[实用新型]一种晶圆贴膜装置有效
| 申请号： | 202320193772.6 | 申请日： | 2023-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN219497725U | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 廖文祥;邱磊 | 申请（专利权）人： | 湖北九峰山实验室 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人： | 方晖 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆贴膜 装置 | ||
1.一种晶圆贴膜装置，其特征在于，包括：贴膜平台及铁环；
所述贴膜平台包括基座及第一凸台，所述第一凸台呈环状设于所述基座的上表面；
所述铁环可套设于所述第一凸台的外周壁上，所述铁环用于将待贴的膜覆于所述第一凸台上；所述第一凸台用于支撑晶圆，以使所述晶圆的正面与所述膜的上表面接触。
2.根据权利要求1所述的晶圆贴膜装置，其特征在于，所述贴膜平台还包括第二凸台；
所述第二凸台设于所述基座的中部；所述第二凸台与所述第一凸台同侧布设。
3.根据权利要求2所述的晶圆贴膜装置，其特征在于，所述第二凸台的高度与所述第一凸台的高度相同。
4.根据权利要求1所述的晶圆贴膜装置，其特征在于，所述第一凸台的高度为2mm。
5.根据权利要求1所述的晶圆贴膜装置，其特征在于，所述第一凸台的环宽为3～5mm。
6.根据权利要求2所述的晶圆贴膜装置，其特征在于，所述第二凸台由硅胶材料制成。
7.根据权利要求2所述的晶圆贴膜装置，其特征在于，所述第二凸台的直径为8～12mm。
8.根据权利要求1所述的晶圆贴膜装置，其特征在于，所述晶圆贴膜装置还包括抽真空机构；所述抽真空机构包括真空腔和真空泵；
所述贴膜平台、所述铁环、所述膜和所述晶圆均设于所述真空腔内；
所述真空泵用于抽取所述真空腔内的空气，以将所述膜与所述晶圆之间的空气抽出。
9.根据权利要求8所述的晶圆贴膜装置，其特征在于，所述晶圆贴膜装置还包括海绵滚轮；
所述海绵滚轮用于对所述晶圆的背面进行滚压。
10.根据权利要求1所述的晶圆贴膜装置，其特征在于，所述贴膜平台的上表面涂层采用黑色防静电材料处理得到。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
