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[发明专利]一种固相烧结碳化硅制品及其制备方法-CN202111302454.0有效
发明人：闫永杰;赵瑞康 -专利权人：南通三责精密陶瓷有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本申请涉及工程陶瓷材料领域，具体公开了一种固相烧结碳化硅制品及其制备方法。一种固相烧结碳化硅制品的制备方法，包括如下步骤：原料研磨：将微米级碳化硅粉末与含硼烧结助剂混合并湿法研磨，得到浆料；喷雾造粒：向浆料中加入水溶性炭黑和粘结剂，搅拌均匀，经过喷雾造粒，得到碳化硅造粒粉体；混料；陈腐：将混料得到的湿粉经过陈腐，得到陈腐料；后处理：将陈腐料经过练泥、挤出、干燥、热处理即可。本申请的制备方法制备的碳化硅制品可用作换热管、辊棒、方梁、微反应管等，其具有制品烧结密度高、抗压强度大、韧性高的优点；另外，本申请的制备方法具有生产成本低、生产效率高的优点。
一种烧结碳化硅制品及其制备方法

[发明专利]一种抗结皮微晶材料-CN202211342658.1在审
发明人：陈超;余国山;余子建 -专利权人：荆门雷法耐火科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗结皮微晶材料，包括以下重量份的组分：碳化硅80‑100份、氮化硅10‑20份、氮化硼5‑15份、氧化锆3‑10份、微晶粉5‑10份和玻璃微珠1‑5份。本发明提供一种抗结皮微晶材料及其制备方法，得到的抗结皮微晶材料具有良好的耐高温性能、热稳定性、耐磨性和耐酸碱性能。
一种抗结皮微晶材料

[发明专利]基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法-CN202211483210.1在审
发明人：薛继梅;刘玉强;侯泽鑫;高源;杨帆 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法，以多孔莫来石为基底，沉积SiC陶瓷，制备具有层状结构的多孔莫来石/BN/SiC复相陶瓷。由于化学气相渗透（CVI）工艺制备的BN陶瓷晶化程度较低，热处理可改变其晶化程度和微结构，对化学气相沉积（CVD）SiC陶瓷的形核与长大过程起诱导作用，进而调控多孔莫来石/BN/SiC复相陶瓷的微结构和介电性能。通过控制莫来石/BN复相陶瓷的热处理温度和时间，优化多孔莫来石/BN/SiC复相陶瓷的微结构、晶化程度和元素组成，制备微结构和介电性能可调的莫来石/BN/SiC复相陶瓷，获得优异的电磁波吸收性能。该方法为基底诱导化学气相沉积硅基陶瓷的制备与性能调控提供了制备方法，有潜力用于制备承载吸波一体化陶瓷基复合材料。
基底诱导化学沉积 sic 陶瓷制备方法

[发明专利]一种改性碳化硅陶瓷及其制备方法-CN202211491079.3在审
发明人：王晓波;贺智勇;王峰;千粉玲 -专利权人：北京钢研新冶工程技术中心有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本申请提供了一种改性碳化硅陶瓷及其制备方法，该制备方法包括(1)将包括碳化硅、氮化钛和复合稀土氧化物的原料进行湿法混合，得到混合粉体；(2)将混合粉体真空烧结，得到素坯，之后进行破碎，得到二次粉体；(3)在氮气保护下，对二次粉体进行热压烧结，得到预烧结体；(4)对预烧结体进行热等静压，得到改性碳化硅陶瓷。本申请通过在碳化硅结构中掺杂氮化钛和复合稀土氧化物，增加碳化硅内部结构中自由移动载流子的数目；另外，还可以降低碳化硅晶格中的氧含量；以及通过烧结过程条件的改变，显著提高碳化硅陶瓷的热导率。
一种改性碳化硅陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种巴基纸/粉煤灰耐磨陶瓷贴片的制备方法-CN202210598776.2有效
发明人：饶光华;陈乐;诸建彬;王松;宁昌和;施一鸣;潜江;袁凯东;刘鹏;罗毅明;涂启明;赵宏;刘江 -专利权人：国家电投集团江西中业兴达电力实业有限公司;南昌工程学院
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：一种巴基纸/粉煤灰耐磨陶瓷贴片的制备方法，将巴基纸常规羧基化后浸泡入多巴胺硝酸铝溶液中，超声处理；用正硅酸丁酯、氧化铝溶胶以及微纳米粉煤灰制备胶状体后涂刷在钢模具板底层，然后将所得巴基纸平铺在胶状体上，反复3到5次，形成粉煤灰/巴基纸夹层材料；对夹层材料挤压成形，后烘干得到坯体。坯体进行高温真空环境或惰性气体保护环境烧结，随炉冷却至室温得到巴基纸/粉煤灰耐磨陶瓷贴片。本发明具有简单、安全、易于操作和可控等优点。所制备的陶瓷贴片相比传统的化学镀，界面黏连性更具优势；可改善陶瓷耐磨片的硬脆性；更易实现陶瓷耐磨贴片形状的可定制性。
一种巴基纸粉煤耐磨陶瓷制备方法

[发明专利]一种换热器、陶瓷及其制法和应用-CN202210020290.0有效
发明人：吴泽霖;任志恒;付超;朱凯 -专利权人：松山湖材料实验室;中科卓异环境科技（东莞）有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：一种换热器、陶瓷及其制法和应用，属于换热器领域。制作换热器的方法包括：提供基体，该基体具有多孔的高分子模板和结合于所述高分子模板的覆盖层。其中，所述包覆层主要包括混合态的碳化硅、硅以及高分子材料，高分子模板和所述高分子材料均可通过热裂解而碳化；以及对基体进行真空或惰性气氛下的热解和在热解之后进行的烧结，使硅与热解过程中产生的碳反应而转化为碳化硅。通过上述方法获得的换热器主要为碳化硅相，因此具有耐腐蚀、导热、强度高等优点，可以提供更长的使用寿命。
一种换热器陶瓷及其制法应用

[发明专利]一种一步调控碳化硅膜孔结构和表面性质的方法-CN202210025969.9有效
发明人：邢卫红;仲兆祥;江倩;王雅欣;谢雨伶;徐南平 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种一步调控碳化硅膜孔结构和表面性质的方法，该方法首先将SiC粉体与烧结助剂充分混合，然后通过控制成型压力和烧结条件协同调控SiC膜的孔结构和表面润湿性质。通过控制SiC氧化生成SiO2量，促进其与烧结助剂原位反应生成颈部连接，既可降低SiC膜烧结温度又可提高碳化硅膜强度和耐腐蚀性能。成型压力和烧结温度的调控有效控制了SiC膜的烧结程度，是一种一步调控SiC膜孔结构和表面性质的简易方法。所制备的SiC膜孔隙率在13%~48%可调、孔径在0.17μm~1μm可调，SiC膜的动态水初始接触角在12.01°‑66.8°、水下油接触角在120.3°‑155.1°可调；所制备的SiC膜具有高抗弯曲强度和纯水渗透性能，在油水分离和乳液制备领域具有广泛的应用前景。
一种一步调控碳化硅结构表面性质方法

[发明专利]一种中空陶瓷材料及其制备方法-CN202111652005.9有效
发明人：张虹;林文松;王晓锋;欧阳晓平;方宁象;李晓明;邢凌新;崔毅;章新华 -专利权人：浙江立泰复合材料股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种中空陶瓷材料及其制备方法，所述中空陶瓷材料包括碳化硅和/或碳化硼，所述中空陶瓷材料中心位置具有球状空腔，空腔内设置硅铝合金。根据所成形的陶瓷坯体的形状，采用模压成形、注浆成形或冷等静压成形的方法制成，将适当成分的硅铝合金球放置于碳化硅或碳化硼粉末成形压坯的中心，并通过反应烧结过程得到具有中空结构的碳化硅/碳化硼陶瓷，能有效提高复合装甲的抗弹防护效能。
一种中空陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种可焊接碳化硅陶瓷桶的制备方法-CN202010273515.4有效
发明人：黄毅华;黄政仁;刘学建;陈忠明;杨金晶 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;上海前瞻创新研究院有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种可焊接碳化硅陶瓷桶的制备方法，包括：（1）将碳化硅粉体、炭黑、金属粉和粘结剂混合，得到混合料；所述碳化硅粉体、炭黑、金属粉和粘结剂的质量含量比为60～90wt%：3～15wt%：5～10wt%：1～5wt%，各组分含量之和为100wt%；（2）将所得混合料置于研磨桶模具中进行成型，得到碳化硅陶瓷素坯；（3）将所得碳化硅陶瓷素坯在1450～1800℃下进行真空渗硅反应烧结，得到所述可焊接碳化硅陶瓷桶。
一种焊接碳化硅陶瓷制备方法

[发明专利]一种碳化硅陶瓷均温板的制备方法-CN202211314447.7有效
发明人：王明峰;王东;王明祥;郭焕军 -专利权人：山东华美新材料科技股份有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅陶瓷均温板的制备方法，属于特种陶瓷制品技术领域，包括粉体料制备，粉体料预处理，粉末料浆的制备，制浆造粒，等静压成型，干燥及烧结六个步骤。本发明制备的碳化硅均温板，室温导热系数195~207W·m‑1·K‑1，密度为2.95~2.98g/cm3，维氏硬度为2975~3040HV，常温抗弯强度为342~365MPa，高温（1400℃）抗弯强度为393~412MPa。
一种碳化硅陶瓷均温板制备方法

[发明专利]一种柔性耐高温碳化硅气凝胶复合隔热材料的制备方法-CN202211311270.5在审
发明人：张和平;闫明远;程旭东;潘月磊 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性的耐高温碳化硅气凝胶复合隔热材料的制备方法，包括以下步骤：1)将硅源、溶剂与碳前驱体混合，干燥后烧结，得到碳化硅纳米线原料；2)将碳化硅纳米线原料与无机纤维、交联剂混合搅拌，得到均一的碳化硅纳米线/无机纤维悬浮液；3)将碳化硅纳米线/无机纤维悬浮液进行冷冻处理，得到复合凝胶；4)将复合凝胶进行真空干燥后行热处理，得到柔性的耐高温碳化硅气凝胶复合隔热材料。本发明制备的隔热材料具有较好的力学性能以及隔热性能。
一种柔性耐高温碳化硅凝胶复合隔热材料制备方法

[发明专利]碳化硅空间形体及形成球状体的方法-CN202211267825.0在审
发明人：道格拉斯·杜克斯;格伦·桑德格林;安德鲁·R.·霍普金斯;伊莎贝尔·伯林汉姆;马克·S.·兰德 -专利权人：帕里杜斯有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：用于球状体生长的SiC起始材料的空间形体。控制SiC球状体的气相沉积生长及提供方向性通量的方法。自单一球状体生长循环增加晶圆的数量、电子部件的数量及可操作性元件的数量的方法。
碳化硅空间形体形成球状方法

[发明专利]一种改性SiC基太阳能热发电用储热陶瓷及其制备方法-CN202111604117.7有效
发明人：徐晓虹;宋佳;吴建锋 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于新能源陶瓷领域，涉及一种改性SiC基太阳能热发电用储热陶瓷及其制备方法，先按质量比为100：(0.5～9)取基础粉料以及改性助烧剂混合均匀，得混合粉料；基础粉料包括SiC、铝矾土和高岭土；向混合粉料中加入水溶性粘结剂溶液，混合均匀得到塑化坯料；塑化坯料经压制成型和干燥，得到干燥坯体；将干燥坯体在不高于1500℃的温度下烧结，得到改性SiC基太阳能热发电用储热陶瓷。本发明制备的储热陶瓷材料不仅储热密度大、抗氧化性能好，而且其制备温度较其他SiC基材料更低、热导率以及机械强度更高，用于太阳能热发电储能系统更易实现大规模量产。
一种改性 sic 太阳能发电用储热陶瓷及其制备方法

[发明专利]耐磨损性构件以及使用了该耐磨损性构件的龙头阀、活塞-工作缸单元-CN202180032623.5在审
发明人：古馆宪一;八岛美惠子 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及耐磨损性构件以及使用了该耐磨损性构件的龙头阀、活塞‑工作缸单元。本发明的耐磨损性构件由以碳化硅为主要成分的陶瓷构成，在滑动面具有多个开气孔，从相邻的开气孔的重心间距离的平均值A减去开气孔的当量圆直径的平均值B得到的值C为平均值B的6倍以上。
耐磨构件以及使用龙头活塞工作单元

[发明专利]一种改进的碳化硅蜂窝陶瓷单元体快速烧成方法-CN202111355111.0有效
发明人：梁瑞;蔡凯;沈琴娟 -专利权人：宜兴王子制陶有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的碳化硅蜂窝陶瓷单元体快速烧成方法，包括以下步骤：将碳化硅蜂窝陶瓷单元体放入烧制炉；在烧制炉中营造烧制环境；进行烧制，以6.0℃/min的升温速率从室温升温至800℃；以2.0℃/min的升温速率从室温升温至1100℃，保温2 h；以0.8℃/min的升温速率升温至1400℃，保温1 h；以0.2℃/min的升温速率升温至1460℃，保温2 h；停止加热，随炉冷却至室温。采用本发明的设计，整体升温时间时间为20.9小时，相对于现有技术的32.5小时，大大提高了烧成效率。
一种改进碳化硅蜂窝陶瓷单元快速烧成方法