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- [发明专利]通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品-CN98100416.4有效
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朴在槿;曹圭徹;李坤燮
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三星电子株式会社
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1998-02-13
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1999-02-03
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C30B15/20
- 一种硅锭按一拉晶速率分布下进行,其拉速要足够高以限制间隙凝聚,且还要足够低以便将空位凝聚限定在晶锭轴向上的富含空位区上。将晶锭切割成许多半纯晶片,每个晶片在中央具有富含空位区,包括空位凝聚,和在富含空位区与晶片边缘之间的纯度区,无空位凝聚和间隙凝聚。按照本发明的另一方面,晶锭可按一拉晶速率分布拉制硅锭,其拉速要足够高以便防止间隙凝聚,且还要足够低以便防止空位凝聚。因此,当将该晶锭切割成晶片时,晶片为纯硅晶片,可包含点缺陷,但无空位凝聚团的间隙凝聚团。
- 通过控制分布制造单晶硅晶片方法及其产品
- [发明专利]继续器-CN98116713.6有效
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内田芳则;七田浩一;大川义博
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三菱电机株式会社
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1998-07-20
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1999-02-03
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H01H33/53
- 一种断续器,由绝缘框架14的两侧面绝缘壁14b及后面的绝缘壁14c形成截面围成大致字状的空间,使端子导体18a、18b贯通后面的绝缘壁14c而向断续器7的后方突出,并用绝缘罩22遮住前部的操作机构13的后面与上面及两侧面;另外,在绝缘罩22遮住操作机构13的后面与上面及两侧面的同时,使前面开口部与面板12抵接而遮住所述操作机构,可获得小型且冷却性能高的断续器,以简单的结构提高操作机构的防尘性。
- 继续
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