[发明专利]相移掩模及其制造方法

说明书

本发明涉及一种在半导体的制造中所用的相移掩模及其制造方法，特别是涉及一种铬掩模，用于防止在相移区所形成的相移材料图形因铬图形拓扑布局所引起的厚度不均匀，以及制造这种铬掩模的方法。

为了在制造256M以上的DRAM(动态随机存取存储器)的高集成度的半导体器件中形成具有临界尺寸的图形，应使用高分辨率的相移掩模。这种高分辨率的相移掩模在相移掩模上淀积相移材料层过程中要求厚度和掩模对准都要精确。

当按常规方法在具有一定拓扑布局的下层图形上涂敷一层相移材料时，由于下层图形的拓扑布局使厚度的均匀变坏。在原版上具有最小图形尺寸的高集成图形的情况下，其厚度的均匀性极大地取决于在图形上所涂敷的相移材料。

图1示出一个常规相移掩模的例子。如图1所示，在石英衬底4上形成多个厚度为d的多个彼此隔开的铬图形3。一个相移材料图形2包括，例如，在石英衬底4上在每隔一个(在两个)铬图形3之间的间隔上形成的SOG(玻璃上旋涂)膜，以使其与铬图3部分重叠。

在此情况下，由于铬图形3的布局使相移材料图形2的厚度不均匀。如图1所示，该相移材料图形2，在其淀积在每个铬图形3的侧壁的部分，其厚度为t＇，而在其淀积在石英衬底4上的部分，其厚度为t。这种相移材料图形2适于使通过图形的入射光束1＇相移180°。但是由于图形厚度不均匀，在光束通过图形2之后，其相移就会彼此不同。其结果，难以制造具有原始设计的图形的相移掩模。当使用具有不精确图形的相移掩模时，在晶片上所形成的图形就会有不同的临界尺寸。

其时，直接通过石英衬底4的入射光束1其相移为0°。

所以，本发明之目的在于提供在相移区具有均匀厚度的相移掩模以及通过在其边缘形成与石英衬底平齐的铬图形的相移掩模的方法，因而能防止与铬图形重叠的相移材料图形由于铬图形的布局引起的厚度不均匀。

根据本发明一个方面，本发明提供一种相移掩模，它包括：设有多个凹槽的石英衬底；在各凹槽和每隔一个位于两个凹槽间的石英衬底部分上涂镀的铬图形；以及在未被铬图形覆盖的石英衬底的部位上涂镀的相移材料图形，该相移材料图形与位于未被铬图形覆盖的那部分石英衬底相对两侧的铬图形部位重叠。

根据本发明的另一方面，本发明提供一种制造一种相移掩模的方法，该方法包括以下各步骤：制备一块石英衬底，然后使用掩模刻蚀石英衬底，因而形成多个凹槽；在石英衬底上淀积一层铬，使铬层填入凹槽，然后使用另一掩模刻蚀铬层的预定部分，因而形成一铬图形，它与各凹槽和每隔一个位于两个凹槽间的石英衬底的部位重叠；以及在铬图形形成后所得的结构上涂镀一层相移材料，然后再使用另一个掩模刻蚀相移材料层，因而形成一相移材料图形，该相移材料图形在相移区身有均匀的厚度。

从下面参照附图对实施例的描述会使本发明的其它目的和方面变得更加清楚。

图1是表示常规相移掩模的剖面图；以及

图(2A～2D)是表示根据本发明的实施例制造相移掩模方法的连续步骤的剖面图。

图2A～2D示出了根据本发明的实施例来制造一相移掩模方法的连续步骤。

根据本发明，在一块石英衬底4上涂敷一光致抗蚀胶材料，然后使用一掩模(未图示)通过曝光和显影工艺刻图，因而形成一光致抗蚀胶图形5，如图2A所示。以该光致抗蚀胶图形5作掩模，然后通过反应离子刻蚀工艺刻蚀石英衬底4，因而形成多个凹槽10。石英衬底4的被刻蚀深度对应于待随后淀积的铬图形的厚度。

然后去掉光致抗蚀胶，如图2B所示。此后，在石英衬底4上淀积一层铬6。然后在铬层6上形成作为铬图形掩模的光致抗蚀胶图形5A。

随后，刻蚀未被光致抗蚀胶图形5A覆盖的那部位铬层6，因而形成与凹槽10相重叠的铬图形6A。然后去掉光致抗蚀胶图形5A。在所得结构上，涂镀一层相移材料7。在该相移材料层7上形成作为相移材料掩模的光致抗蚀胶图形8。

使用该抗蚀胶图形8，刻蚀该相移材料层7，因而形成一相移材料图形7A，如图2D所示。所示，该相移材料图形7A在相移区X具有均匀的厚度。

从以上说明可看出，铬图形是这样形成的，即在铬图形的边缘是与石英衬底平齐的。因而，相移材料层在相移区具有均匀的厚度。所以，使用根据本发明所制造的相移掩模，可使在晶片上形成临界尺寸的光致抗蚀胶图形过程中所呈现的相移效果最大。因为使相移效果最大，达到了改善相移掩模质量的效果。

虽然为了解释目的已公开了本发明的优选实施例，本领域的技术人员将意识到本发明可以有各种各样的改型、补充和替代，而不脱离在所附权利要求中记载的本发明的范畴和精神。