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[发明专利]一种氧含量梯度变化的硅氧烷薄膜-CN201811320057.4有效
发明人：王小军;董茂进;冯煜东;党文强;何丹;李中华 -专利权人：无锡泓瑞航天科技有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明属于阻隔薄膜技术领域，具体涉及一种氧含量梯度变化的硅氧烷薄膜。所述薄膜通过以下方法制备得到，所述方法采用的PECVD装置沿走带方向设置三段布气板，具体为：基膜安装后真空室抽真空，然后在三段布气板中分别通入不同通量的六甲基二硅氧烷和氧气进行镀膜。采用三段式布气板结构的PECVD装置进行镀膜，制备了氧含量梯度变化的硅氧烷薄膜，低氧/高氧叠加的硅氧烷薄膜，同时具有高氧硅氧烷的高阻隔性和低氧硅氧烷薄膜的高柔韧性。
一种含量梯度变化硅氧烷薄膜

[发明专利]成膜方法-CN202010401194.1在审
发明人：千叶贵司;佐藤润 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法。提供一种能够在凹部埋入不易由于之后的蚀刻工序而产生缝隙的硅氧化膜。本公开的一技术方案的成膜方法具有以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于表面形成有凹部的基板之上；向所述基板供给氧化气体，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷气体氧化而在所述基板之上堆积硅氧化膜；以及利用等离子体使包含氦和氧的混合气体活性化并向所述硅氧化膜供给，从而进行所述硅氧化膜的改性处理。
方法

[发明专利]一种提高铂与衬底黏附性的方法及其产品-CN202010828900.0在审
发明人：李亦衡;王强;姚骏;夏远洋;张定安;吴敏;秦佳明;沈峰;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高铂与衬底黏附性的方法，包括在衬底上沉积黏附材料并形成黏附层，在所述的黏附层上通过剥离或者蚀刻方式形成铂层（Pt）。通过在所述的衬底和铂层（Pt）之间增加黏附层可以改善铂层（Pt）脱落问题，但铂层（Pt）退火后薄膜方阻极易受到黏附层材料的影响，造成方阻增大。一种产品，由所述的提高铂与衬底黏附性的方法制备的产品。通过本发明的方法制备后，产品在金属化后和放置一段时间均没有金属脱落问题，大大提高了金属黏附性；方阻小、粗糙度低，光滑。
一种提高衬底黏附方法及其产品

[发明专利]一种硬质合金中钴元素闪脱方法-CN201810768431.0有效
发明人：黄飞 -专利权人：成都恒睿机械有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硬质合金中钴元素闪脱方法，解决了现有技术中脱钴环节时间长，效率低，生产成本高的问题。本发明方法包括：将质量浓度70‑90％的硫酸溶液与质量浓度60‑80％的硝酸溶液加水混和，制得混合酸溶液；将氢氧化钾和铁氰化钾加水溶解，制成碱溶液；将硬质合金基片置于碱溶液中，加热条件下超声处理；将硬质合金基片用水超声清洗后，再置于混合酸溶液中，加热条件下超声处理；将硬质合金基片用水超声清洗后，取出，烘干，即得。本发明设计科学，方法简单，操作简便，能够实现钴元素的闪脱，两步脱钴总时间在10分钟以内即可完成，是原两步预处理法时间的1/10左右，大大提高生产效率，降低成本。
一种硬质合金元素方法

[实用新型]一种金刚石薄膜退涂装置-CN202020411801.8有效
发明人：李波涛;程延合;罗鑫;李建国;丰杰 -专利权人：久钻科技（成都）有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种金刚石薄膜退涂装置，包括套管和用于对工件进行加热的加热装置，具有内孔并且内孔壁面具有金刚石薄膜的工件置入套管内，并且工件内孔的轴向沿着套管的轴向，所述的加热装置设置在套管外围，含氧气体沿着套管轴向通过工件内孔。本实用新型所述的金刚石薄膜退涂装置采用氧化燃烧的方式来实现金刚石薄膜的退涂，退涂效果好、效率高，实施方便、简单、成本低，仅使具金刚石薄膜的表面与含氧气体接触从而避免对工件基体材料造成损伤，保障工件基体材料的回收质量，保障重新沉积出金刚石薄膜的工件使用性能和寿命，不使用对人体有危害的有毒有害气体，排放污染小。
一种金刚石薄膜装置

[发明专利]一种晶体硅太阳能电池镀膜方法及镀膜设备-CN202010866338.0在审
发明人：孙越;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体硅太阳能电池镀膜方法，其特征在于：包括以下步骤；步骤一，采用UV紫外清洗系统对PECVD缓存仓进行UV紫外清洗；步骤二，将退火后的硅片置于所述缓存仓中，采用UV紫外清洗系统对所述硅片进行UV紫外清洗，再对所述硅片进行背钝化层的制备；步骤三，采用UV紫外清洗系统对所述缓存仓进行氧化清洗；步骤四，将所述镀完背钝化层后的硅片置于所述缓存仓中，采用UV紫外清洗系统对所述镀完背钝化层后的硅片进行氧化清洗，再对所述镀完背钝化层后的硅片进行正膜减反层的制备。本发明通过在PECVD缓存仓中增加UV清洗系统，有效改善了硅片表面的浸润性以及清洁度，提升了电池片的膜色均匀性。
一种晶体太阳能电池镀膜方法设备

[发明专利]一种金刚石微粉的高效率处理方法与装置-CN202010097405.7有效
发明人：李成明;郑宇亭;刘金龙;魏俊俊;陈良贤 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：一种金刚石微粉的高效率处理方法与装置，属于金刚石加工及技术领域。所述方法是在真空条件下通过传送放入装置将以600℃至900℃预热后的金刚石微粉置于微波等离子体化学气相沉积系统腔室内的沉积台上。经过不间断的氩、氢和氧混合等离子体于600℃至900℃刻蚀处理的同时施加超声波和负偏置电压辅助，使金刚石微粉颗粒间相互碰撞并促进金刚石微粉均匀地受到等离子体刻蚀，充分消除金刚石颗粒表面不规则凸起及微粉中的非金刚石相等杂质，得到类球形状的纯净金刚石微粉。再通过另一侧的传送取出装置将处理好的金刚石微粉在真空条件下取出并同步冷却。于此同时，输送下一批金刚石微粉并重复上述处理过程，实现纯净、均匀的类球状金刚石微粉颗粒的连续高效率处理。
一种金刚石高效率处理方法装置

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202010015642.4在审
发明人：中川崇;早稻田崇之;中谷公彦;出贝求 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题在于，使半导体器件的制造工序简化。半导体器件的制造方法具有下述工序：(a)通过向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给从含氟气体产生的含氟自由基，从而使第1基底及第2基底中的一者的基底的表面以F封端的方式改性的工序；和(b)通过向使一者的基底的表面改性后的衬底供给成膜气体，从而在第1基底及第2基底中的与一者的基底不同的另一基底的表面上形成膜的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]一种金刚石涂层刀具酸碱自动化预处理装置-CN201810889112.5有效
发明人：张明玉;张韬;薛喆;俞张勇 -专利权人：无锡职业技术学院
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及产品加工生产自动化处理装置技术领域，尤其为一种金刚石涂层刀具酸碱自动化预处理装置，包括设备安装支架，所述设备安装支架的顶端面内侧固定连接有清水池、碱处理池和酸处理池，所述清水池由普通铝制水池和超声波振子组成，所述普通铝制水池的底端固定连接有超声波振子，且碱处理池与酸处理池的底端均与超声波振子固定连接，所述设备安装支架的底端固定连接有220WD‑M20023‑96V直流电机，本发明中，通过设置的竖直滑架组件、上连接板和下连接板，实现批量刀具的同时高效预处理，且可保证每把刀具预处理效果一致，在酸碱预处理过程中机械计时会比人工更加精确，降低不合格率，具有巨大的经济效益和广泛的市场前景，值得推广使用。
一种金刚石涂层刀具酸碱自动化预处理装置

[发明专利]一种折射率沿蓝宝石单晶光纤径向递减的包层及其制备方法-CN201910102683.4有效
发明人：孙洪波;海珊;于永森 -专利权人：吉林大学
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种折射率沿蓝宝石单晶光纤径向递减的包层及其制备方法，属于光纤技术领域，在不同沉积温度下，利用原子层沉积(ALD)技术在蓝宝石单晶光纤表面分别沉积两层密度(折射率)不同的氧化铝薄膜，并进行退火，得到折射率沿光纤径向逐渐递减的包层。这种折射率沿光纤径向递减的氧化铝包层能够最大限度地降低光纤进行长距离传输时的光损耗，并起到有效保护光纤的作用。本发明利用原子层沉积技术制备的蓝宝石单晶光纤的包层具有很好的致密性，且包层的厚度可控，成膜质量较高。获得的氧化铝包层耐高温，折射率低，且低于或接近蓝宝石光纤的折射率，满足蓝宝石单晶光纤对于包层的要求。
一种折射率蓝宝石光纤径向递减包层及其制备方法

[发明专利]一种基于激光在金属表面原位生长石墨烯的方法及其应用-CN202010490652.3在审
发明人：叶晓慧;董任重;羊奕帆;杨艳玲;锁国权;冯雷;侯小江;张荔 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于激光在金属表面原位生长石墨烯的方法及其应用，利用激光在金属基底上引入粉末状的金属镍，采用搭接的扫描方式形成金属镍与金属基体的合金涂层；在合金涂层上预涂固体碳源，再用激光辐照实现原位生长石墨烯。本发明充分发挥了石墨烯优异的机械性能和耐腐蚀摩擦特性，使得金属材料同时高机械性能、抗腐蚀能力和耐摩擦能力，最终实现降低加工成本，延长金属工件及设备使用寿命的目的。
一种基于激光金属表面原位生长石墨方法及其应用

[发明专利]金刚石纳米晶/氮掺杂碳化硅界面相的n型半导体复合薄膜及其制备方法-CN202010667428.7在审
发明人：刘学杰;诸葛晨昱;孙士阳;谭心 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石纳米晶/氮掺杂碳化硅界面相的n型半导体复合薄膜及其制备方法，属于复合薄膜材料领域；该方法制得的复合薄膜由晶粒相和晶粒间相两部分组成，其中晶粒相为纳米或者超细纳米金刚石晶粒；晶粒间相（界面相）是氮原子置换碳原子的碳化硅晶粒相或者非晶相；晶粒间相（界面相）在金刚石晶粒之间形成分隔层；该复合薄膜具有n型半导体性能；复合薄膜的制备包括在基底表面植入高密度分布的晶种，利用微波等离子气相沉积形成金刚石晶核，共同沉积金刚石晶粒相和氮掺杂碳化硅界面相，生长出纳米金刚石复合薄膜，以及进行热处理消除薄膜应力和均化晶粒尺寸。
金刚石纳米掺杂碳化硅界面半导体复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种表面镀有金刚石膜的第一壁材料制备方法-CN202010563979.9在审
发明人：耿传文;赵鹏;曾梅花;张晓东;胡立群 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面镀有金刚石膜的第一壁材料制备方法，步骤为：首先，将第一壁材料中的面向等离子体块材(表面材料为钨，简称PFM)放入压入式干喷砂机中喷砂，其次将喷砂后的PFM进行超声清洗、烘干后放置在双基片台微波等离子体化学气相沉(MPCVD)反应装置内，然后用氢等离子体先对其刻蚀清洗，最后在表面上进行金刚石膜的沉积。该方法采用MPCVD方法在第一壁材料表面制备金刚石膜，具有非常好的结合力，改善磁约束可控热核聚变(托克马克)第一壁材料原本杂质容忍度低、物理溅射和辐照效应较差等性能。
一种表面金刚石第一材料制备方法

[发明专利]二维材料增强金属基复合材料及其连续化制备方法-CN201910822067.6有效
发明人：刘悦;杨昆明;范同祥 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：一种二维材料增强金属基复合材料及其连续化制备方法，所述制备方法包括：采用卷对卷化学气相沉积工艺，在金属箔表面沉积单层或多层二维材料，形成复合箔；沉积过程中，通过卷对卷的传输，将所述复合箔逐层卷覆于沉积设备一端的内模上；在完成卷覆的复合箔外包覆外模，并进行抽真空处理；将所述复合箔进行热等静压处理，冷却至室温，获得块状金属基复合材料。上述方法能够实现大规模连续制备，且形成的金属基复合材料性能得到提高。
二维材料增强金属复合材料及其连续制备方法

[发明专利]形成钨膜的方法-CN201810384157.7有效
发明人：前川浩治;鲛岛崇;青山真太郎;铃木幹夫;有马进;松本淳志;柴田直树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：提供一种形成钨膜的方法，该钨膜具有低的电阻。在一个方式中，提供一种形成钨膜的方法。该方法包括以下工序：在基板上形成包含金属的不连续膜；以及在上面形成了不连续膜的基板上形成钨膜。在形成不连续膜的工序中，例如将第一原料气体和氮化气体交替地同载气一起供给。在形成钨膜的工序中，例如将第二原料气体和还原气体交替地同载气一起供给。
形成方法