[其他]半导体致冷器焊料无效
| 申请号: | 85108316 | 申请日: | 1985-11-07 |
| 公开(公告)号: | CN85108316B | 公开(公告)日: | 1987-09-09 |
| 发明(设计)人: | 钟广学 | 申请(专利权)人: | 西北大学 |
| 主分类号: | B23K35/26 | 分类号: | B23K35/26;B23K35/00 |
| 代理公司: | 西北大学专利事务所 | 代理人: | 王明轩,张建申 |
| 地址: | 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 致冷 焊料 | ||
1、用于焊接两种性质差异很大的材料,特别是用于焊接半导体致冷器中导流材料铜(铁、镍、金、银、铂)和Bi-Sb-Se-Te系列的温差电材料的焊料,其特征是:以Bi-Sb作为基质合金,在此基础上加入适量的Sn、Li、P、Co、Ni,完成焊料的设计。
2、按照权利要求1所述,其特征在于共有八种配方,其成分及比例如下:
①(10#)熔点245℃Bi0.833Sb0.093
Sn-Li(含Li2%)0.074
②(27#)熔点250℃Bi0.833Sb0.093
Sn-Li(含Li2%)0.037Sb-P(含P1%)0.037
③(48#)熔点243℃Bi0.800Sb0.100
Sn-P(含P1%)0.100
④(209#)熔点305℃Bi0.8807Sb0.1101Ni-0.0092
⑤(712#)熔点304℃Bi0.8649Sb0.1081Co0.0270
⑥(56#)熔点272℃Bi0.8000Sb0.0889Ni0.0444Sn-P(含P1%)0.0667
⑦(208#)熔点287℃Bi0.8000Sb0.1048Ni0.0476Zn0.0476
⑧(714#)熔点267℃Bi0.7600Sb0.0900Ni0.040Sn-P(含P1%)0.0600Co0.0500
3、按照权利要求2所述,其特征在于,先将Li、P分别制成Sn的合金,然后将各种成份按比例放在纯氩气氛的操作箱中进行熔制。
4、按照权利要求2或3的焊料,其特征在于能对导流材料铜、铁、镍、金、银、铂和半导体材料同时可焊。
5、按照权利要求2的焊料,其特征在于,八种焊料的熔点分别为:(10#)245℃、(27#)250℃、(48#)243℃、(209#)305℃,(712#)304℃、(208#)287℃、(714#)267℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北大学,未经西北大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/85108316/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:反应堆控制棒的水力步进传动装置
- 下一篇:软钎焊焊剂及其配方





