[其他]具有能在集成电路中集成的霍耳元件的装置无效
| 申请号: | 86103454 | 申请日: | 1986-05-21 |
| 公开(公告)号: | CN86103454A | 公开(公告)日: | 1986-11-19 |
| 发明(设计)人: | 波波维克·拉迪沃耶 | 申请(专利权)人: | 兰迪斯·吉尔楚格股份公司 |
| 主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L29/82;H01L29/96 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 王以平 |
| 地址: | 瑞士楚格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 集成电路 集成 元件 装置 | ||
1、具有一个可在一个集成电路中集成的霍尔元件的装置,该霍尔元件具有2个传感器引线接触头和至少2个电流引线接触头。这些引线接触头排列在霍尔元件的表面,其特征在于:至少在霍尔元件(22)的有源区(7)和霍尔元件(22)的表面之间配置着一个阻挡层(11或者12、7),该阻挡层从上面覆盖着霍尔元件(22)的有源区(7)。
2、按照权利要求1的装置,其特征是:霍尔元件(22)的输出端(S1)通过一个调节电路(24、25、26、27)和霍尔元件(22)控制阻挡层(11或者12、7)厚度的控制输入端(M)相连接。
3、按照权利要求2的装置,其特征是:调节电路(24、25、26、27)至少由一个实际值整形器(24),一个额定值发生器(25)和一个额定值/实测值-微分器(26、27)组成。
4、按照权利要求3的装置,其特征在于:实际值整形器(24)是一个绝对值形成器。
5、按照权利要求4的装置,其特征是:实际值整形器(24)至少由一个被控制装置(28)控制的转换开关(29)和一个反相放大器(30)组成。
6、按照权利要求5的装置,其特征是:控制装置(28)由一个比较器组成。
7、按照权利要求4的装置,其特征是:实际值整形器(24)由一个整流器组成。
8、按照权利要求3至7中之一的装置,其特征是:额定值发生器(25)是由一个前置电阻(R′)和一个场效应晶体管(32)的源-漏区构成的串联电路组成。
9、按照权利要求3至8中之一的装置,其特征是:额定值/实际值-微分器(26、27)至少由一个差分放大器(26)组成。
10、按照权利要求9的装置,其特征是:差分放大器(26)是作为反相放大器而布置的,并且和它串联了另一个反相放大器(27)。
11、按照权利要求9或者10的装置,其特征是:差分放大器(26)具有两个实际值输入端(E1、E4),其中第一个(E1)与实际值整形器(24)的输出端相连接,而另一个(E4)与实际值整形器(24)的输入端相连接。
12、按照权利要求1至11中之一的装置,其特征是:阻挡层(11)是由一个耗尽区形成的,该耗尽区是借助一个电压,通过静电感应产生的,该电压是通过控制门连接头(G)施加到导电的控制层(10)上的,其特征是:控制层(10)通过在霍尔元件(22)表面上的一层氧化层(9)而被隔离了,这样,控制层(10)以及耗尽层从上面覆盖着霍尔元件(22)的有源区(7);以及环(8)至少在侧面围绕着霍尔元件(22)的有源区(7),并且环(8)是与霍尔元件(22)的有源区(7)有着相反导电类型的材料,环(8)的连接头(R)形成了霍尔元件(22)的一个控制输入端(M)。
13、按照权利要求1至11中之一的权利要求的装置,其特征是是:阻挡层(12、7)是由在霍尔元件(22)的有源区(7)与在霍尔元件(22)表面上的薄层(12)之间的交界层形成的。该薄层(12)是具有导电类型P的材料,它和霍尔元件(22)有源区(7)的正好相反,并且它从上面看覆盖着有源区(7);以及薄层(12)具有对环的连接头(R)的电接触,而环连接头(R)形成霍尔元件(22)的一个控制输入端(M)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





