专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种二甲基锗烷的制备方法及装置-CN202110490716.4在审
  • 徐建;朱刘;陈振宇;蔡云雷;李贤奎 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2021-05-06 - 2021-07-20 - C07F7/30
  • 本发明公开了一种二甲基锗烷的制备方法及装置,二甲基锗烷的制备方法,包括:步骤S1:分别向密闭反应釜内注入溶剂、二甲基二氯化锗及还原剂,二甲基二氯化锗与还原剂反应生成二甲基锗烷;步骤S2:冷却气态二甲基锗烷及挥发的部分气态溶剂,将冷凝生成的液态溶剂回流至密闭反应釜内;步骤S3:精馏气态二甲基锗烷;步骤S4:吸附气态二甲基锗烷中的杂质;步骤S5:收集二甲基锗烷。本发明中,二甲基二氯化锗与还原剂在密闭反应釜内反应生成二甲基锗烷,经过精馏去除一部分混在二甲基锗烷中的溶剂,再吸附二甲基锗烷中的杂质,最后收集,作为制造芯片的锗源,二甲基锗烷相比现在使用的锗烷和四氟化锗性质更稳定,提高了锗源制造芯片的安全性。
  • 一种甲基制备方法装置
  • [发明专利]一种二乙基二卤化锗的制备方法-CN202011514955.0在审
  • 曾翼俊;陈世栋;徐成;黄邹松 - 清远先导材料有限公司
  • 2020-12-18 - 2021-03-30 - C07F7/30
  • 本发明提供一种二乙基二卤化锗的制备方法,所述方法包括以下步骤:(1)将乙基碘化镁、四卤化锗在酸性条件下的有机溶剂A中混合并在不超过10℃的温度下反应得到四乙基锗;(2)将步骤(1)得到的四乙基锗和四卤化锗在300℃~400℃反应得到二乙基二卤化锗。本发明的二乙基二卤化锗的制备方法提供了一种新的二乙基二卤化锗的合成工艺流程,本发明二乙基二卤化锗的制备方法不需要使用任何有毒气体原料,尤其不需要使用氯乙烷,不需要尾气处理步骤,避免了反应设备泄露导致有毒气体泄露,而且也不产生任何的有毒气体类的中间产物,产品杂质较少,纯度高,更易获得性状较稳定的产品,从而更利于大生产,产率高,绿色环保。
  • 一种乙基卤化制备方法
  • [发明专利]一类醇取代的二维层状锗烷及制备方法-CN201810726260.5有效
  • 封伟;赵付来;王宇;冯奕钰;李瑀 - 天津大学
  • 2018-07-04 - 2020-10-20 - C07F7/30
  • 本发明涉及一类醇取代的二维层状锗烷的制备方法,在氮气或惰性气体保护下将CaGe2分散于乙腈中,避光条件下加入超纯水和碘乙醇或碘丙醇进行反应,室温搅拌5‑10天;产物用去离子水、异丙醇分别洗涤,室温下真空干燥8‑24h,得到乙醇或丙醇取代的二维层状锗烷。本发明制备的一类醇取代的二维层状锗烷;二维层状锗烷为直接带隙半导体,光学带隙范围1.8‑1.9eV。相对于纯锗烷(带隙值1.56eV)有了很大提高,有望在场效应晶体管应用上对器件进行有效关断。
  • 一类取代二维层状制备方法

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