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[发明专利]栅极结构及其制造方法-CN201010517824.8有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：一种栅极结构，包括：依次位于衬底上的栅氧化层、栅极、第一隔离层、位于第一隔离层上的多层隔离层，所述多层隔离层中任一隔离层间均设置有中间层。相应地，本发明还提供一种栅极结构的制造方法，包括：提供衬底，在衬底上依次形成栅氧化层、栅极；在栅极上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成任一隔离层间设置有中间层的多层隔离层。其中多层隔离层中，每层的厚度较薄，可避免明显的电荷累积效应，从而可以降低栅氧化层漏电流。相应地，本发明提供的栅极结构制造方法中，所述制造方法的工艺步骤较为简单，制造成本较低。
栅极结构及其制造方法

[发明专利]多晶硅栅极结构-CN201010265303.8有效
发明人：刘继全;彭虎 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅栅极结构，包括：硅衬底，位于该硅衬底上的一层栅氧化层；位于所述栅氧化层上的具有多层结构的栅极，该多层结构由上至下依次为金属硅化物，钨硅和多晶硅。本发明还公开了一种所述多晶硅栅极结构的制作方法。本发明能进一步降低多晶硅栅极的电阻，栅极电阻率最小可以做到1ohms/sq。
多晶栅极结构

[发明专利]内连线结构及其制作方法-CN201110029417.7有效
发明人：周汉源;朱鸣;张立伟;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明公开一种内连线结构及其制作方法，该内连线结构，包括一第一栅极电极，具有一第一功函数金属层的一第一部分，第一部分位于一信号金属层的一第一部分之下；以及一第二栅极电极，具有第一功函数金属层的一第二部分，第二部分插置于一第二功函数金属层与信号金属层的一第二部分之间，其中信号金属层的第二部分位于第一功函数金属层的第二部分之上，信号金属层的第二部分与信号金属层的第一部分是连续的，信号金属层的第二部分的最大厚度小于信号金属层的第一部分的最大厚度。本发明的实施例中内连线结构的接触阻抗，较不受工艺变动的影响。
连线结构及其制作方法

[发明专利]具有金属栅极的半导体元件及其制作方法-CN201010167912.X有效
发明人：黄光耀;杨玉如;廖俊雄;周珮玉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2010-04-22 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：一种具有金属栅极的半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含有半导体基底、形成于该半导体基底上的栅极介电层、以及至少一形成于该栅极介电层上的第一导电型金属栅极。该第一导电型金属栅极还包含有填充金属性层，以及设置于该栅极介电层与该填充金属性层之间的U型金属性层，且该U型金属性层的最高部分低于该填充金属性层。
具有金属栅极半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201010153756.1有效
发明人：陈世杰;王文武;王晓磊;韩锴 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-04-20 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明提出一种MOS半导体器件的栅极结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的界面层薄膜；形成在所述界面层薄膜之上的高K栅介质层；和形成在所述高K栅介质层之上的金属栅极，所述金属栅极从下至上依次包括金属栅功函数层、氧吸除元素阻挡层、金属栅氧吸除层、金属栅阻挡层和多晶硅层。通过在金属栅中引入金属栅氧吸除层来达到在退火工艺中隔绝外界氧气进入界面层和吸除界面层中的氧的目的，从而减薄界面层，有效地减小MOS器件的EOT，并且通过增加氧吸除元素阻挡层，从而避免“氧吸除元素”扩散进入高K栅介质层而对其产生不利影响，使得高K金属栅系统的集成更为容易，器件性能得到进一步提高。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]用于薄膜晶体管的杂化的介电材料-CN200980130189.3有效
发明人：韩琳;P·曼德利克;S·瓦格纳 -专利权人：普林斯顿大学理事会
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：薄膜晶体管是使用一种有机硅酸盐玻璃(OSG)作为一种绝缘材料来制造的。这些有机硅硅酸盐玻璃可以是通过等离子体增强化学气相沉积法从硅氧烷和氧气沉积的SiO2-有机硅杂化材料。这些杂化材料可以用作栅极电介质，作为一种底层，和/或作为一种反向通道钝化层。这些晶体管可以按任何TFT几何构型来制造。
用于薄膜晶体管材料

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201010205178.1有效
发明人：安藤崇志;崔畅桓;M·M·弗兰克;V·纳拉亚南 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。一种高k栅极电介质和金属栅极结构的叠层包括下金属层、清除金属层以及上金属层。该清除金属层满足以下两个标准：1)是其中反应Si+2/y MxOy→2x/y M+SiO2的吉布斯自由能变化为正性的金属(M)，2)是其用于形成氧化物的每氧原子吉布斯自由能与下金属层的材料和上金属层的材料相比负性更强的金属。当氧原子通过栅极电极而朝向高k栅极电介质扩散时，满足这些标准的清除金属层俘获这些氧原子。另外，清除金属层远程地减小位于高k电介质下方的氧化硅界面层的厚度。结果，减小了整个栅极电介质的等效氧化物厚度(EOT)，并且即使在CMOS集成期间的高温处理之后，场效应晶体管仍保持恒定的阈值电压。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]用于制造具有高K栅极电介质层和金属栅电极的半导体器件的方法-CN201010236555.8有效
发明人：贾斯廷·布拉斯克;杰克·卡瓦莱厄斯;马克·多克茨;尤黛·沙赫;克里斯·巴恩斯;马修·梅茨;休曼·达塔;安娜丽莎·卡佩尔拉尼;罗伯特·赵 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：描述了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成第一电介质层，然后在所述第一电介质层内形成沟槽。在衬底上形成第二电介质层之后，在所述第二电介质层的第一部分上的沟槽内形成第一金属层。然后在所述第一金属层上和在所述第二电介质层的第二部分上形成第二金属层。
用于制造具有栅极电介质金属电极半导体器件方法

[发明专利]一种适合于半导体闪存器件的栅叠层结构及制备方法-CN201010191659.1无效
发明人：丁士进;苟鸿雁;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种适合于闪存器件的栅叠层结构及其制备方法。该栅叠层结构以P型(100)晶向的硅片为衬底，自下而上依次为：Al2O3薄膜，作为电荷隧穿层；钌基纳米晶，作为第一种电荷俘获层；HfxAlyOz薄膜，作为第二种电荷俘获层；Al2O3薄膜，充当电荷阻挡层；上电极层。本发明中，钌基纳米晶具有很好的热稳定性，在高温下不容易扩散；HfxAlyOz薄膜具有较高的电荷陷阱密度；上电极采用金属钯，拥有较大的功函数。因此该栅叠层结构在纳米晶存储电容器中有广阔的应用前景。
一种适合于半导体闪存器件栅叠层结构制备方法

[发明专利]一种自对准亚微米栅结构及其制作方法-CN201010138226.X有效
发明人：傅义珠 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准亚微米栅结构和制作方法。其特点是采用多晶硅侧墙制作亚微米栅，并通过金属硅化物将其与微米级多晶硅栅帽子和金属栅实现互连。本发明的有益效果：本发明采用多晶硅侧墙制作亚微米栅，并通过金属硅化物将其与微米级多晶硅栅帽子和金属栅实现互连。好处是不需要亚微米精细光刻便可以实现亚微米多晶硅栅宽，提高器件的微波性能。特别适用于微波功率VDMOS和LDMOS器件设计制作。
一种对准微米结构及其制作方法

[发明专利]多晶硅栅结构及其制作方法-CN200810043871.6无效
发明人：陈华伦;陈雄斌;陈瑜;熊涛;罗啸 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅栅结构，从下向上依次为多晶硅、硅化钨层和氮化硅层，多晶硅包括N型多晶硅与P型多晶硅。本发明还公开了一种制作多晶硅栅结构的方法，包括以下步骤：第一步，在衬底上生长一层多晶硅；第二步，利用光掩膜多晶硅进行N型和P型的掺杂；第三步，在掺杂的多晶硅上生长一层硅化钨；第四步，在硅化钨层上生长氮化硅层；第五步，进行栅极结构的定义。本发明通过使用新的栅集成结构和工艺，使之既能集成自对准孔工艺，同时又能实现表面沟道P型晶体管，降低接触电阻，降低漏电和开启电压，提高饱和电流。
多晶结构及其制作方法

[发明专利]电子装置、薄膜晶体管、显示装置及导体接触工艺-CN200810146110.3无效
发明人：王程麒;林志展;石世民 -专利权人：奇美电子股份有限公司
申请日： 2008-08-06 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明涉及电子装置、薄膜晶体管、显示装置及导体接触工艺。一种电子装置至少具有配置于衬底上的导体图案。此导体图案包括实质纯铝层以及铝镍镧合金层。实质纯铝层配置于衬底上。铝镍镧合金层则配置于实质纯铝层上。此电子装置的制作成本低廉、电性良好且制作良率佳。
电子装置薄膜晶体管显示装置导体接触工艺

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN200810113665.8有效
发明人：赵星 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-29 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括，半导体衬底，位于半导体衬底上的栅极介电层，以及依次位于栅极介电层上的复合不定型硅层、锗硅以及顶层硅，所述的复合不定型硅层、锗硅以及顶层硅构成所述半导体器件的栅极结构，其中，所述的顶层硅为单晶硅。本发明还提供了所述半导体器件的制作方法，所述半导体器件由于采用单晶的顶层硅，降低了掺杂离子的激活能量，使顶层硅的导电能力提高，降低了连接结构的电阻，除此之外，由于降低了掺杂离子的激活能量，在半导体器件的制作工艺中的激活能量低，避免了栅极结构中的锗硅中的锗向栅极介质层方向迁移，提高了栅极介质层的稳定性。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]使用简化双应力衬层配置的具有增强性能的半导体结构-CN200780032566.0无效
发明人：杜雷斯蒂·奇德姆巴劳;刘孝诚;威廉·亨森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-07-06 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：提供了一种半导体结构，其包括具有FUSI栅电极(8)的nFET(22)，其中双应力衬层配置用于提高沟道区中的应力。所述双应力衬层配置包括第一应力衬层(24)，其具有与nFET的FUSI栅电极的上表面平齐的上表面。第一应力衬层不存在于FUSI栅电极的顶上。第一应力衬层部分卷绕具备FUSI栅电极的nFET的侧部。第二应力衬层(26)位于第一应力衬层的上表面上以及包含FUSI栅电极的nFET的顶上。第一应力衬层是拉应力衬层并且第二应力衬层是压应力衬层。
使用简化应力配置具有增强性能半导体结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810176820.0有效
发明人：白宗玟;郑圣熙;崔吉铉;车泰昊;朴嬉淑;李柄学;朴在花 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-11-25 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，更特别地，提供一种具有低电阻W-Ni合金薄层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括W-Ni合金薄层。该W-Ni合金薄层中Ni的重量在该W-Ni合金薄层的总重量的大约0.01至大约5.0wt％的范围。
半导体器件及其制造方法