[发明专利]一种光伏硅片脱胶的周转机构有效
申请号: | 202310921426.X | 申请日: | 2023-07-26 |
公开(公告)号: | CN116646291B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 王海亮 | 申请(专利权)人: | 无锡市爱维丝科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;H01L31/18;B65B11/02;B65B61/06 |
代理公司: | 无锡华建知识产权代理事务所(普通合伙) 32767 | 代理人: | 张希哲 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 脱胶 周转 机构 | ||
本发明涉及光伏硅片技术领域,尤其涉及一种光伏硅片脱胶的周转机构。现有技术,离子水中含有的氧气会与硅晶发生氧化反应,影响硅晶质量。本发明的技术实施方案为:一种光伏硅片脱胶的周转机构,包括有安装架和运输带等;安装架安装有运输带。本发明通过高温高压的氮气与经过反应盒中的硅晶表面的水珠和水渍发生反应,使氮气能够溶于水中,如此,氮气便能够与被水珠覆盖的硅晶表面接触,解决了常温常压下,氮气无法与水反应,便无法与被水珠覆盖的硅晶表面接触,硅晶表面存在水珠的部分便无法第一时间受到氮气的保护,且离子水中含有的氧气会与硅晶发生氧化反应,在硅晶表面形成氧化层,影响下一道工序的制程及电池片的最终效率的问题。
技术领域
本发明涉及光伏硅片技术领域,尤其涉及一种光伏硅片脱胶的周转机构。
背景技术
氮气是无色无味的气体,微溶于酒精和水(在273K和100kPa下100ml水能溶解24ml氮气)。
脱胶完的硅晶表面残留有离子水,当硅晶进入至氮气箱中时,常温常压下,氮气无法与水反应,便无法与被水珠覆盖的硅晶表面接触,硅晶表面存在水珠的部分便无法第一时间受到氮气的保护,且离子水中含有的氧气会与硅晶发生氧化反应,在硅晶表面形成氧化层,影响下一道工序的制程及电池片的最终效率。
发明内容
为了克服现有技术,硅晶表面存在水珠的部分便无法第一时间受到氮气的保护,且离子水中含有的氧气会与硅晶发生氧化反应,影响硅晶质量的缺点,本发明提供一种光伏硅片脱胶的周转机构。
本发明的技术实施方案为:一种光伏硅片脱胶的周转机构,包括有安装架和运输带;安装架安装有运输带;还包括有反应盒、加热盒和吸气板;安装架安装有反应盒,且反应盒罩住运输带;安装架安装有加热盒,且加热盒罩住运输带,且反应盒和加热盒相连通;加热盒外接有氮气输送设备;反应盒内部设置有两个前后对称分布的吸气板;两个吸气板的相向侧各设置有若干个吸气口。
更为优选的是,吸气板呈左窄右宽的直角梯形结构,且两个吸气板的相向侧为直角梯形的斜边,吸气板的吸气口从左至右逐渐靠近运输带。
更为优选的是,反应盒内上部设置有弧型的保温板。
更为优选的是,还包括有氮气箱,气体转换器和通气管;安装架固接有氮气箱;氮气箱设置有若干个的气体转换器;两个吸气板各连通有一个通气管,且两个通气管分别与对应侧的气体转换器相连通,气体转换器内部设置有空气过滤器。
更为优选的是,加热盒前后朝向的宽度小于氮气箱的前后朝向的宽度。
更为优选的是,还包括有周转系统,周转系统包括有承托箱、升降单元、支撑板、连接杆、放置板、海绵板和电控门;氮气箱下部固接有承托箱;承托箱内部设置有升降单元,且升降单元上部位于氮气箱内;氮气箱上部设有出料口;升降单元可拆卸式连接有一个支撑板;支撑板固接有两个前后分布的连接杆;两个连接杆的上部共同固接有另一个支撑板;两个连接杆共同固接有若干个竖向阵列分布的放置板;放置板从上往下视角的呈“C”字型结构,且运输带位于该“C”字型结构中;放置板从前往后视角的呈横置且开口向左的“U”字型结构;每个放置板的“U”字型结构内各设置有一个左部开口的海绵板,升降单元用于带动支撑板及其连接部件进行升降;承托箱下部活动连接有两个左右对称分布的电控门。
更为优选的是,周转系统还包括有风箱;承托箱设置有两个左右分布的风箱;两个风箱的相向面各设置有一个喷气槽,且喷气槽为倾斜朝下设置。
更为优选的是,海绵板呈“V”字型结构。
更为优选的是,还包括有防护单元,防护单元包括有收卷辊、防护膜、第一导向辊和第二导向辊;氮气箱上部设置有两个左右分布的收卷辊;两个收卷辊共同收卷有一个防护膜,且防护膜具有可形变性;氮气箱上部设置有两个左右分布的第一导向辊,且两个第一导向辊均位于两个收卷辊之间;氮气箱上部设置有两个前后分布的第二导向辊,且两个第二导向辊均位于两个第一导向辊之间;第一导向辊和第二导向辊均位于防护膜的上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造