[其他]大面积换能器阵列的静电放电保护网络

权利要求书

1、一种大面积换能器阵列用的静电放电保护网络，其特征在于，所说阵列包括一块基片，其上制有多个换能器元件和一个与每个换能器元件相关联，用以改变所说换能器元件状态的薄膜寻址电路，每个所说寻址电路都包括至少一个薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有彼此互相隔开而且连接到一半导体层的一个源端电极和一个漏端电极和一个由栅电介质层隔离所说半导体层的栅极，栅极要设置得能通过所说半导体层控制电流从所说源端电极流到所说漏端电极，所说保护网络包括被连接到所说寻址电路用以提供电流泄漏途径的电阻装置，以使在静电放电期间均衡全部所说栅电介质两端的电势，其中所说电阻装置并不影响所说薄膜晶体管的正常工作。

2、根据权利要求1中所规定的大面积换能器阵列用的静电放电保护网络，其特征在于，所说电阻装置连接在所说薄膜晶体管的各所说栅电极和至少一个其相关的端电极之间。

3、根据权利要求2中所规定的大面积换能器阵列用的静电放电保护网络，其特征在于，所说电阻装置连接在所说薄膜晶体管的所说栅电极和所说源端电极与所说漏端电极这两个电极之间。

4、根据权利要求1中所规定的大面积换能器阵列用的静电放电保护网络，其特征在于，所说阵列包括多个用以接收外部信号的输入接触焊接点，所说阵列在连接到所说寻址电路时用以控制所说换能器装置的状态，而且所说电阻装置连接所说输入接触的每个焊接点。

5、根据权利要求4中所规定的大面积换能器阵列用的静电放电保护网络，其特征在于，其中的一条电阻性材料伸过所说输入接触的全部焊接点，而且所说电阻装置包括所说条形电阻性材料的接触间焊接点部分。

6、根据权利要求5中所规定的大面积换能器阵列用的静电放电保护网络，其特征在于，所说薄膜晶体管是由非晶硅制成的，而所说电阻装置是由n⁺非晶硅制成的。

7、根据权利要求1或5中所规定的大面积换能器阵列用的静电放电保护网络，其特征在于，所说换能器元件以一维方式延伸且包括沿所说基片的一个边缘形成的标记电极。

8、根据权利要求1或5中所规定的大面积换能器阵列用的静电放电保护网络，其特征在于，所说换能器元件以二维方式延伸且包括在所说基片表面上以正交形式形成的显示电极。

9、由外部激励电路所激励的大面积换能器阵列用的静电放电保护网络，其特征在于，所说阵列包括一个其上制有多个换能器元件的基片，一个与所说的各个换能器相关的用以改变换能器元件状态的薄膜寻址电路，所说的各个寻址电路包括至少一个薄膜晶体管，还包括多个输入接触焊接点，这些焊接点连接到所说寻址电路以接收来自所说激励电路的信号，所说保护网络包括：连接到各个所说输入接触焊接点的电阻装置，以便在静电放电到所说阵列的任一元件期间为均衡所说阵列的所有元件上的电势而提供电流泄漏电路径，而且所说电阻装置的数值至少大于连接到所说输入接触焊接点的所说外部激励电路的输出阻抗一个量级。

10、大面积换能器阵列用的静电放电保护网络，其特征在于，所说阵列包括一个其上制有多个换能器元件的基片，和一个与各个换能器元件有关联的用以改变所说换能器元件状态的薄膜寻址电路，各个所说寻址电路包括至少一个薄膜晶体管，所说保护网络包括：连接到所说寻址电路的电阻装置，以便在静电放电到所说阵列的任一元件期间为均衡所说阵列所有元件上的电势而提供电流泄漏路径。