[其他]超低温烧成陶瓷组合物无效

专利信息
申请号: 86103814 申请日: 1986-04-25
公开(公告)号: CN86103814A 公开(公告)日: 1987-03-04
发明(设计)人: 迈克·S·H·朱;查尔斯·E·霍奇金斯 申请(专利权)人: 谭氏陶器有限公司
主分类号: C04B35/64 分类号: C04B35/64;C04B35/00
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 李雒英
地址: 美国纽约州尼亚加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 超低温 烧成 陶瓷 组合
【权利要求书】:

1、一种超低温烧结组合物,含有:

大约81.5~95%(重量)的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3

大约5~18.5%(重量)的氧化铅

2、一种超低温烧结组合物,包括大约为81.5~95%(重量)的主要成份和大约为5~18.5%(重量)的氧化铅,该主要成份含有氧化镁(MgO),五氧化二铌,氧化铅,钛酸铅以及金属态的银,或者它们的组分氧化物或氧化物母体。

3、权利要求2的组合物,其中:该主要成分含有从大约65.0至大约71.6%(重量)的氧化铅;大约4.2至大约49%(重量)的氧化镁;大约25.2至大约27.0%(重量)的五氧化二铌大约0至4.5%(重量)的钛酸铅;和大约0至1%(重量)的银。

4、权利要求2的组合物,其中:该主要成分含有大约88%的(重量)的该组合物,并且是一种大约为65.56%(重量)的Pbo;含有4.62%(重量)的MgO;25.36%(重量)的Nb2O5;和4.46%(重量)的PbTiO3的混合物。

5、一种具有大约低于1000℃的烧结温度的组合物,用于制造具有在1千赫兹,1VRMS时大约高于12000的介电常数,大约低于3%的耗散因数,和在25℃时大约高于20000的绝缘电阻和电容的乘积,並且在85℃该乘积大约高于2000的陶瓷,该组合物含有:大约81.5~95%(重量)的Pb(MgNb)O2;和大约5~18.5%(重量)的氧化铅。

6、一种具有大约低于1000℃的烧结温度的组合物,用于制造具有在1千赫兹,1VRMS时大约高于12000的介电常数,大约低于3%的耗散因数,和在25℃时高于20000的绝缘电阻和电容的乘积,并且在85℃时该乘积大约高于2000的陶瓷,该组合物含有:大约81.5~95%(重量)的含有氧化镁,五氧化二铌;氧化铅,钛酸铅和金属态银或它们的组分氧化物或氧化物母体的主要成分;和含有大约5~18.5%(重量)的氧化铅的次要成分。

7、在权利要求6中所述的组合物,其中该主要成分含有大约从65.0至71.6%(重量)的氧化铅;大约从4.2至4.9%(重量)的氧化镁,大约25.5至大约27.0%(重量)的五氧化二铌,大约0至4.5%(重量)的钛酸铅;和大约从0至约1%(重量)的银。

8、在权利要求6中所述的组合物,其中该主要成份含有88%(重量)的这种组合物,并且是一种约为65.56%(重量)的氧化铅;4.62%(重量)的氧化镁;25.36%(重量)的五氧化二铌;和4.46%(重量)的钛酸铅的混合物。

9、一种用于制造具有大约低于1000℃的烧结温度,在1千赫兹,1VRMS时大约高于12000的介电常数,大约低于3%的耗散因数,在25℃时大约高于20000而在85℃时大约高于2000的绝缘电阻和电容的乘积的陶瓷组合物的方法,该方法包括的步骤:将大约为81.5~95%(重量)的Pb(MgNb)O3和大约为5~18.5%(重量)的氧化铅进行混合。

10、一种用于制造具有大约低于1000℃的烧结温度,在1千赫兹,1VRMS时大约高于12000的介电常数,大约低于3%的耗散因数,在25℃时大约高于20000而在85℃时大约高于2000的绝缘电阻和电容的乘积的陶瓷组合物的方法,该方法包括的步骤是:混合大约为81.5~95%(重量)的主要成分,该主要成份含有氧化镁,五氧化二铌,氧化铅,钛酸铅和金属态银或它们的组分氧化物或氧化物母体。

将此混合物进行反应形成Pb(MgNb)O3;并且将此反应了的混合物和大约5~18.5%(重量)的氧化铅相结合。

11、在权利要求10中所述的方法,其中该主要成份含有:大约从65.0至71.6%(重量)的氧化铅;大约从4.2至4.9%(重量)的氧化镁;大约从25.5至大约27.0%(重量)的五氧化二铌;大约从0至4.5%(重量)的钛酸铅;和大约0至1%(重量)的银。

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