[其他]半导体元件制造工艺无效
| 申请号： | 88100817 | 申请日： | 1988-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN88100817A | 公开（公告）日： | 1988-11-30 |
| 发明（设计）人： | 吉利·德劳希;奥托·库恩 | 申请（专利权）人： | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;B24B3/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴秉芬,程天正 |
| 地址： | 瑞士巴登哈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 工艺 | ||
1、制造半导体元件，尤其是制造大功率半导体元件的方法是用机械方式从一块晶片(1)上至少切下一块面积较小的元件衬底(2)，这种方法的特点是，元件衬底(2)为圆形，是用空心钻(4)从晶片(1)上切下的。
2、根据权利要求1的方法的特点是，从一块晶片（1）上同时可切下若干块规格相同和/或规格不同的元件衬底（2）。
3、根据权利要求1的方法的特点是，切割是在晶片（1）经过为制造元件所必需的各种热加工过程之后进行的。
4、根据权利要求1的方法的特点是，所用的空心钻（4）钻头（1）的内侧面为斜面，并且，在切下元件衬底时亦可同时在元件衬底的边沿上切好为反向电压较高的元件所需要的边沿斜面。
5、根据权利要求1的方法的特点是，所用空心钻（4）是一种粒度为25微米，密度为100（4.4克拉/立方厘米）的金属粘结的金刚石钻。
6、根据权利要求5的方法的特点是，空心钻（4）从内外两侧进行冷却，尤其是冷却剂是通过钻内的冷却剂输入通道（9）送入的。
7、根据权利要求6的方法的特点是，冷却剂用的是掺有防锈添加剂的水。
8、根据权利要求1的方法的特点是，晶片（1）在钻切时固定在一个平坦的垫板（5）上。
9、根据权利要求8的方法的特点是，晶片用胶粘剂（6）固定在作为垫板的玻璃板上。
10、根据权利要求5的方法的特点是，钻头（7）的切削速度约为7米/秒，空心钻（4）的进给速度为1～2毫米/分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
