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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110002095.0在审
发明人：加藤贤 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具有：支撑体，形成着第1电极；半导体芯片，设置在支撑体上，且形成着第2电极；第1绝缘膜，与半导体芯片的支撑体侧一面即第1面及作为半导体芯片的至少一个侧面的第1侧面连续相接；以及配线层，将第1电极与第2电极连接，且和半导体芯片的与第1面为相反侧的一面即第2面、第1绝缘膜的与第1侧面侧为相反侧的一面及支撑体相接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种发射与接收一体式红外模组及其封装工艺-CN202110772259.8在审
发明人：马祥利 -专利权人：深圳市鸿利泰光电科技有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明公开一种发射与接收一体式红外感应模组及其封装工艺，通过采用一种发射与接收一体式红外感应模组进行封装作业，其生产方法包括如下步骤：固晶、烘烤、焊线、一次封装、二次封装、烘烤、切割、测试以及编带；发射与接收一体式红外模组，包括一次封装结构、第一封装贴片和PCB板，所述PCB板的端部设置有导电电极，且PCB板的表面镶嵌有发射芯片，同时发射芯片右侧安装有接收芯片，所述一次封装结构固定连接在PCB板的表面，且PCB板的表面端部固定连接有二次封装结构，模组本体采用PCB全贴片式两次封装工艺，使产品性能更稳定、生产效率更快，尺寸更小，彻底解决产品自动化生产的需求。
一种发射接收体式红外模组及其封装工艺

[发明专利]一种采用两次封装技术的全新红外接收头及其封装工艺-CN202110773089.5在审
发明人：马祥利 -专利权人：深圳市鸿利泰光电科技有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明公开一种采用两次封装技术的全新红外接收头及其封装工艺，通过采用一种采用两次封装技术的全新红外接收头对红外接收头进行封装作业，其生产方法包括如下步骤：准备PCB、点银胶、固晶PD、点胶、固IC、烘烤、焊线、一次封装、二次封装、长烤、切割、测试以及编带；采用两次封装技术的全新红外接收头，包括一次封装结构和接收头受光本体，所述基板PCB的表面安装有受光芯片，且受光芯片右侧安装有IC晶元，采用主要成分透红外光屏蔽可见光之环氧树脂进行一次封装，所述二次封装为在一次封装的表面用加硅砂或光全阻断树脂胶对除受光接收窗口外的其他部分进行全方位屏蔽，屏蔽效果更好。
一种采用两次封装技术全新红外接收及其工艺

[发明专利]基于电场驱动的IGBT模块内绝缘封装层控制系统-CN202110606665.7在审
发明人：钟理鹏;刘伟;奚樱伟;汪沨;陈赦;孙秋芹 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供一种基于电场驱动的IGBT模块内绝缘封装层控制系统，IGBT模块包括铜底板及封装体，封装体通过介电凝胶封装于铜底板上，介电凝胶由硅酮凝胶中加入高介电常数的微纳米级陶瓷颗粒复合形成，封装体包括间隔设置的第一电极和第二电极，第二电极上固定有二极管和IGBT，基于电场驱动的IGBT模块内绝缘封装层控制系统包括第一线路及第二线路，第一线路一端与第一电极连接，另一端与第二电极连接；第二线路一端与第二电极连接，另一端与铜底板连接，第一线路和第二线路上设有电压源，电压源给介电凝胶施加电场，驱动介电凝胶中的陶瓷颗粒定向移动至稳定状态形成介电层。本发明提供的基于电场驱动的IGBT模块内绝缘封装层控制系统可灵活控制介电层的分布情况。
基于电场驱动 igbt 模块绝缘封装控制系统

[发明专利]电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法-CN202110722818.4在审
发明人：堀浩士;姜东哲;山浦格;石桥健太 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：一种电子电路保护材料，其满足下述(1)或(2)中的至少任一者。(1)一种电子电路保护材料，其含有树脂成分和无机填充材料，上述无机填充材料的含有率为整体的50质量％以上。(2)一种电子电路保护材料，其含有树脂成分和无机填充材料，在将75℃、剪切速度5s‑1的条件下所测定的粘度(Pa·s)设为粘度A，且将75℃、剪切速度50s‑1的条件下所测定的粘度(Pa·s)设为粘度B时，作为粘度A/粘度B的值而得到的75℃下的触变指数为0.1～2.5。
电子电路保护材料密封材料密封方法半导体装置制造

[发明专利]半导体装置-CN202080012569.3在审
发明人：高木佑辅;寺山谅;滨谷康;池田靖 -专利权人：日立安斯泰莫株式会社
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明的作为半导体装置的功率半导体模块包括半导体元件(155)、以及与半导体元件(155)相对地配置并经由焊料(162)连接到半导体元件(155)的引线框(318)。引线框(318)具有包含与半导体元件(155)相对的面的顶面(331)、以及与顶面(331)构成规定的角度并且连接到顶面(331)的周缘部(333)的侧面(334)。引线框(318)的顶面包含与焊料(162)相接的焊料面(332)、以及与焊料面(332)相比焊料(162)更难浸润的阻焊面。该阻焊面包围焊料面(332)的周围来形成。由此，当在半导体装置中对半导体元件和引线框进行焊料接合时，能适当地控制焊料浸润扩散的区域。
半导体装置

[发明专利]一种具有电磁屏蔽功能的芯片堆叠封装体及其制备方法-CN201911382618.8有效
发明人：狄隽;王升旭;王志明;王强济;岳超;许兰锋 -专利权人：航天科工微系统技术有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有电磁屏蔽功能的芯片堆叠封装体及其制备方法，属于集成电路技术领域，解决了由于微波/毫米波芯片之间距离缩小带来的电磁信号互相干扰的问题。具有电磁屏蔽功能的芯片堆叠封装体，包括微波/毫米波裸芯片和用于封装微波/毫米波裸芯片的封装结构，封装结构包括依次设置于微波/毫米波裸芯片上的封装介质层和封装金属布线层。本发明体积更小、集成程度更高，能够保护敏感的微波/毫米波裸芯片免受其它电磁场的干扰。
一种具有电磁屏蔽功能芯片堆叠封装及其制备方法

[发明专利]一种绝缘结构、包覆芯片周缘的绝缘件及其制备方法-CN202010340570.0有效
发明人：周扬;石浩;韩荣刚;李刚;李峰;连晓华;孔亮;刘帅;郑鹏飞;高洁;李玉文;郝秀敏;邢永和;李荣超 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司;国网山东省电力公司威海供电公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘结构、包覆芯片周缘的绝缘件及其制备方法。该绝缘结构，包括层叠设置的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，其中，第一绝缘层、第三绝缘层的热膨胀系数均小于第二绝缘层的热膨胀系数。本发明提供的绝缘结构，通过设置第一绝缘层、第三绝缘层的热膨胀系数均小于第二绝缘层的热膨胀系数，使得该绝缘结构在受热时位于中间的第二绝缘层膨胀形变大于位于其两侧的第一绝缘层和第三绝缘层，将该绝缘结构形成闭合的绝缘件，受热时位于外侧的第三绝缘层抑制了第二绝缘层的向外膨胀，使其形变应力呈现向内压缩，从而使位于内侧的第一绝缘层能够与其包覆的芯片紧密结合，进而避免了高温状态下绝缘件与芯片之间发生脱落。
一种绝缘结构芯片周缘及其制备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法和电力变换装置-CN201980088017.8在审
发明人：山本圭;六分一穗隆 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：半导体装置(1)具备散热器(3)、绝缘层(5)、引线框(7)、功率半导体元件(9)、密封树脂(13)以及翅片(23)。散热器(3)具有对置的第1主面(3a)以及第2主面(3b)。在散热器(3)的第1主面(3a)隔着绝缘层(5)而配置有包括引线端子(7a)的引线框(7)。引线框(7)搭载有功率半导体元件(9)。密封树脂(13)形成为覆盖位于比外周区域(4a)靠内侧的位置的内侧区域(4b)，其中该外周区域沿着散热器(3)的第1主面(3a)的外周而位于整个外周。在第1主面(3a)处的外周区域(4a)，沿着密封树脂(13)而形成有第1凹部(15)。
半导体装置及其制造方法电力变换

[发明专利]密封用膜及使用该密封用膜的电子部件装置-CN201680009781.8有效
发明人：渡濑裕介;野村丰;荻原弘邦;金子知世;鸟羽正也;铃木雅彦;藤本大辅 -专利权人：昭和电工材料株式会社
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明的密封用膜含有：(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)选自由丁二烯系橡胶和有机硅系橡胶组成的组中的一种以上弹性体、以及(D)无机填充材，(C)成分的含量以(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分的总质量为基准为0.5～7.0质量％。
密封使用电子部件装置

[发明专利]电路模块及其制造方法-CN201780080719.2有效
发明人：藤川胜彦;舟川慎吾;佐藤和茂;天知伸充 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：电路模块(301)具备：第1基板(201)，其具有第1主面(201a)；第1模块(101)，其安装于第1主面(201a)；密封树脂部(3)，其形成在第1主面(201a)之上，并覆盖第1模块(101)；以及导电体膜(7)，其覆盖密封树脂部(3)的侧面。第1模块(101)包含导电体部和搭载在上述导电体部之上的能发热的元件。上述导电体部在密封树脂部(3)的上述侧面处与导电体膜(7)连接。
电路模块及其制造方法

[发明专利]半导体装置、电子设备和制造方法-CN201680026938.8有效
发明人：长田昌也;泷本香织 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本公开涉及一种可以保持底部填充物的安装可靠性的半导体装置、电子设备和制造方法。在本公开中，芯片由在作为第一基板的Si基板上制作的成像元件的电路和在形成于电路上的粘合剂上制作的第二基板形成。在这种情况下，在芯片通过焊球安装在安装基板上之后或者在芯片的状态下，在芯片周围形成感光性材料，然后形成底部填充物，然后仅有感光性材料溶解。本公开适用于例如可以在诸如相机等成像装置中使用的CMOS固态成像传感器。
半导体装置电子设备制造方法

[发明专利]一种芯片封装结构-CN201980013126.3在审
发明人：杨科;秦培;刘伟 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：一种芯片封装结构，该结构包括芯片(1)和第一保护层(2)；第一保护层(2)的机械性能高于环氧模塑料；机械性能包括弹性模量和强度中的一种或两种；第一保护层(2)设置于芯片(1)的上方。本申请可以在一定程度上减小应力带来的细微形变，稳定芯片(1)的工作频率，另外，也可以节省成本。
一种芯片封装结构

[发明专利]提高传感器顽健性的系统和方法-CN202110176431.3在审
发明人： C·T·奥尔森;M·W·戴维斯;D·P·里默;M·S·朗 -专利权人：哈钦森技术股份有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本文描述了一种提高传感器顽健性的系统和方法，尤其是描述了一种装置。所述装置包括基板；在所述基板上形成的一个或多个传感器以及一个或多个电路，所述一个或多个电路与所述一个或多个传感器中的至少一个电耦合；以及在所述传感器上方形成的金属层，其中，所述金属层被定位于所述一个或多个传感器上方以提供屏障。
提高传感器顽健性系统方法

[发明专利]抗紫外复合钝化层、金属氧化物薄膜晶体管和阵列基板-CN202110440112.9在审
发明人：陈荣盛;林德朗;钟伟 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗紫外复合钝化层、金属氧化物薄膜晶体管和阵列基板。本发明的抗紫外复合钝化层的组成包括层叠贴合的疏水阻挡层和光稳定层，疏水阻挡层由疏水性物质构成，光稳定层的组成包括光稳定剂和基体树脂。本发明的金属氧化物薄膜晶体管的组成包括玻璃衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源‑漏电极层和本发明的抗紫外复合钝化层。本发明将疏水阻挡层和光稳定层复合作为钝化层，不仅可以阻隔环境中的紫外光对有源层的直接照射，减少光生载流子的生成，而且还能隔绝氧气和水蒸气等空气中的敏感因素与金属氧化物薄膜晶体管的有源层的直接接触，提高了金属氧化物薄膜晶体管的光学和电学稳定性，且不会对有源层造成化学诱导损坏。
紫外复合钝化金属氧化物薄膜晶体管阵列