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[发明专利]掺钕的硅酸镥钆激光晶体及其制备方法-CN200910199527.0无效
发明人：徐晓东;李东振;吴锋;成诗恕;程艳;周大华 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：一种用于产生1μm波段超短脉冲激光输出的掺钕的硅酸镥钆激光晶体及其制备方法，该硅酸镥钆激光晶体的分子式为(NdyGdx(1-y)Lu(1-x)(1-y))2SiO5，其中y的取值范围为0.005～0.01，x的取值范围为0＜x＜1。该具体采用熔体法生长。该晶体能够采用AlGaAs二极管泵浦的，实现1μm波段超短脉冲激光输出。
硅酸激光晶体及其制备方法

[发明专利]掺钕的硅酸钇镥激光晶体及其制备方法-CN200910199529.X无效
发明人：徐晓东;李东振;吴锋;成诗恕;程艳;周大华 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：一种用于产生1μm波段超短脉冲激光输出的掺钕的硅酸钇镥激光晶体，其特点在于该掺钕的硅酸钇镥激光晶体的分子式为(NdyLux(1-y)Y(1-x)(1-y))2SiO5，其中x的取值范围为0＜x＜1，y的取值范围为0.005～0.01。该掺钕的硅酸钇镥激光晶体采用熔体法生长。它是能够采用AlGaAs二极管泵浦，实现1μm波段超短脉冲激光输出的硅酸盐混晶激光材料。
硅酸激光晶体及其制备方法

[发明专利]一种含铋的闪铋矿硅酸铋晶体的制备方法-CN200910218898.9无效
发明人：郭宏伟;王秀峰;杨新平;郭晓琛;高档妮;田鹏 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：一种含铋的闪铋矿硅酸铋晶体的制备方法，将三氧化二铋粉体和石英玻璃粉混合得配合料；将配合料放入高纯氧化铝坩埚中，按照以下工艺制度烧成：以5℃/分钟的升温速率从室温升至550℃下保温30分钟；再以10～12℃/分钟的升温速率自550℃升至880～920℃并保温6～24小时；然后迅速将坩埚从马弗炉中取出放入流动的水中，使试样以400℃/分钟冷却至室温，待冷却后取出水淬的试样，最后，将试样烘干球磨即得到含铋的闪铋矿硅酸铋晶体粉末。本发明以高纯非晶态石英玻璃为原料，避免了在低温下即和三氧化二铋反应，所制备的硅酸铋晶体纯度高，杂相极少，且原料价格低廉，来源丰富，制备工艺简单。
一种闪铋矿硅酸晶体制备方法

[发明专利]掺钕的硅酸钇钆激光晶体及其制备方法-CN200910199528.5无效
发明人：徐晓东;李东振;吴锋;成诗恕;程艳;周大华 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：一种用于产生1μm波段超短脉冲激光输出的掺钕的硅酸钇钆激光晶体，其特征在于该激光晶体的分子式为(NdyGdx(1-y)Y(1-x)(1-y))2SiO5，其中y的取值范围为0.005～0.01，x的取值范围为0＜x＜1。采用熔体法生长该掺钕的硅酸钇钆激光晶体。该掺钕的硅酸钇钆激光晶体可以采用商业化的AlGaAs激光二极管作为十分有效的泵浦光源，并具有大的发射带宽，有利于宽波长调谐和实现锁模飞秒脉冲激光输出。
硅酸激光晶体及其制备方法

[发明专利]掺钕的硅酸镥激光晶体及其制备方法-CN200910199329.4无效
发明人：徐晓东;李东振;吴锋;成诗恕;程艳;周大华 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2009-11-25 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：一种发光波长处于1μm波段的掺钕的硅酸镥激光晶体及其制备方法，该掺钕的硅酸镥激光晶体简称为Nd:Lu2SiO5，分子式为(NdxLu1-x)2SiO5，其中x的取值范围为0.005～0.01。采用熔体法生长Nd:Lu2SiO5单晶。该晶体能够采用AlGaAs二极管泵浦，实现1μm波段激光运转。
硅酸激光晶体及其制备方法

[发明专利]Yb掺杂的钇、钪、钆、镧硅酸盐混晶和硅酸镧晶体及其熔体法生长方法-CN200910185152.2无效
发明人：张庆礼;殷绍唐;丁丽华;周文龙;刘文鹏;罗建乔;谷长江;李为民;秦青海 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种Yb离子掺杂的钇、钪、钆、镧硅酸盐混晶和硅酸镧晶体及其熔体法生长方法，其分子式为Yb_2xRE_2(1-x-y)RE′_2ySiO₅(0＜x＜1，0＜y＜1，0＜x+y＜2，RE、RE′＝Gd、Y、Sc、La，且RE_2(1-x-y)RE′_2y≠Gd_2(1-x-y)Y′_2y)、Yb_2xLa_2(1-x)SiO₅(0＜x＜1)，是将配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其他熔体法来进行定向或非定向生长。Yb_2xRE_2(1-x-y)RE′_2ySiO₅、Yb_2xLa_2(1-x)SiO₅单晶可用作全固态超短脉冲激光器、可调谐激光器中的工作物质。
yb 掺杂硅酸盐硅酸晶体及其熔体法生长方法

[发明专利]焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法-CN200910196441.2无效
发明人：冯鹤;丁栋舟;任国浩;潘尚可;陆晟;张卫东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明属于无机化合物晶体及制造技术领域，具体涉及一种焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法。本发明的生长方法包括：原料的合成，熔料，接种，生长和降温四个步骤，其中，晶体生长完毕后的降温过程中，在相变点温度以上时，降温速率为30～50℃/分钟，在相变点温度以下时，降温速率为100～200℃/小时。本发明的生长方法解决了YPS晶体生长过程中非一致熔融的问题和相变的问题，可以获得晶体质量较好的YPS高温δ相单晶。
硅酸闪烁浮区法生长方法

[发明专利]一种水热法生长硅酸铋单晶体的方法-CN200910114341.0有效
发明人：何小玲;张昌龙;王金亮;霍汉德;周海涛;覃世杰;张海霞 -专利权人：桂林矿产地质研究院
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种水热法生长硅酸铋(Bi₁₂SiO₂₀，简称BSO)晶体的方法。其特点是采用氟化物矿化剂体系进行晶体生长。采用BSO原料作培养料，置于黄金衬套管底部，在黄金衬套管的中下部放置一个开孔率为7％～10％的黄金挡板，将下部的培养料溶解区和上部的晶体生长区隔开；在黄金衬套管的顶部悬挂籽晶或金丝，按65～75％的填充度，向黄金衬套管中加入氟离子浓度为0.3～6mol/L的氟化物溶液，将黄金衬套管密封，放入高压釜中，在黄金衬套管和高压釜的夹层加入一定量去离子水或蒸馏水，密封，加热，使溶解区平均温度为365～420℃，生长区平均温度为335～385℃，经过10～90天恒温生长，得到BSO单晶体。
一种水热法生长硅酸单晶体方法

[发明专利]掺钕硅酸钪激光晶体及其制备方法-CN200810039798.5无效
发明人：徐军;苏良碧;郑丽和 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺钕硅酸钪激光晶体及其制备方法，化学式为：Nd_2xSc_2(1-x)SiO₅，其中0＜x≤0.06。本发明按化学式称取纯度高于99.99％的Nd₂O₃、Sc₂O₃、SiO₂原料；将原料混合均匀，压成料块在高于1200℃的温度下烧结24小时以上；将烧好的料块装进坩埚，加热直至使其完全熔化；采用硅酸钪晶体作籽晶进行提拉法生长得到。本发明晶体属C2/c空间群，密度为3.5g/cm³。光谱计算表明在808nm处有强的吸收峰，吸收系数为1.28cm^-1，半峰宽为7nm，吸收截面为7.48×10^-21cm²，适合于激光二极管(LD)泵浦。另外，在波长1060nm有强的荧光发射，发射截面为5.88×10^-19cm²，半峰宽4nm；波长1080nm处的发射截面为8.32×10^-19cm²。本发明热力学性能良好，用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学等诸多领域中。
硅酸激光晶体及其制备方法

[发明专利]三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法-CN200810033832.8无效
发明人：吴历斌;吴承;江莞 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2008-02-25 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法，其特征在于所述的稀土硅酸盐为硅酸镥、硅酸钇或硅酸镥钇；掺杂的三价铈化合物的克分子百分数为0.2－2％；掺杂后所述的稀土硅酸盐的通式为Ln_2(1－x)Ce_2xSiO₃，式中x＝0.002－0.02，Ln为Y和Lu中的一种或两种。所述的掺杂的三价铈化合物为Ce₂(CO₃)₃、Ce(NO₃)₃、Ce₂(C₂O₄)₃、Ce(CH₃COO)₃或Ce(OH)₃。采用直接合成多晶料或掺杂三价铈化合物经液相混合后制备多晶料。本发明从原料上最大程度地减少了Ce⁺⁴的引入，消除了其对Ce⁺³发光的猝灭影响，降低了多晶料的烧结温度，改善了材料的光输出、能量分辨率等闪烁性能。
三价铈离子掺杂稀土硅酸盐多晶料及制备方法

[发明专利]大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体及其制备方法-CN200810039799.X无效
发明人：徐军;郑丽和;苏良碧 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光晶体，具体涉及一种大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体及其制备方法，属于晶体生长领域。本发明的大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体，其化学式为Yb_xSc_1－x)₂SiO₅，其中0.001≤x≤0.2，属于单斜C_2/c空间群结构，稀土阳离子Sc³⁺占据两个结晶学格位。掺杂离子Yb³⁺将取代Sc³⁺所占据的格位，使其吸收和发射峰非均匀加宽，有利于实现宽带可调谐发射。Yb:SSO晶体在1004nm、1036nm和1062nm处具有较高的发射截面(约为2.5－4.5×10^－20cm²)，可以在上述三个激光波长处产生激光振荡。本发明晶体有较大尺寸、晶体光学质量高，及具有高热导率、宽发射谱带和双格位特点，可以应用于低阈值宽调谐超快激光技术领域中。
尺寸硅酸激光晶体及其制备方法

[发明专利]四晶格位结构压电晶体-CN200710173620.5有效
发明人：郑燕青;孔海宽;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及四晶格位结构压电晶体，其化学式为Me₃NeAl₃Si₂O₁₄，其中Me为Ca、Sr或Ba，Ne为Sb、Nb或Ta，空间群为P321。本发明通过固相合成方法在高温下烧结获得相应的化合物，然后通过提拉法、坩埚下降法等晶体生长方法生长出单晶体，获得的晶体的压电常数e₁₁大于硅酸镓镧晶体，可用于制作声表面波或声体波压电器件。
晶格结构压电晶体

[发明专利]一种硅酸镓钡铌晶体及其制备方法和用途-CN200710173617.3无效
发明人：郑燕青;孔海宽;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅酸镓钡铌晶体及其制备方法和用途，化学式为Ba₃NbGa₃Si₂O₁₄，属于P321空间群，其晶胞参数为a＝8.42，c＝5.16。通过固相合成方法在高温下烧结获得BNGS化合物，然后采用提拉法生长出单晶体，该晶体具有良好压电性能。
一种硅酸镓钡铌晶体及其制备方法用途

[发明专利]一种硅酸镓锑基压电单晶-CN200710173618.8无效
发明人：郑燕青;孔海宽;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅酸镓锑基压电单晶，其化学式为Me₃SbGa₃Si₂O₁₄，Me为Ca、Sr或Ba，属于P321空间群，本发明通过固相合成方法在高温下烧结获得此结构类化合物，再通过提拉法、坩埚下降法等晶体生长方法可生长出单晶体。获得的单晶体具有良好的压电性能。
一种硅酸镓锑基压电

[发明专利]一种多级有序排列的ZSM－5纳米棒束及其制备方法-CN200710042920.X无效
发明人：陈雪莹;何春霞;乔明华;范康年;贺鹤勇 -专利权人：复旦大学
申请日： 2007-06-28 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明属化工技术领域，具体为一种多级有序排列的ZSM－5纳米棒束材料及其制备方法。该材料在大尺寸上具有束状结构，棒束形状非常规整，由多根扁平条状、形状规整的ZSM－5纳米棒沿其c轴([001]方向)有序排列堆积而成，具有多级有序结构。该材料采用水热一步合成法制得，具体包括以水玻璃作为硅源，以氢氧化钠溶液抽提镍铝合金中的金属铝后所得的多孔金属Raney Ni作为结构诱导剂，以Raney Ni中残留的铝作为铝源，以乙胺为微孔模板剂，使沸石合成液在常规的晶化条件下晶化。
一种多级有序排列 zsm 纳米及其制备方法