背面有背电极。本发明能够显著改善光电性能，拓宽响应光谱范围，增强响应度。
石墨等离子激元黑硅近红外探测器结构及其制备方法

[实用新型]基于金属纳米柱阵列表面等离子体激元的日盲紫外探测器-CN202122425004.2有效
发明人：夏勇;吴之旭;欧赢冬;蒲诗睿;王玉皞 -专利权人：南昌大学
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于金属纳米柱阵列表面等离子体激元的日盲紫外探测器，属于日盲紫外探测技术及纳米材料制备技术领域。所述探测器包括衬底、置于所述衬底表面的氧化镓薄膜、置于氧化镓薄膜表面的金属纳米柱阵列以及置于金属纳米柱阵列上方的金属电极，所述金属纳米柱阵列所用金属包括铝、金、银、铂中的一种或多种。本实用新型利用comsol进行模拟，寻找优化的金属纳米柱阵列参数，节省时间及资源。金属纳米柱阵列产生传播表面等离子体激元(PSPP)和表面等离子体共振(LSPR)，使得金属纳米柱表面电场增强，散射截面增大，大幅增强了探测器对日盲光的探测能力，提升了探测器的光电流和响应率。
基于金属纳米阵列表面等离子体紫外探测器

[发明专利]一种光电微环及光电探测器-CN202010574928.6有效
发明人：崔积适 -专利权人：三明学院
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：一种光电微环及光电探测器，涉及光电探测器领域。光电微环包括光导部和光吸收段。光导部延伸呈环状。光吸收段同光导部贴合，并沿光导部的延伸方向设置。光吸收段由光电效应材料制成，且光吸收段的长度为其中倏逝波耦合的周期长度的0.9n～1.1n倍。其中，n为正整数。其结构简单、设计巧妙，能够有效地提高对光场的响应度和灵敏度，对于进一步提高光电探测器的响应度和灵敏度具有积极意义。光电探测器采用上述光电微环，其具有更高的响应度和灵敏度，对于进一步提升光纤通信系统的整体效率具有积极意义。
一种光电探测器

[发明专利]光检测装置-CN202080059130.6在审
发明人：下原健史 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：光检测装置具备：光半导体元件，其具有多个受光部；及光透过基板，其直接地接合于光半导体元件或仅经由光透过性的粘结层而接合于光半导体元件。在光透过基板的与光半导体元件相反侧的表面，设置有具有折射率朝向光透过基板自空气的折射率向光透过基板的折射率连续地变化的凹凸构造的第1折射率变化层。若将光半导体元件与第1折射率变化层之间的距离设为A，将多个受光部中相邻的受光部之间的距离设为B，将相对于空气的折射率的光透过基板的折射率设为n，则A＞B/[2tan{sin‑1(sin1°/n)}]成立。
检测装置

[发明专利]光传感器模块以及光传感器模块的制造方法-CN201980099592.8在审
发明人：米田裕;松末明洋;森健人;前川伦宏 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：光传感器模块具备：基板(20)；光检测元件(10)，其固定于该基板(20)并检测光；以及透镜保持部件(80)，其供透镜(90)固定，并在包围光检测元件(10)的位置固定于基板(20)，透镜(90)通过透镜的外周部由透镜保持部件(80)的材料本身覆盖而被固定，透镜(90)的外缘(91)的一部分在透镜保持部件(80)的外表面侧或者内表面侧露出。
传感器模块以及制造方法

[发明专利]一种红外探测器及其制备方法-CN202010771103.3有效
发明人：杨为家;邱晨;吴质朴;何畏 -专利权人：深圳市奥伦德元器件有限公司
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器及其制备方法，包括：第一电极；Si基红外探测器，所述Si基红外探测器与所述第一电极连接；Si‑GeSi‑Ge纳米柱，述Si‑GeSi‑Ge纳米柱与所述Si基红外探测器连接；第二电极，所述第二电极与所述Si‑GeSi‑Ge纳米柱连接。所述Ge壳层具有较强的金属属性，可以与金属电极形成良好的界面接触，提高器件的光生载流子的提取效率；与此同时，可以使整个外加的偏压电场分布得更加均匀，有利于缩短光生载流子的迁移路径。Si‑GeSi‑Ge纳米柱可以起到减反膜的作用，同时其量子效应可以帮助提高对光的吸收效率。Si与Ge可以形成良好的异质结，提高对光的吸收效率。
一种红外探测器及其制备方法

[发明专利]集成亚波长金属光栅硅基阻挡杂质带探测器及制备方法-CN202010404348.2有效
发明人：陈雨璐;童武林;王兵兵;王晓东;刘文辉;陈栋 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成亚波长金属光栅硅基阻挡杂质带探测器及制备方法，包括：负电极部件、衬底部件、吸收层部件、阻挡层部件、金属光栅部件以及正电极部件；所述正电极部件设置于阻挡层部件上方；所述吸收层部件设置于正电极部件下方；所述负电极部件设置于衬底部件下侧；所述金属光栅部件设置于阻挡层部件上方；所述正电极部件包括：正电极接触区构件；所述正电极接触区构件设置于正电极部件的下部。本发明基于亚波长金属光栅的等离激元共振效应，利用金属等离激元的近场局域特性，当降低吸收层的厚度时，保持器件吸收层的有效吸收效率。
集成波长金属光栅阻挡杂质探测器制备方法

[发明专利]光电探测器芯片、光电探测器芯片电路及光电探测器-CN202111479626.1在审
发明人：许向前;龚广宇;卜爱民;周彪;李宇;康晓晨;邢星 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明适用于光电子技术领域，提供了一种光电探测器芯片、光电探测器芯片电路及光电探测器，该光电探测器芯片由预设光电探测器芯片和集成在预设光电探测器芯片上的汇聚透镜构成，汇聚透镜用于将入射光信号汇聚到预设光电探测器芯片的光电转换感光面上。由于入射光信号由汇聚透镜汇聚后可以经过更短且损耗更小的光程传递到预设光电探测器芯片的光电转换感光面上，因此，本发明能够使出射相同功率的更多的光传递到光电探测器芯片的光电转换感光面上，进而实现光电探测器芯片光电转换效率的提升。而且本发明相对于采用马鞍架/角铁等方式将光学透镜与预设光电探测器芯片耦合，定位精度更高、耦合难度更小且器件的一致性更好。
光电探测器芯片电路

[实用新型]一种防水型闪烁体面板-CN202121734871.8有效
发明人：白超群;蒲燕;张静;焦启刚 -专利权人：上海烁泰科技有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种防水型闪烁体面板，包括基板，基板上安装有隔壁，基板与隔壁之间设置有光电转换层，隔壁包括与基板上表面固定的横向隔板和纵向隔板，横向隔板与纵向隔板设置有多个，多个横向隔板与纵向隔板之间形成隔离单元，隔离单元内填充有由荧光体形成的闪烁体层，横向隔板与纵向隔板上表面共同设置有射线阻挡层，基板两侧的侧壁均固定有用于防止渗透的防水板，防水板内壁与横向隔板一侧的侧壁抵紧，防水板外壁固定有用于保护防水板的保护板。本实用新型中，防水板是以高分子聚合物为基本原料制成的一种防渗材料，具有良好的防渗透性能，使得横向隔板的两侧具有良好的防水性能，从而增强了闪烁体面板的防水性能。
一种防水闪烁体面

[发明专利]一种集成侧向探测器的超辐射发光二极管芯片及制备方法-CN202111503456.6在审
发明人：周帅;庞福滨;张靖;袁宇波;田坤;嵇建飞;刘海军;许瑨 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;国网江苏省电力有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成侧向探测器的超辐射发光二极管芯片及制备方法，包括衬底以及形成在所述衬底上的外延片，所述外延片的上表面形成有向下贯通所述外延片的隔离槽，所述外延片的上表面对应所述隔离槽的一侧形成有一与所述隔离槽并列设置的脊波导，且在该侧沿脊波导的长度方向依次形成有一有源区和无源吸收区，所述外延片对应所述隔离槽的另一侧且与所述有源区相对的位置处形成有一侧向探测区，能有效改善超辐射发光二极管的纹波系数，并且降低引入无源吸收区对侧向探测器光探测能力的影响。
一种集成侧向探测器辐射发光二极管芯片制备方法