[发明专利]一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上外延形成基层区；

在所述基层区中形成第一沟槽；

在所述第一沟槽内表面形成P型层；

在所述P型层内填充多晶硅；

在所述第一沟槽上方形成第二沟槽；

在所述第二沟槽中形成栅结构。

2.根据权利要求1所述的一种沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述在衬底上外延形成基层区，具体包括：

在所述衬底上积淀形成外延层；

在所述外延层上表面对应形成源极薄膜和体层薄膜，所述源极薄膜位于所述体层薄膜上表面；所述源极薄膜构成源极层，所述体层薄膜构成P型体层；

所述外延层、源极层及P型体层共同组成了基层区。

3.根据权利要求2所述的一种沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，在所述第一沟槽内表面形成P型层，具体包括：

以预设角度向所述第一沟槽注入铝离子或硼离子，在所述第一沟槽的底部和侧壁上形成P型层。

4.根据权利要求3所述的一种沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，在所述第一沟槽上方形成第二沟槽，具体包括：

通过光照和刻蚀分别经过所述源极层和所述P型体层在所述第一沟槽上方形成第二沟槽，所述第二沟槽相对于所述第一沟槽宽度大深度小，所述P型层中填充的多晶硅作为源极多晶硅。

5.根据权利要求4所述的一种沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，在所述第二沟槽中形成栅结构，具体包括：通过牺牲氧化工艺、光刻工艺、栅氧氧化工艺、多晶硅填充工艺、多晶硅光刻工艺及刻蚀工艺形成栅结构，所述第二沟槽的侧壁和底部形成栅氧层，在所述栅氧层中形成栅极多晶硅。

6.根据权利要求5所述的一种沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，还包括：在所述栅结构表面积淀形成层间介质，通过刻蚀形成接触开口，注入离子形成P+层，在所述层间介质上表面生长金属作为源极电极，所述源极电极分别连接所述源极层和所述P型体层，所述P+层位于接触开口底部所述源极电极与所述P型体层接触平面处，在所述衬底下表面减薄并进行背部金属淀积处理之后形成漏极电极。

7.一种沟槽型MOSFET器件，其特征在于，包括：衬底、基层区、第一沟槽和第二沟槽；

所述基层区位于所述衬底上表面，所述第二沟槽位于所述第一沟槽上方，且均设置在所述基层区内；

所述第一沟槽的内表面形成有P型层，所述P型层中填充有多晶硅。

8.根据权利要求7所述的一种沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述基层区包括从上至下按顺序分布的：源极层、P型体层和外延层。

9.根据权利要求8所述的一种沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述P型层中设置有源极多晶硅；

所述第二沟槽的侧壁和底部形成有栅氧层，在所述栅氧层中形成有栅极多晶硅。

10.根据权利要求9所述的一种沟槽型MOSFET器件，其特征在于，还包括：源极电极、P+层、层间介质和漏极电极；

所述层间介质位于所述栅极多晶硅上表面，所述P+层位于接触开口底部所述源极电极与所述P型体层接触平面处，所述源极电极位于所述层间介质上表面，所述源极电极分别连接所述源极和所述P型体，所述漏极电极位于所述衬底下表面。