专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种一维纳米碳化钨及其制备方法和应用-CN201711124350.9有效
  • 吝楠;赵龙博 - 湖南大学
  • 2017-11-14 - 2019-08-06 - C01B32/949
  • 本发明涉及一种一维纳米碳化钨及其制备方法和应用;属于硬质合金材料制备技术领域。所述一维纳米碳化钨的直径小于150nm,长度大于5μm。其制备方法为:以一维纳米结构的钨为原料;将原料加热至1000‑1100℃,同时,通入含有甲烷和稀释气体的混合气体;反应1‑2小时;得到钨/碳一维复合纳米结构材料;所述甲烷的流速为20‑50cm3/s,稀释气体的流速为100‑150cm3/s;然后对得到的钨/碳一维复合纳米结构材料在真空条件下进行碳化处理2‑5小时,冷却,得到一维纳米碳化钨;所述碳化处理的温度为1200~1400℃。所述一维纳米碳化钨的应用包括将其用作硬质合金的增韧剂。
  • 一种纳米碳化及其制备方法应用
  • [发明专利]一种CH4还原碳化WO3制备WC粉体的方法-CN201710458570.9有效
  • 张颖异;白晨光 - 重庆大学
  • 2017-06-16 - 2019-05-31 - C01B32/949
  • 本发明提供了一种CH4还原碳化WO3制备WC粉体的方法,该方法有效利用甲烷对WO3纳米粉进行直接还原碳化得到WC粉体产品,甲烷气体的来源广泛且成本便宜,甲烷裂解的高活性碳和氢气直接参与还原碳化反应,使得WO3能够较低的600~800℃的温度环境下还原碳化30~90分钟即可制备得到WC粉体产品,还原碳化温度较低、时间较短,能显著降低生产能耗和成本,用于实现WC粉体的大规模低成本工业生产,且制备的WC粉体具有平均粒径小,比表面积大,机械性能好,球形度较好,可以很好的满足工业应用的要求,可用于制备高性能的超细晶粒硬质合金以及高活性的碳化钨催化剂。
  • 一种ch4还原碳化wo3制备wc方法
  • [发明专利]一种在原位还原碳化钨时自生长石墨烯的方法-CN201510986444.1有效
  • 吴子平;赵曼;吴高;尹艳红;胡英燕 - 江西理工大学
  • 2015-12-25 - 2019-04-26 - C01B32/949
  • 一种在原位还原碳化钨时自生长石墨烯的方法,属于钨基和碳基纳米材料技术领域。本发明通过将现有制备石墨烯的水平基底变成由大量纳米颗粒组成的钨源前驱体基底,通过钨源前驱体在碳化过程中的碳溶解过程,实现钨源前驱体在转化成碳化钨后的继续溶碳,由于碳化钨对碳的固溶量较低,通过控制反应系统中碳量的控制,使其在碳化钨表面实现吸附与析出生长石墨烯。本发明的装置简便,原料简单易得,成本低廉,对环境无污染;采用在惰性气体保护通入碳源,无明显易燃危险原料;产物易于处理,收率高,设备简单,可以半连续化操作,适于大量生产。
  • 一种原位还原碳化生长石墨方法
  • [发明专利]介孔纳米碳化钨的制备方法及产品-CN201610830947.4有效
  • 齐德才;赵祉荣 - 中冶东方工程技术有限公司
  • 2016-09-19 - 2019-02-12 - C01B32/949
  • 本发明提供了一种介孔纳米碳化钨的制备方法,包括向表面活性剂溶液中加入钨源和碳源,混合均匀得到反应络合物,所述反应络合物在水浴中反应生成钨‑碳凝胶前驱体;将所述钨‑碳凝胶前驱体干燥并研磨获得前驱体粉体;在还原气氛中对所述前驱体粉体进行热处理获得介孔纳米碳化钨粉体。本发明还提供了由前述方法制备的介孔纳米碳化钨。本发明的方法工艺简单、易控、节约能源,并且不会引入外来杂质;获得的介孔纳米碳化钨的粒径小、颗粒均匀、孔隙率高、比表面积大、具有良好的电化学催化性能。
  • 纳米碳化制备方法产品

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