[其他]具有能在集成电路中集成的霍耳元件的装置无效

专利信息
申请号: 86103454 申请日: 1986-05-21
公开(公告)号: CN86103454A 公开(公告)日: 1986-11-19
发明(设计)人: 波波维克·拉迪沃耶 申请(专利权)人: 兰迪斯·吉尔楚格股份公司
主分类号: H01L27/22 分类号: H01L27/22;H01L29/82;H01L29/96
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 王以平
地址: 瑞士楚格*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 集成电路 集成 元件 装置
【权利要求书】:

1、具有一个可在一个集成电路中集成的霍尔元件的装置,该霍尔元件具有2个传感器引线接触头和至少2个电流引线接触头。这些引线接触头排列在霍尔元件的表面,其特征在于:至少在霍尔元件(22)的有源区(7)和霍尔元件(22)的表面之间配置着一个阻挡层(11或者12、7),该阻挡层从上面覆盖着霍尔元件(22)的有源区(7)。

2、按照权利要求1的装置,其特征是:霍尔元件(22)的输出端(S1)通过一个调节电路(24、25、26、27)和霍尔元件(22)控制阻挡层(11或者12、7)厚度的控制输入端(M)相连接。

3、按照权利要求2的装置,其特征是:调节电路(24、25、26、27)至少由一个实际值整形器(24),一个额定值发生器(25)和一个额定值/实测值-微分器(26、27)组成。

4、按照权利要求3的装置,其特征在于:实际值整形器(24)是一个绝对值形成器。

5、按照权利要求4的装置,其特征是:实际值整形器(24)至少由一个被控制装置(28)控制的转换开关(29)和一个反相放大器(30)组成。

6、按照权利要求5的装置,其特征是:控制装置(28)由一个比较器组成。

7、按照权利要求4的装置,其特征是:实际值整形器(24)由一个整流器组成。

8、按照权利要求3至7中之一的装置,其特征是:额定值发生器(25)是由一个前置电阻(R′)和一个场效应晶体管(32)的源-漏区构成的串联电路组成。

9、按照权利要求3至8中之一的装置,其特征是:额定值/实际值-微分器(26、27)至少由一个差分放大器(26)组成。

10、按照权利要求9的装置,其特征是:差分放大器(26)是作为反相放大器而布置的,并且和它串联了另一个反相放大器(27)。

11、按照权利要求9或者10的装置,其特征是:差分放大器(26)具有两个实际值输入端(E1、E4),其中第一个(E1)与实际值整形器(24)的输出端相连接,而另一个(E4)与实际值整形器(24)的输入端相连接。

12、按照权利要求1至11中之一的装置,其特征是:阻挡层(11)是由一个耗尽区形成的,该耗尽区是借助一个电压,通过静电感应产生的,该电压是通过控制门连接头(G)施加到导电的控制层(10)上的,其特征是:控制层(10)通过在霍尔元件(22)表面上的一层氧化层(9)而被隔离了,这样,控制层(10)以及耗尽层从上面覆盖着霍尔元件(22)的有源区(7);以及环(8)至少在侧面围绕着霍尔元件(22)的有源区(7),并且环(8)是与霍尔元件(22)的有源区(7)有着相反导电类型的材料,环(8)的连接头(R)形成了霍尔元件(22)的一个控制输入端(M)。

13、按照权利要求1至11中之一的权利要求的装置,其特征是是:阻挡层(12、7)是由在霍尔元件(22)的有源区(7)与在霍尔元件(22)表面上的薄层(12)之间的交界层形成的。该薄层(12)是具有导电类型P的材料,它和霍尔元件(22)有源区(7)的正好相反,并且它从上面看覆盖着有源区(7);以及薄层(12)具有对环的连接头(R)的电接触,而环连接头(R)形成霍尔元件(22)的一个控制输入端(M)。

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