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[发明专利]一种新型集成电路半导体器件-CN201711376418.2在审
发明人：王孝裕 -专利权人：王孝裕
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型集成电路半导体器件，其结构包括固定引脚、LOGO标志、塑料体、第一凹块、固定孔、第二凹块、凹陷槽、螺钉贯穿通孔、壳体、散热极片、金属线、电极伸出端、集成电路芯片、塑料体本身，所述的第一凹块与第二凹块尺寸一致，所述的塑料体两侧固定设有活动装设第一凹块与第二凹块的凹槽，本发明的有益效果：当集成电路半导体器件内部的集成电路芯片产生热量时，通过散热极片散发到外界，不仅有利于实现集成电路半导体器件内部集成电路芯片的散热，而且便于加工生产，组装时无需在螺丝与散热极片之间添加绝缘片，绝缘效果好。
凹块散热塑料体极片集成电路半导体器件集成电路芯片新型集成电路半导体器件内部集成电路尺寸一致固定引脚活动装设加工生产绝缘效果螺钉凹陷槽固定孔金属线绝缘片伸出端电极壳体螺丝通孔组装芯片散发贯穿

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510274149.3有效
发明人：吴念芳;史朝文;江永平;蔡豪益 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括芯片衬底、模具和缓冲层。在芯片衬底上方设置模具。缓冲层从外部嵌入芯片衬底和模具之间。缓冲层具有的弹性模量或热膨胀系数小于模具的弹性模量或热膨胀系数。方法包括：设置至少覆盖衬底的划线的缓冲层；在衬底上方形成模具，并且模具覆盖缓冲层；以及沿着划线并穿过模具、缓冲层和衬底进行切割。
缓冲层衬底模具半导体器件弹性模量热膨胀系数芯片划线模具覆盖嵌入制造切割穿过外部覆盖

[发明专利]半导体基板-CN201410528376.X有效
发明人：林少雄;林建福 -专利权人：先进封装技术私人有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：公开一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括装置载体和加强结构。装置载体包括至少一个绝缘层和至少一个导电层，导电层定义至少一个迹线布局单元。加强结构设置在装置载体上，围绕至少一个迹线布局单元的外围。加强结构与至少一个迹线布局单元的外围间隔开设置，与装置载体形成空洞。加强结构的形状和设置增强了半导体封装件的强度，防止对半导体封装件的弯曲。
半导体

[发明专利]半导体装置-CN201710474001.3在审
发明人：谷直树 -专利权人：株式会社捷太格特
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：半导体装置(100)具备半导体元件(1)、电路基板(2)、金属布线(3A～3F)以及膨胀部件(5)。电路基板(2)具有上表面(21)和与上表面(21)对置的下表面(22)。金属布线(3A～3F)形成在上表面(21)以及下表面(22)中的至少一方。在半导体元件(1)中，至少两个连接端子形成在以与电路基板(2)的上表面(21)对置的方式配置的端子形成面(13)。膨胀部件(5)固定于半导体元件(1)的端子形成面(13)，具有比半导体元件(1)的线膨胀系数大的线膨胀系数，具有比至少两个连接端子中的相互相邻的两个连接端子的间隔大的尺寸。
半导体装置

[发明专利]包括抗静电芯片附连材料的半导体器件-CN201710111548.7在审
发明人： V·施特鲁茨;F-P·卡尔茨;R·M·沙勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：一种半导体器件包括衬底、半导体芯片和位于所述衬底与所述半导体芯片之间的抗静电芯片附连材料。所述抗静电芯片附连材料包括非导电粘合剂材料与炭黑或石墨的混合物。在一种示例中，所述抗静电芯片附连材料具有101Ω·cm与1010Ω·cm之间的电阻率。
包括抗静电芯片材料半导体器件

[发明专利]集成电路结构和密封环结构-CN201611222512.8在审
发明人：梁世纬;杜贤明;杨庆荣;黄章斌;赖昱嘉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明实施例提供了具有密封环结构的集成电路结构。密封环结构包括低k介电层、第一密封环和第二密封环。第一密封环和第二密封环彼此隔开。第一密封环和第二密封环的每个包括金属层。金属层嵌入在低k介电层中，并且金属层包括具有多个开口的主体图案。第一密封环和第二密封环的主体图案与金属层的面积比大于或等于50％且小于100％。本发明实施例涉及集成电路结构和密封环结构。
集成电路结构密封

[发明专利]减能结构-CN201310206597.0有效
发明人：钱睿宏;龙巧玲 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明公开一种减能结构。此减能结构包括减能主体、至少一第一减能基底及至少一第二减能基底。减能主体具有彼此相对的上表面及下表面。第一减能基底设置于减能主体的上表面上。第二减能基底设置于减能主体的下表面上。其中，至少一第一减能基底与至少一第二减能基底的互相交错。
结构

[实用新型]芯片封装结构-CN201520939628.8有效
发明人：张文远;陈伟政;宫振越 -专利权人：上海兆芯集成电路有限公司
申请日： 2015-11-23 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本实用新型公开一种芯片封装结构，包括基板、芯片、底胶以及多个限位块。基板具有芯片承载面，而芯片配置于芯片承载面上，并电性连接至基板。底胶配置于芯片与芯片承载面之间。限位块配置于芯片承载面上，且分别对应于芯片的多个角落，以抵挡底胶。此芯片封装结构具有较佳的可靠度。
芯片封装结构

[发明专利]一种无外壳填充保护型电路元件及其制成工艺-CN201510847390.0有效
发明人：周云福;周全 -专利权人：广东百圳君耀电子有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种无外壳填充保护型电路元件及其制成工艺，包括有电子元件与引线进行焊料焊接后由填充物进行封装成型，所述填充物为生石灰、水泥或陶瓷粉末的耐高温绝缘材料与粘合剂按照2.5~4.5g/ml的比例进行均匀混合，本发明的填充物强度大、耐高温，在常温情况下就可进行填充固化，避免了传统工艺中涂装粉在高温下涂装会产生气泡等不良因素，同使用此填充物可以简化工序，节省生产制造时间提高产品的可靠性和良率。
一种外壳填充保护电路元件及其制成工艺

[实用新型]改善斜坡金属反光的晶圆级封装结构-CN201520190458.8有效
发明人：沈建树;黄小花;翟玲玲;钱静娴;王晔晔;李玥 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2015-04-01 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善斜坡金属反光的晶圆级封装结构，包括一衬底，衬底一表面上形成有至少一凹槽，凹槽包括槽底和至少一对相对的斜坡状侧壁，凹槽的开口尺寸大于槽底尺寸，凹槽的至少一侧壁上具有金属线路，凹槽与该侧壁相对的另一侧壁上形成有与金属线路位置相对的辅助金属图案。本实用新型通过在没有金属线路的凹槽一斜坡状侧壁上形成与对面斜坡状侧壁的金属线路相对的辅助金属图案，能够确保凹槽两相对斜坡状侧壁上的光阻层受曝光情况一致，从而有效防止金属线路形成过程中，对面斜坡状侧壁的金属反光，确保金属布线不被破坏。
改善斜坡金属反光晶圆级封装结构

[发明专利]一种低成本超薄扇出型封装结构及其制作方法-CN201410515638.9在审
发明人：陈峰;王宏杰 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本超薄扇出型封装结构及其制作方法，在芯片的周围填充第一绝缘树脂层，在第一绝缘树脂层与芯片的上表面设有第二绝缘树脂层，在第二绝缘树脂层的上表面设有第三绝缘树脂层，在第三绝缘树脂层上设有导电球，在芯片的上表面设有导通盘，在导通盘上连接有导电线路，导电线路位于第二绝缘树脂层表面或内部，导电线路的另一端与导电球相连，在第一绝缘树脂层与芯片的下表面设有保护膜。本发明可以使用低成本绝缘树脂作为芯片间的填充材料，有利于降低产品成本；本发明可以使用超薄芯片，有效控制封装后的整体厚度。本发明的制备方法具有步骤较少、简单易行等优点。
一种低成本超薄扇出型封装结构及其制作方法

[发明专利]半导体封装件及其制法与中介板结构-CN201210356327.3有效
发明人：庄冠纬;林畯棠;廖怡茜;赖顗喆 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制法与中介板结构，该半导体封装件制法，包括切割一基材以形成多个中介板，再分别置放各该中介板于一承载件的多个开口上，且任二该开口之间具有间距，待形成第一封装胶体以包覆该些中介板后，再移除该承载件，之后再结合至少一半导体组件于该中介板上。借由先切割该基材，以选择良好的中介板重新排设，可避免于封装后半导体组件与不良的中介板一并报废。
半导体封装及其制法中介板结

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201310293463.7在审
发明人：柳周铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括电路板、安装在所述电路板上的至少一个半导体芯片、布置在所述至少一个半导体芯片上的隔离物、以及覆盖所述至少一个半导体芯片的密封剂，所述隔离物的厚度为大约5μm至大约110μm并且所述隔离物的上表面向外暴露。所述半导体封装件可以具有较小的厚度，并且可以防止引起半导体芯片的有源表面暴露的不完全模塑。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]具有芯片和载体的设置结构-CN201080030026.0无效
发明人：雷夫·贝里斯泰特 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明揭示芯片(1)和所述芯片的载体(2)，其中脊状物(4)位于所述芯片(1)与所述载体(2)之间，所述脊状物(4)适于增加所述芯片(1)与所述载体(2)之间的热接触。实例用法是借助于粘合部件(3)附接到所述载体(2)的接触表面(21)。
具有芯片载体设置结构

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN200980144822.4有效
发明人：林少雄;林建福 -专利权人：先进封装技术私人有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：公开一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括装置载体和加强结构。装置载体包括至少一个绝缘层和至少一个导电层，导电层定义至少一个迹线布局单元。加强结构设置在装置载体上，围绕至少一个迹线布局单元的外围。加强结构与至少一个迹线布局单元的外围间隔开设置，与装置载体形成空洞。加强结构的形状和设置增强了半导体封装件的强度，防止对半导体封装件的弯曲。
半导体封装及其制造方法