[实用新型]一种避免金属过刻的画素稳压阵列基板

说明书

本实用新型涉及显示器技术领域，提供一种避免金属过刻的画素稳压阵列基板，包括：玻璃衬底；第一金属层，镀在玻璃衬底的上表面，形成了间隔分布的栅极、控制栅极的CK信号走线、控制导电层的CK信号走线；栅绝缘层，镀在玻璃衬底与第一金属层的上表面；有源层，镀在栅绝缘层的上表面；第二金属层，镀在栅绝缘层的上表面，形成了间隔分布的源极、漏极与第一信号连接线；导电层，镀在钝化层的上表面，在钝化层的上表面还镀有第二信号连接线；画素电极，镀在钝化层的上表面。本实用新型的优点在于：导电层的电位高低与栅极的电位高低相反，栅极对于漏极的耦合效应和导电层对于漏极的耦合效应相互抵消，减小Feedthrough电压。

技术领域

本实用新型涉及显示器技术领域，具体地涉及一种避免金属过刻的画素稳压阵列基板。

背景技术

对于TFT-LCD显示器而言，一般把与画素电极相连的TFT一侧叫做漏极，漏极与栅极金属之间形成的电容叫做寄生电容C_gd。TFT器件的栅极与横向分布的栅极线连接，用于控制TFT器件的开与关；TFT器件的源极与纵向分布的数据线连接，用于往TFT器件写入想要显示的数据电压；当TFT打开时，源极与漏极导通，数据电压进入漏极再由画素电极到达液晶电容Cst，调节液晶的透光率；当TFT关闭时，源极与漏极截止断开，源极的数据电压就不能进入漏极。源极的数据电压是呈周期性地正负极性变化，是使液晶产生正负极性的偏转电压。

结合图1与图2，在TFT关闭的瞬间，栅极电压V_g从高电平的V_high瞬间下降到低电平的V_low，由于寄生电容C_gd的存在会将V_g的瞬间变化耦合到漏极，导致漏极电压下降，又由于此时TFT器件已关闭，画素电极与漏极之间产生的电压差会造成画素电极的电压发生跳变，这个跳变量ΔV我们称之为Feedthrough电压。在图2的波形图之中，V_g是栅极电压，V_d是理想状态的漏极电压，是实际提供的公共电极电压即实际提供的正负极性偏转电压的中心点，V_p(t)是实际的像素电极电压，V_com是当前使液晶在正负极性状态下保持两端电压一样的理想状态的公共电极电压，V_offset是理想状态的公共电极电压与实际提供的公共电极电压的偏离量，Tf是TFT器件的开关周期，V_lc＞V_com是像素电极电压大于当前理想状态的公共电极电压的区域，V_lc＜V_com是像素电极电压小于当前理想状态的公共电极电压的区域。

如图2所示，由于Feedthrough电压的存在，会导致理想状态的公共电极V_com点位偏离实际提供的正负极性偏转电压的中心位置，即理想状态的公共电极电压发生变化，但实际提供正负极性偏转电压不变，这就导致液晶在正负极性状态下的两端电压不一样，这样就会造成正负极性下液晶的偏转角度不一样，从而阵列基板的通光量不一样，造成液晶显示器画面的闪烁。所以减小Feedthrough电压是目前应该解决的问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种避免金属过刻的画素稳压阵列基板，通过在漏极上方设置导电层，导电层的电位高低与栅极的电位高低相反，栅极对于漏极的耦合效应和导电层对于漏极的耦合效应相互抵消，从而减小Feedthrough电压，有助于画素电极的电压稳定。

本实用新型是这样实现的：

一种避免金属过刻的画素稳压阵列基板，包括：

玻璃衬底；

第一金属层，镀在所述玻璃衬底的上表面，形成了间隔分布的栅极、控制栅极的CK信号走线、控制导电层的CK信号走线，所述控制栅极的CK信号走线的电位高低与所述控制导电层的CK信号走线的电位高低相反；