[实用新型]一种晶圆贴膜装置

说明书

本实用新型涉及晶圆加工技术领域，提供一种晶圆贴膜装置，包括贴膜平台及铁环；所述贴膜平台包括基座及第一凸台，所述第一凸台呈环状设于所述基座的上表面；所述铁环可套设于所述第一凸台的外周壁上，所述铁环用于将待贴的膜覆于所述第一凸台上；所述第一凸台用于支撑晶圆，以使所述晶圆的正面与所述膜的上表面接触。本实用新型提供的晶圆贴膜装置能够使晶圆中部与贴膜平台无接触，形成非接触式贴膜，保护晶圆正面，保障贴膜质量，从而提高晶圆的整体良率。

技术领域

本实用新型涉及晶圆加工技术领域，具体涉及一种晶圆贴膜装置。

背景技术

近年来，砷化镓(GaAs)作为近十几年来迅速发展的宽禁带半导体材料，与其它半导体材料，比如Si和GaN相比，GaAs材料具有宽禁带、高热导率、高载流子饱和迁移率、高功率密度等优点。

晶圆加工过程中，常需要在晶圆表面进行贴膜处理，以保护晶圆，现有技术中，常规的晶圆贴膜技术是采用手动方式将晶圆倒片在接触式贴膜平台上，晶圆的正面会接触到贴膜平台上或者贴膜平台的隔离纸上，然后将膜拉出覆盖整个晶圆背面，最后使用实心滚轮将膜与晶圆背面的气泡挤出，这一过程中，不仅会在转移过程中对正面图形造成一定程度的划伤，而且，手动贴膜机的实心滚轮挤压膜会对整个晶圆产生一定的压力，使得晶圆的正面与平台产生挤压摩擦，造成损伤，此外，由于砷化镓晶圆正面图形中的空气桥是圆拱形的，即晶圆正面存在空气桥，在贴膜过程中容易造成空气桥压塌。

综上，现有贴膜技术在晶圆背面贴膜过程中，晶圆易出现损伤，进而影响整个芯片的电性，因此有必要设计一种新的晶圆贴膜装置，以保障晶圆的贴膜效率，提高晶圆整体良率。

实用新型内容

基于上述表述，本实用新型提供了一种晶圆贴膜装置，以解决现有技术中接触式晶圆贴膜时晶圆贴膜容易出现损伤、导致晶圆质量不高的技术问题。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：

本实用新型提供一种晶圆贴膜装置，包括：贴膜平台及铁环；

述贴膜平台包括基座及第一凸台，所述第一凸台呈环状设于所述基座的上表面；

所述铁环可套设于所述第一凸台的外周壁上，所述铁环用于将待贴的膜覆于所述第一凸台上；所述第一凸台用于支撑晶圆，以使所述晶圆的正面与所述膜的上表面接触。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。

进一步的，所述贴膜平台还包括第二凸台；

所述第二凸台设于所述基座的中部；所述第二凸台与所述第一凸台同侧布设。

进一步的，所述第二凸台的高度与所述第一凸台的高度相同。

进一步的，所述第一凸台的高度均为2mm。

进一步的，所述第一凸台的环宽为3～5mm。

进一步的，所述第二凸台由硅胶材料制成。

进一步的，所述第二凸台的直径为8～12mm。

进一步的，所述晶圆贴膜装置还包括抽真空机构；所述抽真空机构包括真空腔和真空泵；

所述贴膜平台、所述铁环、所述膜和所述晶圆均设于所述真空腔内；

所述真空泵用于抽取所述真空腔内的空气，以将所述膜与所述晶圆之间的空气抽出。

进一步的，所述晶圆贴膜装置还包括海绵滚轮；

所述海绵滚轮用于对所述晶圆的背面进行滚压。

进一步的，所述贴膜平台的上表面涂层采用黑色防静电材料处理得到。

与现有技术相比，本申请的技术方案具有以下有益技术效果：