[发明专利]一种微发光二极管器件、制备方法及显示设备在审
申请号: | 202310785803.1 | 申请日: | 2023-06-29 |
公开(公告)号: | CN116666535A | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 纪洁洁;张珂 | 申请(专利权)人: | 深圳市思坦科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;H01L33/42;H01L33/00;H01L27/15 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 郭晨晨 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 器件 制备 方法 显示 设备 | ||
本申请公开了一种微发光二极管器件、制备方法及显示设备,涉及半导体技术领域。微发光二极管器件制备方法包括:提供初始架构,初始架构包括驱动基板及位于驱动基板一侧的发光台阶;至少在发光台阶的周侧制作第一钝化层,发光台阶远离驱动基板一端的端面外露;在发光台阶上制作第一透明导电层,第一透明导电层覆盖第一钝化层并与驱动基板和发光台阶远离驱动基板的一端导通;至少在第一透明导电层远离第一钝化层的一侧制作第二钝化层,第一透明导电层中位于发光台阶远离驱动基板一端的至少部分相对于第二钝化层外露并形成接触区;在接触区远离驱动基板的一侧制作聚光结构。本申请制得的微发光二极管器件可缩减单颗像素点的出光角度,改善显示效果。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种微发光二极管器件、制备方法及显示设备。
背景技术
目前,微发光二极管(Micro-Light Emitting Diode,Micro-LED)广泛应用于光学投影、车载抬头显示(Head Up Display,HUD)镜头等显示设备中。
然而,现有的Micro-LED发光角度较为扩散,造成显示设备显示不清晰。
发明内容
本申请提供了一种微发光二极管器件、制备方法及显示设备,以缩减单颗像素点的出光角度,改善显示效果。
第一方面,本申请提供了一种微发光二极管器件制备方法,包括:
提供初始架构,所述初始架构包括驱动基板及位于所述驱动基板一侧的发光台阶;
至少在所述发光台阶的周侧制作第一钝化层,并使所述发光台阶远离所述驱动基板一端的端面外露;
在所述发光台阶上制作第一透明导电层,使所述第一透明导电层覆盖所述第一钝化层,并使所述第一透明导电层分别与所述驱动基板和所述发光台阶远离所述驱动基板的一端导通;
至少在所述第一透明导电层远离所述第一钝化层的一侧制作第二钝化层,使所述第一透明导电层中位于所述发光台阶远离所述驱动基板一端的至少部分相对于所述第二钝化层外露并形成接触区;
在所述发光台阶远离所述驱动基板的一端制作聚光结构,并使所述聚光结构位于所述接触区远离所述驱动基板的一侧。
基于以上技术方案,可以理解的是,一发光台阶可用作一像素点。当一像素点点亮时,发光台阶所产生的光线在经过聚光结构时会发生多次折射,并向发光台阶的光轴方向汇聚,缩减单颗像素点的出光角度,一方面可以提升出光效率,另一方面可提升微发光二极管器件的对比度,改善显示效果,使所应用显示设备所显示图像更加清晰。
在一些可能的实施方式中,所述在所述发光台阶远离所述驱动基板的一端制作聚光结构,并使所述聚光结构位于所述接触区远离所述驱动基板的一侧,包括:
在所述接触区远离所述发光台阶的一侧制作半球状的光刻胶以形成所述聚光结构。
在一些可能的实施方式中,所述在所述接触区远离所述发光台阶的一侧制作半球状的光刻胶以形成所述聚光结构,包括:
在所述接触区远离所述发光台阶的一侧涂布光刻胶;
将所述光刻胶光刻成圆柱状;
对光刻后的所述光刻胶进行热回流以得到半球状的光刻胶。
在一些可能的实施方式中,所述提供初始架构,所述初始架构包括驱动基板及位于所述驱动基板一侧的发光台阶,包括:
提供第一衬底,在所述第一衬底的一侧依次制作外延层、第二透明导电层和电极层;
提供第二衬底,所述第二衬底包括驱动基板及位于所述驱动基板一侧的金属层;
将所述电极层与所述金属层键合;
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