“H01L31/0232”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果579个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种热敏型探测器结构及其集成方法-CN202110262220.1在审
发明人：亨利·H·阿达姆松;戚璇;焦斌斌;王桂磊 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种热敏型探测器结构及其集成方法。一种热敏型探测器结构包括：具有读出电路结构的衬底，在所述衬底上依次堆叠有介质层、P型掺杂锗层、本征层和N型掺杂锗层；其中，所述介质层内部具有空腔结构，所述本征层是由Ge1‑xSnx层和Ge1‑ySiy层交替堆叠形成的n层结构，0＜x≤0.3，0＜y≤0.3，n≥2。本发明具有P‑I‑N悬挂中空结构，光被吸收后可在中空结构中反射到P‑I‑N结构中，相比传统探测器光的吸收率显著提升。
一种热敏探测器结构及其集成方法

[发明专利]具有自测试功能性的正交入射光电探测器-CN201910576406.7有效
发明人： J·帕克;B·R·科赫;G·A·菲什;H·帕克 -专利权人：瞻博网络公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及具有自测试功能性的正交入射光电探测器。光子集成的正交入射光电探测器(NIPD)以及相关联的、光学地耦合到NIPD的平面内波导结构可以被配置成允许平面内检测和正交入射检测。根据一些实施例，在诸如集成光学收发器的、具有光生成能力的光子电路中，使用NIPD的检测平面内光的能力来提供自测试功能性。
具有测试功能正交入射光电探测器

[发明专利]一种三维等离子纳米复合结构及其制备方法和应用-CN201910285735.6有效
发明人：李明钰;刘思思;余慕妮;苏东;姜胜林;张光祖 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维等离子纳米复合结构及其制备方法和应用，结构包括：铝反射层，氧化铝阵列支架，以及金纳米天线。氧化铝阵列支架设置于铝反射层上；金纳米天线设置于氧化铝阵列支架的与铝反射层相对的一侧表面。为防止入射光的溢出，本发明引入铝反射层和氧化铝阵列共振腔，结合强光干涉效果的铝反射层和氧化铝阵列共振腔及强表面等离子效应的自组装金纳米天线的优势，通过反射层、氧化铝阵列支架和金纳米天线的耦合作用，可将光波有效钳制于纳米复合结构表面，实现入射光波的反复利用，有效提升光敏感层的光利用率，突破了传统光探测材料光吸收率的限制。
一种三维等离子纳米复合结构及其制备方法应用

[发明专利]20GHz行波光波导探测器-CN202010008275.5有效
发明人：陈畅畅;余学才;秦宗;李敬夏;郭甜 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开一种20GHz行波光波导探测器，应用于光电技术领域，为解决现有的波导型探测器存在的：光电流沿波导方向分布不均匀，耦合损耗较大，入射光功率受限制的问题；本发明首先依据超模匹配理论合理设计光波导结构改变光电流沿指数分布，使光电流尽可能分布在比较长的波导范围内，光电流均匀的同时也保证了高量子效率；然后提出了光波导和微波波导在同一结构中实现的方法，将波导特征阻抗设计成与负载阻抗相匹配，使传输线实现行波传输，从而克服RC时间常数对于带宽的限制；探测器的特征阻抗被设计成50Ω与后端共面波导结构和外部同轴电缆匹配。
20 ghz 行波波导探测器

[发明专利]波导集成雪崩光电二极管-CN201911241096.X有效
发明人：黄梦园;苏宗一;邱德煌;李左玺;洪菁吟;潘栋 -专利权人：希烽光电科技（南京）有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了单片雪崩光电二极管(APD)的各种实施例，其可以被制造在绝缘体上硅衬底上。单片APD包括将入射光引导到APD的有源区域的光波导。光耦合器与光波导一体形成以捕获入射光。单片APD还包括光反射器，以将不容易被光耦合器捕获的入射光的一部分反射到光耦合器以进一步捕获。有源区域包括用于将入射光转换成电子‑空穴对的吸收层、用于通过雪崩倍增将电子‑空穴对放大成光电流的外延结构、以及用于传导光电流的一对电导体。
波导集成雪崩光电二极管

[发明专利]光电模块-CN201810433193.8有效
发明人：哈特穆特·拉德曼;亚历山大·比特斯;苏珊·韦斯藤赫费尔;西蒙·古布斯尔 -专利权人：赫普塔冈微光有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：一种光学近程传感器模块包括衬底、安装在衬底的第一表面上的光发射器和安装在衬底的第一表面上的光检测器，所述光发射器可操作以发射第一波长的光，且所述光检测器可操作以检测第一波长的光。模块包括实质平行于衬底安置的光学构件和安置在衬底与光学构件之间的分离构件。分离构件可包围光发射器和光检测器，且可包括壁部分，所述壁部分从衬底延伸到光学构件且使光发射器和光检测器彼此分离。分离构件例如可由非透明聚合物材料构成，所述非透明聚合物材料包含颜料，例如炭黑。
光电模块

[发明专利]一种光电转换器及其制作方法-CN201711407329.X有效
发明人：向伟;吴志维;赵彦立;曹均凯;魏巍;缪笛 -专利权人：海思光电子有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种光电转换器，包括：高折射率层，低折射率层，光电转换层和布拉格反射镜层；其中，高折射率层用于接收光信号，低折射率层接收光信号，且光信号穿过低折射率层到达光电转换层；光电转换层用于从低折射率层接收光信号，将光信号的至少部分转换为电信号，其中，光信号的一部分穿过光电转换层到达布拉格反射镜层；布拉格反射镜层用于从光电转换层接收光信号的一部分，并将光信号的一部分反射回光电转换层。该光电转换器，可以以较薄的吸收区达到高的量子效率和高响应速度。
一种光电转换器及其制作方法

[发明专利]传感器芯片、电子设备和测距装置-CN202080012573.X在审
发明人：松本晃 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施例的传感器芯片包括像素，所述像素各自包括：光电转换部，所述光电转换部具有光入射到其上的光入射面和利用高电场区域使载流子雪崩倍增的倍增区域；光反射部，所述光反射部被设置成与所述光电转换部的所述光入射面的相反侧的表面相对；以及聚光部，所述聚光部设置在所述光电转换部与所述光反射部之间。
传感器芯片电子设备测距装置

[发明专利]光模块-CN202080012639.5在审
发明人：有贺麻衣子;稻叶悠介;山冈一树;长谷川淳一 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种抑制PLC元件的光学特性随着温度变化而变化的光模块。光模块具备：基台，其具有给定的线膨胀系数和杨氏模量的乘积；平面光波电路元件，其搭载在所述基台；以及翘曲抑制部件，其搭载在所述平面光波电路元件的与向所述基台的搭载面相反的一侧的面，具有使所述平面光波电路元件伴随着所述基台随着温度变化而翘曲的翘曲减少的线膨胀系数和杨氏模量的乘积。
模块

[发明专利]一种红外传感器-CN202010104753.2在审
发明人：李吉光;徐一舟;冯雪 -专利权人：杭州福照光电有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：一种红外传感器，该红外传感器包括红外透镜、封装外壳、基板、传感芯片、微透镜阵列、存储芯片和引脚等，其中传感芯片包括感应阵列与信号处理电路，传感阵列中包括感应部分与信号转换与控制部分，感应部分将光信号转化为与温度相关的电信号，感应部分采用使用包含纳米材料作为吸收层的热电堆象元阵列，感应象元阵列上方具有微透镜阵列，微透镜阵列将入射的红外信号聚焦至象元中的红外吸收层，信号处理部分包括检测环境温度模块，存储芯片用于预存储环境温度系数,信号处理与控制部分将电信号处理后，将模数电压转换模块输出的数字电压信号与设定的输出标准数字电压信号之间进行校准与转换。
一种红外传感器

[发明专利]一种铟镓砷红外探测器制备方法-CN201711057712.7有效
发明人：汤乃云;仇志军;单亚兵;龚海梅;李雪;邵秀梅 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种铟镓砷红外探测器制备方法，为一种InP/InGaAs/InP类型的P‑I‑N结构红外探测器，用旋涂法制备一层掺杂稀土材料的下转换发光薄膜到铟镓砷红外探测器InP帽层上作为转换层，此转换层吸收400nm~600nm可见光，发射1μm近红外光。利用掺杂稀土元素的氯硫玻璃完成可见光到近红外光的转换，不影响铟镓砷红外探测器对短波红外的吸收，同时吸收400nm~600nm可见光，发射1μm左右的近红外光被铟镓砷红外探测器吸收，实现铟镓砷红外探测器可见光范围的扩展。具有结构简单，成本低的优点。当需要进行多波段探测时，扩展铟镓砷红外探测器探测范围到可见光这种方式优势非常明显、实用性很强。
一种铟镓砷红外探测器制备方法

[发明专利]一种基于介质超表面的垂直入射型硅基锗光电探测器-CN201911139545.X有效
发明人：夏金松;宋金汶;袁帅 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于介质超表面的垂直入射型硅基锗光电探测器，属于半导体探测器领域。包括：衬底，其材料为SOI；位于衬底上的有源层，其材料为锗和硅，上表面有介质超表面微结构，所述介质超表面微结构为亚波长周期性结构。本发明在硅基锗探测器有源层上加工介质超表面微纳结构，利用介质超表面引入的米氏谐振，将入射光限制在硅基锗探测器的有源吸收区，增强探测器对入射光的吸收效率，在不牺牲硅基锗光电探测器的高速性能下，提升了探测器的响应度。通过对介质超表面微纳的结构进行优化设计，调控各个谐振单元本身及及谐振单元之间的排布，能够有效地控制谐振增强吸收峰的光波长位置，从而在特定波长或特定波段提升光电探测器的响应度。
一种基于介质表面垂直入射型硅基锗光电探测器

[实用新型]一种封装光窗金属管壳结构-CN202022571042.4有效
发明人：赵延民;冯广智;李军 -专利权人：珠海市镭通激光科技有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种封装光窗金属管壳结构，其技术方案的要点是包括有底座，在底座上设有竖直的管桶，在所述管桶的中部设有贯穿所述底座的通光孔。本专利的光窗金属管壳，可解决传统TO管壳上部内凹边沿区域的挡光问题，提高光电器件的光利用率。在制作封装光窗时，将窗口透镜置于金属管壳上方，可兼容多种光窗透镜，如平窗、半球状、非球面、菲涅耳透镜等透镜结构，实现不同出光光效、出光角度等应用需求。减少金属件模具开设数量，节省制造及维护费用和时间，极大节省产品系列开发成本和周期，易于批量、标准化生产。
一种封装金属管壳结构

[发明专利]光模块-CN201980086136.X在审
发明人：长岛和哉;石川阳三;伊泽敦;山冈一树 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：光模块具备：激光元件；波长检测器；调制器；调制器驱动器；相干混频器，对从外部输入的输入信号光进行处理，生成处理信号光；光电元件，将处理信号光变换为电流信号；跨阻放大器，将电流信号变换为电压信号；以及壳体，将激光元件、波长检测器、调制器、调制器驱动器、相干混频器、光电元件以及跨阻放大器安装在内部并进行气密密封，具有输出输出信号光的光输出部和输入输入信号光的光输入部，与长边方向垂直的宽度方向上的尺寸为15mm以下，激光元件被配置为在壳体中向与设置有光输出部的一侧相反的方向输出激光。
模块

[发明专利]一种热敏型探测器结构及其集成方法-CN202110260880.6在审
发明人：亨利·H·阿达姆松;戚璇;焦斌斌;王桂磊 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种热敏型探测器结构及其集成方法。一种热敏型探测器结构包括：具有读出电路结构的衬底，在所述衬底上依次堆叠有介质层、P型掺杂锗层、本征层和N型掺杂锗层；其中，所述介质层内部具有空腔结构，所述本征层是由Ge1‑xSnx层和Ge层交替堆叠形成的n层结构，0＜x≤0.3，n≥2。本发明具有P‑I‑N悬挂中空结构，光被吸收后可在中空结构中反射到P‑I‑N结构中，相比传统探测器光的吸收率显著提升。
一种热敏探测器结构及其集成方法