[发明专利]一种微发光二极管器件、制备方法及显示设备

权利要求书

1.一种微发光二极管器件制备方法，其特征在于，包括：

提供初始架构，所述初始架构包括驱动基板及位于所述驱动基板一侧的发光台阶；

至少在所述发光台阶的周侧制作第一钝化层，并使所述发光台阶远离所述驱动基板一端的端面外露；

在所述发光台阶上制作第一透明导电层，使所述第一透明导电层覆盖所述第一钝化层，并使所述第一透明导电层分别与所述驱动基板和所述发光台阶远离所述驱动基板的一端导通；

至少在所述第一透明导电层远离所述第一钝化层的一侧制作第二钝化层，使所述第一透明导电层中位于所述发光台阶远离所述驱动基板一端的至少部分相对于所述第二钝化层外露并形成接触区；

在所述发光台阶远离所述驱动基板的一端制作聚光结构，并使所述聚光结构位于所述接触区远离所述驱动基板的一侧。

2.根据权利要求1所述的微发光二极管器件制备方法，其特征在于，所述在所述发光台阶远离所述驱动基板的一端制作聚光结构，并使所述聚光结构位于所述接触区远离所述驱动基板的一侧，包括：

在所述接触区远离所述发光台阶的一侧制作半球状的光刻胶以形成所述聚光结构。

3.根据权利要求2所述的微发光二极管器件制备方法，其特征在于，所述在所述接触区远离所述发光台阶的一侧制作半球状的光刻胶以形成所述聚光结构，包括：

在所述接触区远离所述发光台阶的一侧涂布光刻胶；

将所述光刻胶光刻成圆柱状；

对光刻后的所述光刻胶进行热回流以得到半球状的光刻胶。

4.根据权利要求1所述的微发光二极管器件制备方法，其特征在于，所述提供初始架构，所述初始架构包括驱动基板及位于所述驱动基板一侧的发光台阶，包括：

提供第一衬底，在所述第一衬底的一侧依次制作外延层、第二透明导电层和电极层；

提供第二衬底，所述第二衬底包括驱动基板及位于所述驱动基板一侧的金属层；

将所述电极层与所述金属层键合；

去除所述第一衬底和所述外延层中的U-GaN层；

刻蚀所述电极层、所述第二透明导电层、去除所述U-GaN层后的所述外延层以及所述金属层，以获得所述发光台阶。

5.根据权利要求1所述的微发光二极管器件制备方法，其特征在于，所述至少在所述发光台阶的周侧制作第一钝化层，并使所述发光台阶远离所述驱动基板一端的端面外露，包括：

在所述发光台阶的表面沉积所述第一钝化层；

在所述第一钝化层上开设第一通孔，使所述发光台阶远离所述驱动基板一端的端面通过所述第一通孔外露。

6.根据权利要求1所述的微发光二极管器件制备方法，其特征在于，所述至少在所述第一透明导电层远离所述第一钝化层的一侧制作第二钝化层，使所述第一透明导电层中位于所述发光台阶远离所述驱动基板一端的至少部分相对于所述第二钝化层外露并形成接触区，包括：

在所述第一透明导电层远离所述第一钝化层的一侧表面沉积所述第二钝化层；

对所述发光台阶远离所述驱动基板一端的所述第二钝化层进行刻蚀，以暴露所述第一透明导电层的所述接触区。

7.一种微发光二极管器件，其特征在于，包括驱动基板、发光台阶和聚光结构；

所述发光台阶设置于所述驱动基板的一侧，所述发光台阶的周侧依次设置有第一钝化层、第一透明导电层及第二钝化层；

所述第一透明导电层分别延伸至所述发光台阶远离所述驱动基板一端的端面以及所述驱动基板的边缘位置，所述第一透明导电层包括位于所述发光台阶远离所述驱动基板一侧的接触区，所述接触区相对于所述第二钝化层外露；

所述聚光结构覆盖于所述接触区。

8.根据权利要求7所述的微发光二极管器件，其特征在于，所述微发光二极管器件包括多个呈阵列分布的所述发光台阶；

相邻两所述发光台阶上的所述第二钝化层相间隔。

9.根据权利要求8所述的微发光二极管器件，其特征在于，各所述发光台阶上设置的所述第一透明导电层连续设置。