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[实用新型]一种用于碳化硅单晶生长的籽晶搭接装置-CN202222265445.5有效
发明人：苗浩伟;陈鹏飞;梁刚强 -专利权人：北京清研半导科技有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于碳化硅单晶生长的籽晶搭接装置，属于碳化硅单晶生长技术领域，包括坩埚、碳化硅籽晶部和用于加热所述坩埚的加热装置；所述碳化硅籽晶部设置于所述坩埚的内腔上部，所述坩埚的内腔下部填充有碳化硅粉料，所述碳化硅籽晶部与所述碳化硅粉料之间具有生长空腔；所述碳化硅籽晶部的生长面朝向所述生长空腔底部，非生长面朝向所述坩埚的坩埚盖，且所述坩埚盖与所述非生长面之间存在间隔。本实用新型提供的用于碳化硅单晶生长的籽晶搭接装置，将籽晶搭接在籽晶支撑部上，且籽晶与坩埚盖无接触，采用热辐射的方式传热，籽晶的径向温度梯度更小，从而改善了晶体生长质量。
一种用于碳化硅生长籽晶装置

[实用新型]一种用于籽晶粘接的施压装置-CN202222720770.6有效
发明人：李留臣;周正星;程绪高;周洁 -专利权人：江苏星特亮科技有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于籽晶粘接的施压装置，包括可沿施压方向弹性伸缩的伸缩组件、与伸缩组件球面铰接的压抵组件；伸缩组件包括承压件、可沿自身长度延伸方向滑动地设于承压件上的滑动件、抵设于承压件和滑动件之间的弹性件，滑动件平行于施压方向，弹性件用于在滑动件滑动靠近承压件时被压缩；压抵组件包括用于抵压籽晶的压盘，压盘球面铰接在滑动件伸出承压件的一端部上。本实用新型用于籽晶粘接的施压装置，不仅能够将籽晶充分粘接贴合在籽晶座上，且粘接过程中籽晶不易碎裂。
一种用于籽晶施压装置

[实用新型]一种长晶后石墨件处理装置-CN202222654699.6有效
发明人：章宣;罗烨栋;浩瀚;赵新田;杨弥珺;陈晶莹 -专利权人：宁波合盛新材料有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种长晶后石墨件处理装置，涉及材料相关技术领域，包括放置于发热桶内的坩埚，所述坩埚顶部固定连接有坩埚盖，所述坩埚盖顶部卡接有底部开口的上部坩埚，所述坩埚盖顶部中心位置处开设有圆形通孔，所述圆形通孔直径小于所述上部坩埚的开口直径；所述上部坩埚和发热桶外部包覆有保温装置，所述上部坩埚内自上至下依次放置有顶部石墨纸、废旧石墨毡、实心石墨毡和底部石墨纸；所述坩埚内用于放置附有碳化硅多晶的石墨零件。本实用新型能够将附有碳化硅的石墨零件的碳化硅和石墨分离，并用废旧石墨软毡、废旧石墨硬毡吸收富硅气氛中的硅气氛，形成富碳的碳化硅。
一种长晶后石墨处理装置

[发明专利]一种用于制备碳化硅单晶的附加粉源容器及坩埚装置-CN202211432328.1在审
发明人：高冰;叶宏亮;李俊 -专利权人：浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备碳化硅单晶的附加粉源容器及坩埚装置，其中，所述附加粉源容器包含内含多孔固体材料的容器主体，多孔固体材料内容纳了单质硅粉源或单质碳粉源；所述附加粉源容器的面向坩埚内含空腔的侧面上具有连通该容器内多孔固体材料与坩埚内腔的连孔；所述附加粉源容器具有热量传导作用，热量由坩埚侧壁处传递至所述附加粉源容器内加热多孔固体材料，促使多孔固体材料内含粉源升华后以一定速率释放至坩埚空腔中。实现碳化硅单晶生长过程中向坩埚空腔内气氛中补充气相硅组分或气相碳组分，以解决传统气相法坩埚内存在的富碳或富硅现象的问题，减少碳化硅长晶过程中的缺陷形成，提高碳化硅单晶的生长质量。
一种用于制备碳化硅附加容器坩埚装置

[实用新型]碳化硅晶体生长装置及系统-CN202222145245.6有效
发明人：周荣国;邹路;刘鹏 -专利权人：宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域，在坩埚组件内设置有筒状的过滤组件，过滤组件的外壁与坩埚组件的内壁之间形成有用于放置碳化硅原料的环形原料腔；本实用新型中环形原料腔靠近坩埚组件内壁设置，保证原料区域温度的均匀性，避免碳化硅原料在传质过程中产生重结晶；而且过滤组件能对石墨化颗粒进行阻挡，减少碳包裹物的产生；导流环的材质为石墨，且其下表面形成有平面阻挡区，在碳化硅晶体生长初期，富硅气相组分与导流环下表面接触时，反应生成气相组分SiC，减小富硅气氛带来的不良影响。本实用新型还公开一种碳化硅晶体生长系统，包括加热炉以及上述的碳化硅晶体生长装置。
碳化硅晶体生长装置系统

[实用新型]一种单晶生长装置-CN202222491754.4有效
发明人：许耿森;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单晶生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域。该单晶生长装置包括容器主体、导流筒和盖体。容器主体内设有容置空间以容纳碳化硅原料。导流筒设于容置空间内的顶部，且形成自下而上的第一导向通道和第二导向通道；第一导向通道的内径自下而上逐渐减小，第二导向通道的内径自下而上逐渐增大。盖体设于第二导向通道内的顶部；盖体内侧设有籽晶；籽晶的直径大于第一导向通道的最小内径，且大于第二导向通道的最小内径。本实用新型提供的单晶生长装置可以改善现有技术中碳化硅晶体生长边缘竞争生长所形成的杂晶裂纹以及应力导致微管的问题，达到提高晶体整体质量以及增加碳化硅晶体可用直径的目的。
一种生长装置

[实用新型]一种降低晶体凸度和缺陷的热场结构-CN202222506589.5有效
发明人：张小刚;于文明;王胜亚;何小三;王保生 -专利权人：江苏芯恒惟业电子科技有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种降低晶体凸度和缺陷的热场结构，包括：保温体、坩埚，保温体开设有：保温腔、槽A、槽B、测温孔，保温腔位于保温体的中部，槽A开设于保温体的上端面，在从上至下的方向上，槽B开设于保温腔的上腔壁，测温孔为开设于槽A与槽B之间的通孔，测温孔分别位于槽A的最低处以及槽B的最高处，坩埚设置于保温腔中，坩埚上端与上腔壁之间具有间隙。通过设置槽A与槽B，使得保温体上端在朝向测温孔方向的保温体厚度逐渐减小，从而使得保温腔中径向温度梯度可以形成逐渐变化的趋势，并且在坩埚上端与上腔壁之间设置间隙，从而为形成轴向温度梯度留下空间，以此解决原结构中径向温度梯度会发生突变和未留有轴向温度梯度的问题。
一种降低晶体缺陷结构

[实用新型]一种立式晶体生长炉下炉盖锁紧机构-CN202220998199.1有效
发明人：刘鹏;徐文立;胡建宇;施佳伟 -专利权人：宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种立式晶体生长炉下炉盖锁紧机构，涉及锁紧机构技术领域，包括设置于框架上的锁紧组件和驱动系统，所述锁紧组件包括联动块、安装座、连杆座和驱动结构；所述安装座用于与所述框架或炉体相连接，所述驱动结构设置于所述安装座一端，所述连杆座设置于所述安装座另一端，所述联动块与所述连杆座活动连接，所述驱动结构与所述联动块传动连接，所述驱动系统与所述驱动结构动力连接。1.通过简单的机构实现了下炉盖的自动锁紧，避免了人工操作的繁琐费时及可能造成的风险。2.通过在驱动系统中设计增加冗余保护系统，实现了在驱动力缺失、断电、管路破损、驱动换向阀损坏的情况下对炉盖的自锁功能。
一种立式晶体生长炉下炉盖锁紧机构

[实用新型]一种单晶生长装置-CN202221088694.5有效
发明人：周振翔;倪代秦;魏华阳;李丹;李康;赵小玻;李勇;赵鹏;何敬晖;高崇;袁雷;陈建荣;黄存新 -专利权人：中材人工晶体研究院（山东）有限公司;中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供单晶生长装置，包括：炉体和位于炉体内部的保温结构；保温结构内部具有密闭的腔体，腔体用于盛放坩埚，沿炉体的高度方向，保温结构包括位于坩埚上方的第一保温层、位于坩埚下方的第二保温层以及环绕坩埚外周的第三保温层；第一保温层包括中心部和围绕中心部外侧的外围部，中心部能够相对于外围部上下运动，以使保温结构密封或者具有一定的开口，外围部靠近坩埚的一端设有第一控温件，第一控温件和中心部之间设有第一加热件，第一加热件与第一控温件和中心部之间均具有预设距离。该单晶生长装置，能够优化单晶生长装置中坩埚内的温度分布，提高晶体生长质量。
一种生长装置

[发明专利]可释放碳化硅单晶生长应力的生长组件、设备及方法-CN202110655346.5在审
发明人：马远;薛卫明;潘尧波 -专利权人：中电化合物半导体有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可释放碳化硅单晶生长应力的生长组件、设备及方法。生长组件包括位于外侧的中空筒状石墨层及位于内侧的薄壁低抗折强度石墨筒，且在中空筒状石墨层和薄壁低抗折强度石墨筒之间留有间隙；碳化硅单晶生长过程中，籽晶固定于所述生长组件的内侧。本发明通过对生长组件的结构进行优化设计，改良了与晶体接触的热场部件，因此减少了晶体生长、退火和冷却过程中产生的热应力，解决了出炉时晶体可能开裂的问题，同时可以降低BPD等晶体缺陷，提升晶体质量。
释放碳化硅生长应力组件设备方法

[实用新型]碳化硅余料锭块作返料进行晶体生长的结构件-CN202221331861.4有效
发明人：刘得伟;黄四江;沙智勇;殷云川;尹归;杨海平;王美春 -专利权人：昆明云锗高新技术有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：碳化硅余料锭块作返料进行晶体生长的结构件，涉及碳化硅单晶生长领域。本实用新型包括籽晶托、坩埚、余料锭块和凸台，籽晶托设置有放置籽晶的平面，籽晶托固定在坩埚顶部；凸台设置在坩埚内壁上，余料锭块放置在凸台上；余料锭块下方的坩埚内填充有长晶粉料。本实用新型拆卸方便，能够重复使用，更好的支撑余料锭块，使余料锭块更水平的放置，减小了余料锭块与坩埚之间的间隙，避免了石墨化碳颗粒通过间隙传输进入长晶界面；碳化钽耐受高温，与石墨坩埚紧密贴合，阻止了长晶组分中的硅与石墨坩埚中的碳反应，降低了石墨坩埚的高温腐蚀，还能够改善长晶过程中的组分富碳。
碳化硅余料锭块作返料进行晶体生长结构件

[发明专利]一种气相法生长碳化硅单晶的籽晶固定方法-CN202211184344.3在审
发明人：杨培培 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种气相法生长碳化硅单晶的籽晶固定方法，包括下述步骤：(1)籽晶固定分两步进行，首先将碳化硅籽晶内置于半开环式石墨固定托，卡紧活动半开石墨环；(2)固定好籽晶的石墨固定托固定于石墨坩埚上盖内侧，籽晶生长面朝下；(3)石墨坩埚内放入碳化硅原料，在晶体生长炉中进行气相法生长碳化硅单晶。本发明通过半开环式石墨固定托固定籽晶的方法，实现对碳化硅籽晶的有效机械固定，再将石墨固定托粘接或机械固定于石墨坩埚内侧，进行气相法生长碳化硅单晶。
一种气相法生长碳化硅籽晶固定方法

[实用新型]一种用于碳化硅籽晶粘接的加热装置-CN202222436136.X有效
发明人：李留臣;周正星;程绪高;周洁 -专利权人：江苏星特亮科技有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于碳化硅籽晶粘接的加热装置，包括从下往上依次连接的底座、发热组件和导热组件；发热组件包括设于底座上的发热座、设于发热座中的凹槽、设于凹槽中的发热件、设于凹槽和发热件之间的绝缘件，凹槽向上开口，单位面积中发热件的发热量沿发热座的径向方向从内向外逐渐增加；导热组件包括设于发热座上的用于封盖凹槽的导热座。本实用新型用于碳化硅籽晶粘接的加热装置，能够对粘接时的碳化硅籽晶进行均匀加热，以保证碳化硅单晶的顺利生长。
一种用于碳化硅籽晶加热装置

[实用新型]一种电阻法单晶生长炉-CN202222236415.1有效
发明人：李留臣;周正星;程绪高;周洁 -专利权人：江苏星特亮科技有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电阻法单晶生长炉，包括炉体、可升降地穿设于炉体中的坩埚轴、连接在坩埚轴上的坩埚、设于炉体中的且环设于坩埚外侧周部的第一加热电阻、设于炉体中的且位于坩埚上方的第二加热电阻；第二加热电阻的加热温度沿坩埚的径向方向渐变设置。本实用新型电阻法单晶生长炉，通过在坩埚上方设置第二加热电阻，第二加热电阻的加热温度沿坩埚的径向方向渐变设置，能够平衡第一加热电阻在坩埚中造成的径向温度梯度，以提高单晶生长时坩埚中径向温度的均匀性，改善单晶生长环境，生长出性能更好的大尺寸单晶材料。
一种电阻法单晶生长

[发明专利]一种气相法生长碳化硅单晶掺杂均匀性的有效控制方法-CN202211209710.6在审
发明人：李祥彪;仲崇贵 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种气相法生长碳化硅单晶掺杂均匀性的有效控制方法，根据气相法生长碳化硅单晶的物理特征，通过改变石墨坩埚的内部结构，在石墨坩埚内部原料与籽晶之间加入蜂窝状石墨圆柱体，控制混合原料气体组分在籽晶表面的分布均匀性，达到掺杂碳化硅晶体生长过程中的掺杂物质分布均匀性控制。
一种气相法生长碳化硅掺杂均匀有效控制方法