|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 7523个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体器件的制作方法以及半导体器件-CN202111556751.8在审
-
蒋天浩
-
苏州龙驰半导体科技有限公司
-
2021-12-17
-
2023-06-27
-
H01L21/82
- 本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该方法包括：首先，提供包括衬底以及离子屏蔽层的第一预备基底以及包括依次层叠的牺牲衬底、顶层硅以及氧化层的第二预备基底；然后，以离子屏蔽层以及氧化层作为键合界面，对第一预备基底以及第二预备基底进行键合，并去除牺牲衬底，使得顶层硅裸露；之后，在基底的裸露表面上分别形成间隔设置的第一预备器件以及第二器件，且第一预备器件两侧的氧化层裸露；最后，去除第一预备器件两侧部分的氧化层以及部分的离子屏蔽层，以使得第一预备器件两侧的衬底裸露，得到第一器件。通过形成间隔设置的第一器件以及第二器件，保证了半导体器件的集成度较高，实现了缩小器件尺寸的目的。
- 半导体器件制作方法以及
- [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310316092.3有效
-
陈维邦
-
合肥新晶集成电路有限公司
-
2023-03-29
-
2023-06-27
-
H01L21/8238
- 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：基底，基底内具有多个间隔排布的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于基底内隔离出多个间隔排布的有源区；其中，多个有源区包括第一导电类型的第一有源区和第二导电类型的第二有源区，第二有源区的数量大于第一有源区的数量；其中，多个浅沟槽隔离结构包括第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构，第一浅沟槽隔离结构的深度和第二浅沟槽隔离结构的深度不同，第一浅沟槽隔离结构为相邻两个第一有源区之间的浅沟槽隔离结构或第一有源区与第二有源区之间的浅沟槽隔离结构，第二浅沟槽隔离结构为相邻两个第二有源区之间的浅沟槽隔离结构。
- 半导体结构及其制备方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310174180.4在审
-
冯远皓;薛广杰;李乐
-
武汉新芯集成电路制造有限公司
-
2023-02-27
-
2023-06-23
-
H01L21/8238
- 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区，所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上均形成有栅极结构；形成缓冲层于所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上，且所述缓冲层覆盖所述栅极结构；去除所述NMOS器件区上的缓冲层；形成应力层于所述缓冲层上；所述应力层为张应力层时，所述PMOS器件区上的缓冲层厚度大于所述NMOS器件区上的缓冲层厚度；所述应力层为压应力层时，所述NMOS器件区上的缓冲层厚度大于所述PMOS器件区上的缓冲层厚度。本发明的技术方案使得在提升NMOS器件和PMOS器件中的其中一个器件的性能且避免降低另一器件的性能的同时，还能避免增加芯片制造成本。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]屏蔽栅沟槽结构及其制备方法-CN202310471051.1在审
-
石磊
-
上海华虹宏力半导体制造有限公司
-
2023-04-27
-
2023-06-23
-
H01L21/8234
- 本发明提供了一种屏蔽栅沟槽结构及其制备方法。由于本发明所提供的形成屏蔽栅沟槽结构的有源区所对应的外延层内还同时集成有多个SBR器件，进而使屏蔽栅沟槽结构在正常工作时，便可利用SBR器件的薄栅氧化层的开启电压低于外延层与体区之间构成的PN结的开启电压的特性，使得器件在关断时，寄生电容的电流会从SBR器件的势垒MOS沟道迅速释放，电流不经过寄生PN结，从而使器件的反向恢复特性大大优于传统的SGTMOSFET器件，即有效的减少了由于高开启电压造成的损耗、降低了高频开关过程中的开关损耗，并最终实现了提高直流‑直流转换控制电路的转换效率的目的。
- 屏蔽沟槽结构及其制备方法
|
