[发明专利]圆形玻璃钝化二极体晶粒的制法

说明书

本发明涉及半导体领域，特别涉及圆形玻璃钝化二极体晶粒的制法。

按一般传统二极体晶粒的制法是用激光将电路设计完成的晶片采用直线交错方式切割成若干方格状的晶粒，然后再使用多种化学药剂经多次浸泡才完成。此种二极体晶粒的制法有如下缺点：

1)切割完成的晶粒必须经过多次多种化学药剂的浸泡方可完成二极体的制作，不但工序复杂，而且严重污染环境；

2)又因为切割完成的晶粒必须经过多次多种化学药剂的浸泡方可完成制作，因此，容易使制作完成的晶粒表面受伤，并使二极体成品外观不良率大增；

3)切割完成的晶粒是方块状，因此，其四角尖端容易发生放电作用，从而使其电性不稳定，无法使用在精密度要求高的电器设备上。

为改进上述传统二极体晶粒制法的各种缺点，发明人有从事这项行业多年的经验，以及经过多次不断钻研与实验，终于发展设计出本发明方法。

本发明目的在于：提供一种圆形玻璃钝化二极体晶粒的制法，该制法使在后段装配制造过程中无须经过多种多次化学药剂的浸泡，不伤晶体表面，得到电特性稳定的、圆形无尖端二极体晶粒，并且减低对环境的污染。

本发明目的是这样达到的：在扩散晶片是被覆一层光阻剂后烘干；在所说的晶片的P面上端罩设一层在其上端设有透光圈的光罩，将该罩设有光罩的晶片放置在玻璃片上夹紧，送入曝光机内感光并以显影液显影；将显影后的晶片以酸液蚀剂于未感光部分，蚀剂至晶片下层N⁺部分，形成沟槽，将蚀剂完成的晶片浸入双氧水与硫酸的混合液中，去除光阻剂；将去除光阻剂的晶片转入去离子水中清洗，除去表面的混合液，使栅层显现，然后脱水、烘干；以玻璃浆充分填实于蚀刻完成的圆形沟槽中；在石英管内，720℃下烧结1小时，清洗；在无电电镀液中镀镍后，在石英管内，650℃和通氮气氛下烧结，再镀镍一次；将上端铺设有一层白蜡的玻璃衬片置于电热板上，使白蜡呈熔融状，将二次镀镍后的晶片  N面粘固在表面熔融有白蜡的玻璃衬片上，并使白蜡覆盖晶片整面，再将预先粘设有小圆铁片的胶带通过白蜡正确地粘贴密合在晶片上，小圆铁片数目与晶片P面未填入玻璃浆的端面相对应，使粘设有小圆铁片的胶带粘贴密合在晶片上时各该小圆铁片恰可一一密贴于晶片P面未填入玻璃浆的端面上，从电热板上取下该上端粘固有圆铁片及下端粘固有玻璃衬片的晶片；移至自然冷却的平板上冷却，将冷却后的晶片撕去胶带，送入喷砂机内喷砂；喷砂是对于晶片粘设有小圆铁片的一面喷砂，喷砂完成后在玻璃衬片上形成许多小圆形晶粒，将该玻璃衬片与许多小圆形晶粒浸泡在三氯乙烷中清洗、分离、脱水，并以磁铁将小圆铁片吸出，即得圆形玻璃钝化二极体晶粒，从而本发明目的就完且达到了。

以下结合附图对本发明进行详细说明。

附图1为本发明方法操作程序方块示意图。

附图2为扩散晶片被覆光阻剂的示意图。

附图3为扩散晶片经曝光显影后的示意图。

附图4为扩散晶片经刻蚀后的立体示意图。

附图5为扩散晶片经蚀刻后所形成的栅层中填满玻璃浆的示意图。

附图6为扩散晶片镀镍后的示意图。

附图7为欲将各小圆铁片以正确位置粘贴在扩散晶片上时的立体示意图。

附图8为扩散晶片与玻璃衬片及各小圆形铁片定位胶合后的剖面示意图。

附图9为经过喷砂后所形成圆柱状晶粒的剖面示意图。

附图中标号与本发明中有关部件的对应如下：

扩散晶片1、光阻剂2、光罩3、玻璃片4、透光圈5、圆形沟槽6、玻璃浆7、镀镍层8、电热板9、玻璃衬片10、白蜡11、小圆铁片12、胶带13、小圆柱形晶粒14。

本发明方法操作程序可参阅附图1所示方块图。其操作程序为：a)扩散晶片被覆光阻剂→b)曝光及显影→c)蚀刻沟槽→d)去除光阻剂→e)栅层清洗→f)玻璃粉栅层被覆→g)高温玻璃化→h)镀镍及烧结→i)衬片及圆铁片定位胶合→j)喷砂及分离圆晶粒，以下分述如下：

a)扩散晶片被覆光阻剂

预先设定烤箱的旋转速度并将光阻剂备妥，将清洗完毕的扩散晶片1置于晶片篮架上，再放入烤箱内烘干(半小时直至100℃)后取出，将此烘烤过的扩散晶片1逐片被覆光阻剂2，但晶片的P面与N面皆需有明显记号，以资识别。所用光阻剂系惯用光阻剂，由二甲苯、环化的聚异戊二烯、乙苯和芳香族双叠氮化物组成。将上好光阻剂2的晶片置于约75℃的烤箱内烘烤约半小时后取出，即可转入下一步骤：曝光及显影，所得被覆光阻剂的晶片如附图2所示；

b)曝光及显影